提升亮度的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底和位于所述衬底的承载面的外延层；所述外延层的侧壁的截面为折线，所述截面垂直于所述承载面。本公开能减少发光二极管的侧面出光，提升亮度。提升亮度。提升亮度。

【技术实现步骤摘要】
提升亮度的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种提升亮度的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层和两个电极，外延层位于衬底上，两个电极分别与外延层中不同的半导体层相连。向两个电极通电后即可控制外延层发光，通常外延层中发出的大部分光线会从外延层的出光面出射，而射向外延层的侧壁的光线则会被浪费。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，能减少发光二极管的侧面出光，提升亮度。所述技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种提升亮度的发光二极管，所述发光二极管包括：衬底和位于所述衬底的承载面的外延层；所述外延层的侧壁的截面为折线，所述截面垂直于所述承载面。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)和位于所述衬底(10)的承载面的外延层(20)；所述外延层(20)的侧壁的截面为折线，所述截面垂直于所述承载面。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层(20)的侧壁内凹，所述折线包括至少两个线段(201)，所述两个线段(201)相连呈V型。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相连的两个所述线段(201)之间的夹角为60
°
至120
°
。4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层(20)包括依次层叠于所述承载面的第一半导体层(21)、发光层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的表面具有露出所述第一半导体层(21)的凹槽(24)；所述发光二极管还包括至少两个电极(30)，至少一个所述电极(30)位于所述第二半导体层(23)的表面，至少一个所述电极(30)位于所述凹槽(24)内且位于所述第一半导体层(21)的表面。5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括至少两个电极(30)，至少一个所述电极(30)位于所述外延层(20)远离所述衬底(10)的表面，至少一个所述电极(30)位于所述衬底(10)远离所述外延层(20)的表面。6.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底的承载面上形成外延层，所述外延层的侧壁的截面为折线，所述截面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张圣君，冯岩，王聪，汪国华，蒯亮，王江波，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：