一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，属于电离辐射计量技术领域，该装置包括带快门的源容器和铅屏蔽体，源容器可通过源容器射线出射口产生辐射束；铅屏蔽体贴近快门，其外层有钢制包壳，铅屏蔽体靠上位置中轴线上开设有圆形的铅屏蔽体射线出射口，且贯通铅屏蔽体及钢制包壳；该装置还包括主支架，主支架上设有导轨，导轨上装有滑块，铅屏蔽体固定在滑块上；主支架上端设有顶部支架，顶部支架上设有电机，电机输出轴端通过尼龙绳连接电磁铁，电磁铁与铅屏蔽体的上端面通过磁力连接。使用本发明专利技术提供的装置能够产生不同脉冲宽度的脉冲γ辐射，为临界安全报警仪以及其他相关仪器的研发、校准检定等工作提供可靠的脉冲辐射场。辐射场。辐射场。

【技术实现步骤摘要】
一种基于自由落体产生
γ
脉冲辐射的装置


[0001]本专利技术属于电离辐射计量
，具体为一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置。

技术介绍

[0002]脉冲γ辐射是一种比较特殊的核辐射，其测量比较困难。在临界安全事故中，需要对脉冲γ辐射进行探测并报警来提醒人员安全撤离，但由于目前缺乏能够产生脉冲宽度在毫秒量级的脉冲γ辐射的装置，因此临界安全报警仪和其他相关仪器的可靠性一直无法得到充分验证。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，利用该装置能够产生不同脉冲宽度的脉冲γ辐射，为临界安全报警仪以及其他相关仪器的研发、校准检定等工作提供可靠的脉冲辐射场。
[0004]为达到以上目的，本专利技术采用的一种技术方案是：
[0005]一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，包括：源容器和铅屏蔽体，所述源容器侧壁上开设有圆形的源容器射线出射口，所述源容器射线出射口外设置有快门，所述源容器可通过所述源容器射线出射口产生辐射束；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，其特征在于，所述装置包括：源容器(11)和铅屏蔽体(8)，所述源容器(11)侧壁上开设有圆形的源容器射线出射口(10)，所述源容器射线出射口(10)外设置有快门(9)，所述源容器(11)可通过所述源容器射线出射口(10)产生辐射束；所述铅屏蔽体(8)贴近所述快门(9)，所述铅屏蔽体(8)外层有钢制包壳，所述铅屏蔽体(8)靠上的位置中轴线上开设有圆形的铅屏蔽体射线出射口(7)，所述铅屏蔽体射线出射口(7)贯通所述铅屏蔽体(8)及所述钢制包壳；所述装置还包括主支架(5)，所述主支架(5)上设置有导轨(12)，所述导轨(12)上安装有滑块(6)，所述铅屏蔽体(8)固定在所述滑块(6)上，可沿所述导轨(12)上下移动，从而使所述铅屏蔽体射线出射口(7)的圆心轴可与所述源容器射线出射口(10)的圆心轴在设定时刻重合；所述主支架(5)上端设置有顶部支架(2)，所述顶部支架(2)上固定设置有电机(1)，所述电机(1)的输出轴端通过尼龙绳(3)连接电磁铁(4)，所述电磁铁(4)与所述铅屏蔽体(8)的上端面通过磁力连接，通过所述电机(1)的旋转实现对所述铅屏蔽体(8)的提升。2.根据权利要求1所述的基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，其特征在于，所述铅屏蔽体射线出射口(7)和所述源容器射线出射口(10)的直径相等。3.根据权利要求2所述的基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，其特征在于，通过下式计算得到所需要γ脉冲的脉冲宽度：其中，T为所需要γ脉冲的脉冲宽度，d为所述铅屏蔽体射线出射口(7)以及所述源容器射线出射口(10)的直径，v为所述铅屏蔽体(8)在脉冲产生前一瞬间的运动速度。4.根据权利要求3所述的基于自由落体产生γ脉冲辐射的装置，其特征在于，根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李蔚铭，赵元昊，王桢，段嘉宇，张大可，王天亮，韦应靖，唐智辉，
申请(专利权)人：中国辐射防护研究院，
类型：发明
国别省市：