脱层缺陷的边缘轮廓检验制造技术

可执行对半导体晶片图像的轮廓图像的检验，以便检测晶片边缘附近的脱层。为了估计参考图像，确定无缺陷轮廓边缘，并且从所述无缺陷轮廓边缘产生所述参考图像。从所述参考图像及所述轮廓图像确定差图像。在二值化之后，对所述差图像执行检验。所述差图像执行检验。所述差图像执行检验。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】脱层缺陷的边缘轮廓检验
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张于2021年4月19日提出申请的印度专利申请案及经受让申请案第202141017914号的优先权，所述申请案的公开内容由此以引用方式并入。


[0003]本公开涉及半导体检验。

技术介绍

[0004]半导体制造业的演进对合格率管理，尤其对计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸继续收缩，但行业需要缩短用于实现高合格率、高价值生产的时间。最小化从检测合格率问题到解决所述问题的总时间可最大化半导体制造者的投资回报。
[0005]制作例如逻辑及存储器装置等半导体装置通常包含使用大量制作工艺来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是一种涉及将图案从光罩转印到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可将单个半导体晶片上所制作的多个半导体装置的布置分离到个别半导体装置中。
[0006]经接合(或经堆叠)晶片频繁用于半导体工业中。接合到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在处理器处接收半导体晶片的边缘的轮廓图像；使用所述处理器从所述轮廓图像估计参考图像，其中所述估计包含：确定无缺陷轮廓边缘；及使用所述无缺陷轮廓边缘来产生所述参考图像；使用所述处理器来确定所述参考图像与所述轮廓图像之间的差图像；使用所述处理器将所述差图像二值化；以及在所述二值化之后，使用所述处理器在所述差图像中检验缺陷。2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述无缺陷轮廓边缘包含：将所述轮廓图像二值化；从所述轮廓图像移除条纹；在所述二值化及所述移除条纹之后，提取所述轮廓图像的边缘以产生边缘图像；及移除所述边缘图像中的缺陷。3.根据权利要求2所述的方法，其中移除所述边缘图像中的所述缺陷包含：接收所述边缘图像；使用分段多项式拟合来估计所述边缘图像中的边缘，由此产生经估计边缘图像；及移除所述边缘图像与所述经估计边缘图像之间的不匹配点，由此产生所述无缺陷轮廓边缘。4.根据权利要求3所述的方法，其中估计所述边缘及移除所述不匹配点被重复。5.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述参考图像包含：接收所述无缺陷轮廓边缘；将距离变换应用于所述无缺陷轮廓边缘，由此产生距离变换图像；从所述轮廓图像提取超出所述距离变换图像的边缘一距离的像素，由此产生经提取轨迹；及将一维平均滤波器应用于所述经提取轨迹上。6.根据权利要求5所述的方法，其中提取所述像素及应用所述一维平均滤波器被重复，直到所述距离小于阈值为止。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述估计即时发生。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括在估计所述参考图像之前使用所述处理器来预处理所述轮廓图像，且其中所述预处理包含翻转所述轮廓图像。9.一种存储程序的非暂时性计算机可读媒体，所述程序经配置以指令处理器执行根据权利要求1所述的方法。10.一种系统，其包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：