一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺制造技术

一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，包括N

【技术实现步骤摘要】
一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺


[0001]本专利技术涉及电子元器件


技术介绍

[0002]在小功率脉冲发生器中，晶闸管因有相对较高的功率能力，仍获得广泛应用。传统的晶闸管通常采用中心控制极结构或边控制极结构，如图1和图2所示，这种结构开关时间长，di/dt耐量低，难以满足更高的应用要求，极易出现局部烧毁的情况。

技术实现思路

[0003]为了克服传统晶闸管结构存在的上述问题，本专利技术提供了一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺。
[0004]本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是：一种反馈控制极结构的晶闸管，包括N
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型辅助晶闸管L状阴极区1和N
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型主晶闸管梳状阴极区2，N
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型辅助晶闸管L状阴极区1位于芯片一角，N
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型辅助晶闸管L状阴极区1和N
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型主晶闸管梳状阴极区2之间设有N
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型反馈隔离条3，N
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型辅助晶闸管L状阴极区1内分布设有第一P型短路点4，N
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，其特征在于：包括N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）和N
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型主晶闸管梳状阴极区（2），N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）位于芯片一角，N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）和N
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型主晶闸管梳状阴极区（2）之间设有N
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型反馈隔离条（3），N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）内分布设有第一P型短路点（4），N
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型主晶闸管梳状阴极区（2）内分布设有第二P型短路点（5），N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）、N
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型主晶闸管梳状阴极区（2）、N
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型反馈隔离条（3）和芯片边界之间构成P型区（6）。2.根据权利要求1所述的一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，其特征在于：所述P型区（6）与N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）之间设有门极区（7）。3.根据权利要求1所述的一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，其特征在于：所述N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）上，以及N
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型辅助晶闸管L状阴极区（1）、N
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型主晶闸管梳状阴极区（2）和N
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型反馈隔离条（3）之间的P型区（6）上设有梳状反馈控制极（8）。4.根据权利要求1所述的一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，其特征在于：所述反馈隔离条（3）的宽度0.1～0.2mm，长度0.2～1.0mm。5.根据权利要求3所述的一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬，
申请(专利权)人：彰武同创销售服务中心，
类型：发明
国别省市：