【技术实现步骤摘要】
掩模的制造方法和掩模
[0001]本专利技术的实施方式涉及掩模的制造方法和掩模。
技术介绍
[0002]有机EL显示装置等有机器件受到关注。作为形成有机器件的元件的方法，已知通过蒸镀使构成元件的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有第1电极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在第1电极上，在第1电极上形成有机层。接着，在有机层上形成第2电极。
[0003]作为掩模的制造方法，已知蚀刻金属板等基材而形成贯通孔的方法。制造方法具备：使用曝光掩模将基材上的抗蚀剂层曝光的步骤；和经由被曝光和显影的抗蚀剂层对基材进行蚀刻的步骤。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第3539597号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]作为降低有机器件的制造成本的手段之一，可考虑基板的大型化。若基板大型化，则掩模也大型化，用于制造掩模的制造设备也大型化。例如，为了制造与第8代基板对应的掩模...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造方法，其为掩模的制造方法，其中，所述掩模具备：在第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于所述第1端部与第2端部之间并包含贯通孔组的中间部，所述制造方法具备：中间部形成步骤，在原始基材形成所述中间部的外缘和所述贯通孔组；第1端部形成步骤，在所述原始基材形成所述第1端部的外缘；和第2端部形成步骤，在所述原始基材形成所述第2端部的外缘，所述中间部形成步骤包含：使用第1曝光掩模将所述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的所述抗蚀剂层对所述原始基材进行蚀刻的工艺，所述第1端部形成步骤包含：使用第2曝光掩模将所述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的所述抗蚀剂层对所述原始基材进行蚀刻的工艺；或者包含：使用激光对所述原始基材进行加工的工艺。2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第2端部形成步骤包含：使用第3曝光掩模将所述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的所述抗蚀剂层对所述原始基材进行蚀刻的工艺；或者包含：使用激光对所述原始基材进行加工的工艺。3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述第1曝光掩模具有包含第1边和第2边的矩形，所述第1边为1250mm以上，所述第2边为1100mm以上。4.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述原始基材的厚度为40μm以下。5.一种掩模，该掩模具备：基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和贯通孔组，贯通所述基材，在俯视时，所述掩模具备：在所述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于所述第1端部与第2端部之间并包含所述贯通孔组的中间部，所述第1侧缘包含位于所述第1端部与所述中间部的边界并在与所述第1方向正交的第2方向上位移的第1台阶部，所述第2方向上的所述第1台阶部的尺寸为1mm以下，所述第1端部包含位于所述第1面或所述第2面的第1标记。6.如权利要求5所述的掩模，其中，所述第2方向上的所述第1台阶部的尺寸为2.5μm以上。7.如权利要求5或6所述的掩模，其中，所述第1台阶部是在朝向所述第1方向外侧时在所述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部。8.如权利要求5或6所述的掩模，其中，所述第1台阶部是在朝向所述第1方向外侧时在所述第2方向上向内侧位移的内侧台阶部。9.如权利要求5或6所述的掩模，其中，所述第2侧缘包含位于所述第1端部与所述中间部的边界并在与所述第1方向正交的第2方向上位移的第2台阶部，
所述第2方向上的所述第2台阶部的尺寸为1mm以下。10.如权利要求9所述的掩模，其中，所述第1台阶部和所述第2台阶部是在朝向所述第1方向外侧时在所述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部。11.如权利要求9所述的掩模，其中，所述第1台阶部和所述第2台阶部是在朝向所述第1方向外侧时在所述第2方向上向内侧位移的内侧台阶部。12.如权利要求9所述的掩模，其中，所述第1台阶部是在朝向所述第1方向外侧时在所述第2方向上向外侧位移的外侧台阶...
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