一种电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种电子装置及其制造方法，该制造方法包括：提供一第一载体；在第一载体的第一表面上形成第一组件，第一组件包括电连接结构；提供一第二载体；在第二载体的第一表面上形成第一保护层；在第一保护层上形成第二组件；将第一组件和第二组件通过键合结构连接在一起；去除第二载体；在第一保护层中至少形成露出第一组件的电连接结构的第一开口；在第一保护层上形成封盖层；图形化封盖层，以在封盖层中至少形成第二开口，第二开口和所述第一开口相互贯通，第二开口不采用硅通孔工艺制备。第二开口不采用硅通孔工艺制备。第二开口不采用硅通孔工艺制备。

【技术实现步骤摘要】
一种电子装置及其制造方法


[0001]本公开涉及电子领域，更具体而言，涉及一种电子装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]衬底上可以形成各种各样的半导体装置、微机电系统装置。随着半导体装置和微机电系统装置物理结构复杂性的增加，现有技术中经常使用具有空腔的半导体装置和微机电系统装置。
[0003]以薄膜体声波谐振器为例，图1为现有薄膜体声波谐振器的一种结构示意图。如图1中所示，薄膜体声波谐振器包括衬底100、空腔101、下电极102、压电层103以及上电极104，其中下电极102、上电极104和压电层103形成“三明治”结构，在制备薄膜体声波谐振器的过程中，该“三明治”结构先覆盖在填充有牺牲材料的空腔101中，在完成后续制造工序后，再去除牺牲材料，以释放空腔101。在填充牺牲材料时，通常牺牲材料共形沉积在衬底100的上表面上，因此需要对衬底100的上表面进行诸如化学机械抛光的平坦化工序，以去除空腔101以外的牺牲材料。具有空腔101的器件在制造中需要增加多道复杂的工艺步骤，释放牺牲材料以形成空腔101的工序常常导致工艺难度增加，且存在牺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一第一载体；在所述第一载体的第一表面上形成第一组件，所述第一组件包括电连接结构；提供一第二载体；在所述第二载体的第一表面上形成第一保护层；在所述第一保护层上形成第二组件；将所述第一组件和所述第二组件通过键合结构连接在一起；去除所述第二载体；在所述第一保护层中至少形成露出所述第一组件的电连接结构的第一开口；在所述第一保护层上形成封盖层；图形化所述封盖层，以在所述封盖层中至少形成第二开口，所述第二开口和所述第一开口相互贯通，所述第二开口不采用硅通孔工艺制备。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述封盖层与所述第二组件的背面之间形成有空腔，所述第一组件和第二组件具有共用的密闭空腔区域。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一保护层的图形化是单独进行的。4.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一第一载体；在所述第一载体的第一表面上形成具有有源区的第一组件；提供一第二载体；在所述第二载体的第一表面上形成第一保护层；在所述第一保护层上形成具有有源区的第二组件；将所述第一组件和所述第二组件通过键合结构连接在一起；去除所述第二载体；在所述第一保护层上形成封盖层；图形化所述封盖层，以在所述封盖层与所述第二组件的背面之间形成空腔，所述第一组件和第二组件具有共用的密闭空腔区域。5.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于：所述封盖层由干膜或聚酰亚胺制成。6.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于：所述第一组件或所述第二组件上形成第二保护层，所述第二保护层上形成所述键合结构，所述键合结构布满所述第一组件或所述第二组件的非有源区，所述键合结构没有形成在第一载体或第二载体的划线道区域上。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述封盖层是由垫高层和密封层构成的；所述载体由玻璃材料制成。8.一种电子器件，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：