一种带V型槽的全纺织带宽增强半模衬底集成腔天线制造技术

一种带V型槽的全纺织带宽增强半模衬底集成腔天线，包括导电顶面、介质衬底和导电底面；介质衬底覆盖在导电底面的上表面；所述介质衬底中嵌入有导电侧壁，导电侧壁底端与导电底面连接、顶端与导电顶面连接；导电侧壁包括左侧导电侧壁、前侧导电侧壁和右侧导电侧壁，导电侧壁、导电顶面与导电底面之间形成半模衬底集成空腔，半模衬底集成空腔内设有馈电探针；导电顶面、导电底面、左侧导电侧壁、右侧导电侧壁之间形成辐射开口，辐射开口位于半模衬底集成空腔的后端；导电顶面靠近辐射开口的一侧设置有V型槽，V型槽与辐射开口相连通。该天线结构简单、尺寸较小、带宽较宽，可实现5G WLAN频段的全覆盖，适用于可穿戴设备的应用需求。适用于可穿戴设备的应用需求。适用于可穿戴设备的应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种带V型槽的全纺织带宽增强半模衬底集成腔天线


[0001]本专利技术属于无线通信
，具体涉及一种带V型槽的全纺织带宽增强半模衬底集成腔天线。

技术介绍

[0002]近年来，可穿戴天线已被研究并应用于各种领域，包括医疗监测、运动训练、国防和安全。织物天线由导电和非导电织物材料制成，因其高柔韧性、低重量和易集成到服装中而适合可穿戴的应用。如何在人体上放置织物天线是一个亟需解决的问题。首先，这种天线必须是低剖面的设计，以便于能集成到衣服中；其次，要易于制造、轻巧、灵活、机械耐用，并且对人体的日常活动影响最小。
[0003]由于衬底集成波导(SIW)天线具有平面结构好、制造成本低、低损耗的优点，在传统的技术中被广泛研究，但是SIW天线的缺点之一就是尺寸较大，因而无法适用于可穿戴设备。半模衬底集成空腔(HMSIC)天线由SIW天线发展而来，其是在SIW天线的基础上，通过引入电或磁的对称性，使得整体的结构减少了一半。但是，由于HMSIC天线具有单一谐振模式，因此其阻抗带宽很窄，无法适用于更高传输的要求。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带V型槽的全纺织带宽增强半模衬底集成腔天线，包括导电顶面(3)、介质衬底(4)和导电底面(5)；所述介质衬底(4)覆盖在导电底面(5)的上表面，导电顶面(3)位于介质衬底(4)前半部分的上表面；其特征在于，所述介质衬底(4)中嵌入有导电侧壁(7)，导电侧壁(7)的底端与导电底面(5)连接、顶端与导电顶面(3)连接；所述导电侧壁(7)由高度相平齐的左侧导电侧壁(71)、前侧导电侧壁(72)和右侧导电侧壁(73)组成，所述左侧导电侧壁(71)和右侧导电侧壁(73)均为长条形结构且尺寸相等并平行设置，其长度方向均沿前后方向延伸；所述前侧导电侧壁(72)为长条形结构，其长度方向沿左右方向延伸，且两端分别与左侧导电侧壁(71)的前端和右侧导电侧壁(73)的前端固定连接；所述导电顶面(3)、导电底面(5)与导电侧壁(7)之间形成半模衬底集成空腔(1)；所述半模衬底集成空腔(1)内设置有馈电探针(6)并嵌入在介质衬底(4)中，所述馈电探针(6)为铜质圆柱，其顶端与导电顶面(3)连接，其底端通过绝缘连接件与介质衬底(4)的下表面固定连接；所述导电顶面(3)、导电底面(5)、左侧导电侧壁(71)、右侧导电侧壁(73)之间形成辐射开口(8)，辐射开口(8)位于半模衬底集成空腔(1)的后端；所述导电顶面(3)靠近辐射开口(8)的一侧设置有V型槽(2)，所述V型槽(2)与辐射开口(8)相连通。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘逢雪，孟凡宇，毛满，蒋天语，毛俊稀，葛建明，
申请(专利权)人：江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：