一种导电玻璃及其制备方法技术

一种导电玻璃及其制备方法，涉及微电子封装技术领域。该导电玻璃的制备方法包括提供玻璃基底；将金属丝加热至预设温度，其中，预设温度高于玻璃基底的熔点、低于金属丝的熔点；将加热后的金属丝沿玻璃基底的厚度方向插入玻璃基底，直至金属丝的插入端露出于玻璃基底的下表面；平坦化玻璃基底的下表面和与下表面相对的上表面。该导电玻璃的制备方法，采用高温金属丝穿透玻璃基底，再对玻璃基底进行平坦化操作即可得到导电玻璃，操作简单，且得到的导电玻璃气密性较高，不易存在空心断路、漏填充、金属脱落等问题。此外，相比于现有技术，省略了电镀和导电浆料填充的步骤，不易污染环境。不易污染环境。不易污染环境。

【技术实现步骤摘要】
一种导电玻璃及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子封装
，具体而言，涉及一种导电玻璃及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，芯片与电子产品中高性能、高可靠性、高密度集成的强烈需求催生了3D封装技术并使其成为集成电路发展的主要推动力量之一。传统的平面化2D封装已经无法满足高密度、轻量化、小型化的强烈需求。玻璃金属穿孔(Through Glass Via，TGV)是一种应用于圆片级真空封装领域的新兴纵向互连技术，为实现芯片与芯片之间距离最短、间距最小的互联提供了一种新型技术途径，具有优良的电学、热学、力学性能，在射频芯片、高端微电机系统传感器、高密度系统集成等领域具有独特优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。
[0003]现有的TGV导电玻璃制备方法一般是先通过激光打孔或者是超声波打孔等方式在玻璃基片上加工出玻璃通孔阵列，然后再通过丝网印刷导电浆料(金浆，银浆，铜浆，碳浆)或者电镀铜的方式进行金属化填充。上述制备方法需要先打孔再灌孔，存在空心断路、漏填充、金属脱落、气密性差的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种导电玻璃及其制备方法，已解决现有的导电玻璃存在空心断路、漏填充、金属脱落、气密性差的技术问题。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0006]本专利技术实施例提供一种导电玻璃的制备方法，包括提供玻璃基底；将金属丝加热至预设温度，其中，预设温度高于玻璃基底的熔点、低于金属丝的熔点；将加热后的金属丝沿玻璃基底的厚度方向插入玻璃基底，直至金属丝的插入端露出于玻璃基底的下表面；平坦化玻璃基底的下表面和与下表面相对的上表面。
[0007]可选地，金属丝为钨丝。
[0008]可选地，玻璃基底的熔点为400℃
‑
700℃，预设温度为1000℃～1200℃。
[0009]可选地，玻璃基底的厚度小于1mm。
[0010]可选地，将金属丝加热至预设温度，其中，预设温度高于玻璃基底的熔点、低于金属丝的熔点包括：对金属丝通电，以将金属丝加热至预设温度，其中，预设温度高于玻璃基底的熔点、低于金属丝的熔点。
[0011]可选地，将加热后的金属丝沿玻璃基底的厚度方向插入玻璃基底，直至金属丝的插入端露出于玻璃基底的下表面包括：采用插线机将加热后的金属丝沿玻璃基底的厚度方向插入玻璃基底，直至金属丝的插入端露出于玻璃基底的下表面。
[0012]可选地，平坦化玻璃基底的下表面和与下表面相对的上表面包括：采用化学机械抛光的方式平坦化玻璃基底的下表面和与下表面相对的上表面。
[0013]可选地，玻璃基底的尺寸大于预设产品的尺寸；平坦化玻璃基底的下表面和与下
表面相对的上表面之后，方法还包括：切割平坦化后的玻璃基底，以使玻璃基底的尺寸与预设产品的尺寸相同。
[0014]可选地，切割平坦化后的玻璃基底，以使玻璃基底的尺寸与预设产品的尺寸相同包括：采用激光切割平坦化后的玻璃基底，以使玻璃基底的尺寸与预设产品的尺寸相同。
[0015]本专利技术实施例还提供一种导电玻璃，采用如上任意一项的导电玻璃的制备方法制备得到，导电玻璃包括玻璃基底和设置在玻璃基底内部的金属丝，金属丝的延伸方向平行于玻璃基底的厚度方向，金属丝的两端分别与玻璃基底的上表面和下表面平齐，金属丝的外壁与玻璃基底相贴合。
[0016]本专利技术实施例的有益效果包括：
[0017]本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法，包括提供玻璃基底；将金属丝加热至预设温度，其中，预设温度高于玻璃基底的熔点、低于金属丝的熔点；将加热后的金属丝沿玻璃基底的厚度方向插入玻璃基底，直至金属丝的插入端露出于玻璃基底的下表面；平坦化玻璃基底的下表面和与下表面相对的上表面。上述导电玻璃的制备方法，采用高温金属丝穿透玻璃基底，再对玻璃基底进行平坦化操作即可得到导电玻璃，操作简单，且得到的导电玻璃气密性较高，不易存在空心断路、漏填充、金属脱落等问题。此外，相比于现有技术，省略了电镀和导电浆料填充的步骤，不易污染环境。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法的流程图之一；
[0020]图2为本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法的操作示意图；
[0021]图3为本专利技术实施例提供的导电玻璃的结构示意图；
[0022]图4为本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法的流程图之二；
[0023]图5为本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法的流程图之三；
[0024]图6为本专利技术实施例提供的导电玻璃的制备方法的流程图之四。
[0025]图标：100
‑
导电玻璃；110
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玻璃基底；111
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上表面；112
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下表面；120
‑
金属丝；121
‑
插入端；130
‑
插线机。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范
围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0031]请参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括：提供玻璃基底；将金属丝加热至预设温度，其中，所述预设温度高于所述玻璃基底的熔点、低于所述金属丝的熔点；将加热后的所述金属丝沿所述玻璃基底的厚度方向插入所述玻璃基底，直至所述金属丝的插入端露出于所述玻璃基底的下表面；平坦化所述玻璃基底的下表面和与所述下表面相对的上表面。2.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述金属丝为钨丝。3.根据权利要求2所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述玻璃基底的熔点为400℃
‑
700℃，所述预设温度为1000℃～1200℃。4.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述玻璃基底的厚度小于1mm。5.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述将金属丝加热至预设温度，其中，所述预设温度高于所述玻璃基底的熔点、低于所述金属丝的熔点包括：对所述金属丝通电，以将所述金属丝加热至预设温度，其中，所述预设温度高于所述玻璃基底的熔点、低于所述金属丝的熔点。6.根据权利要求1所述的导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述将加热后的所述金属丝沿所述玻璃基底的厚度方向插入所述玻璃基底，直至所述金属丝的插入端露出于所述玻璃基底的下表面包括：采用插线机将加热后...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁伟，土克旭，金利剑，
申请(专利权)人：浙江水晶光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：