一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路制造技术

本发明专利技术提供了一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、Q2、N1和激光二极管LD1。本发明专利技术MCU最小系统是电路核心，在准备测距之前发送信号使充电停止，防止测距过程中电流冲击噪声对系统产生的干扰，有效解决在激光测距中，电容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生的干扰，以保持测距系统的稳定性。以保持测距系统的稳定性。以保持测距系统的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路


[0001]本专利技术属于激光测距领域，涉及电容充电控制电路，具体涉及一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路。

技术介绍

[0002]在激光测距的激光光电转换模块中，激光器采用LD泵浦Nd：YAG晶体结合被动调Q技术实现脉冲激光输出，腔外楔形镜微调激光器出射的激光方向,出光探测器通过探测输出激光的漫反射光触发控制电路开始计时，发射光学系统将激光扩束准直到较小的束散角预定值，接收光学系统收集从目标反射回来的回波信号聚集到光电探测器APD的感光面上，经过光电信号转换后，触发控制电路停止计时，通过光速换算停止测距。
[0003]在激光测距过程中，需要储能电容放电以驱动光电转换模块，储能电容需要较高电容充电电压；储能电容在充电时会产生一个较大的电流冲击噪声，若在测距过程中，该电流冲击噪声可能会对系统产生干扰，因此需要一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为解决上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供了一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，有效解决在激光测距中，电容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生的干扰，以保持测距系统的稳定性。
[0005]为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，所述MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，所述MCU最小系统控制电容充电控制电路、电容充电及驱动电路停止电容充电，从而避免容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生干扰；所述电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，通用逻辑门芯片U8的1脚为B端且经电阻R22分为两条支路，其中一条支路与连接MCU最小系统的信号TRI+的25脚相连，另一条支路经电阻R2接地，通用逻辑门芯片U8的2脚为A端与MCU最小系统的信号TRI_EN的 39脚相连，通用逻辑门芯片U8的2脚还经电阻R20接地，通用逻辑门芯片U8的3脚接地，通用逻辑门芯片U8的4脚为Y端经电阻R24接地输出信号FIRE，通用逻辑门芯片U8的5脚为VCC端并接供电电压；所述电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管N1和激光二极管LD1，所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端连接信号FIRE，通用逻辑门芯片U9的4脚、5脚之间连接设有电阻R29，通用逻辑门芯片U9的4脚为Y端经电阻R30与三极管Q3基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极通过电阻R28、电阻R27与MOS管Q2的栅极连接，电阻R27通过电阻R26连接MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的漏极
还经过电容C39接保护地，所述MOS管Q2的源极经串联的电阻R31、激光二极管LD1与MOS管N1的漏极连接，激光二极管LD1与电容C41、C42并联，电容C43、44、45、46、47、48并联后的一端分别与电容C42、电源LDA+连接，另一端接保护地，MOS管N1的源极通过电阻RS1接地，MOS管N1的栅极分别通过电阻R33与驱动器U10的2脚连接、通过电阻R32与驱动器U10的3脚连接，驱动器U10的1脚接电源正极+15V，还通过电容C49接地，驱动器U10的6脚连接信号TRI+。
[0006]进一步的，所述通用逻辑门芯片U8型号为NL17SZ08DFT2G。
[0007]进一步的，所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。
[0008]进一步的，所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端且连接MCU最小系统FIRE端口，通用逻辑门芯片U9的1脚为B端连接供电电压，5脚连接供电电压。
[0009]进一步的，所述供电电压为+3.3V。
[0010]进一步的，所述MOS管Q2的漏极连接电源正极+47V。
[0011]进一步的，所述MCU最小系统的5脚和6脚与晶振Y2相连后接地，MCU最小系统的5脚与电容C38相连后接地，MCU最小系统的6脚和电容C37相连后接地。
[0012]进一步的，所述MCU最小系统的7脚为复位端口，MCU最小系统的1脚用于连接供电电压。
[0013]进一步的，所述MCU最小系统的8脚为接地，44脚和电阻R23相连后接地。
[0014]进一步的，所述MCU最小系统连接有调试接口。
[0015]本专利技术的有益效果是：本专利技术的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，有效解决在激光测距中，电容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生的干扰，以保持测距系统的稳定性。从而提高激光测距产品在各种供电环境的适应性，大大提高了响应速度、灵敏度、安全性。本专利技术满足在各种极端条件的环境下进行测试，实现完全自适应的最优化处理；本专利技术中，MCU最小系统是电路核心，在准备测距之前发送信号使充电停止，防止测距过程中电流冲击噪声对系统产生的干扰；各个模块和电路相互配合，逻辑紧密，响应高效、快速，自适应能力强。
[0016]其中，电容充电控制电路为程序可控、可调节电路，当激光测距时，MCU发送信号使电容停止充电，使系统工作在最佳状态。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术的整体原理框图；图2为本专利技术电容充电控制电路的电路原理图；图3为本专利技术电容充电及驱动电路的电路原理图；图4为MCU最小系统的原理图。
具体实施方式
[0019]下面给出具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步清楚、完整、详细地说明。本实施例是以本专利技术技术方案为前提的最佳实施例，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。
[0020]具体实施方式：一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，如图1所示，包括电容充电控制电路、电容充电及驱动电路及MCU最小系统，所述MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，所述MCU最小系统控制电容充电控制电路、电容充电及驱动电路停止电容充电，从而避免容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生干扰；如图2所示，所述电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，通用逻辑门芯片U8的1脚为B端且经电阻R22分为两条支路，其中一条支路与连接MCU最小系统的信号TRI+的25脚相连，另一条支路经电阻R2接地，通用逻辑门芯片U8的2脚为A端与MCU最小系统的信号TRI_EN的 39脚相连，通用逻辑门芯片U8的2脚还经电阻R20接地，通用逻辑门芯片U8的3脚接地，通用逻辑门芯片U8的4脚为Y端经电阻R24接地，通用逻辑门芯片U8的5脚为VCC端并接供电电压；所述电容充电控制电路为程序可控、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，其特征在于：还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，所述MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，所述MCU最小系统控制电容充电控制电路、电容充电及驱动电路停止电容充电，从而避免容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生干扰；所述电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，通用逻辑门芯片U8的1脚为B端且经电阻R22分为两条支路，其中一条支路与连接MCU最小系统的信号TRI+的25脚相连，另一条支路经电阻R2接地，通用逻辑门芯片U8的2脚为A端与MCU最小系统的信号TRI_EN的 39脚相连，通用逻辑门芯片U8的2脚还经电阻R20接地，通用逻辑门芯片U8的3脚接地，通用逻辑门芯片U8的4脚为Y端经电阻R24接地输出信号FIRE，通用逻辑门芯片U8的5脚为VCC端并接供电电压；所述电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管N1和激光二极管LD1，所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端连接信号FIRE，通用逻辑门芯片U9的4脚、5脚之间连接设有电阻R29，通用逻辑门芯片U9的4脚为Y端经电阻R30与三极管Q3基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极通过电阻R28、电阻R27与MOS管Q2的栅极连接，电阻R27通过电阻R26连接MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的漏极还经过电容C39接保护地，所述MOS管Q2的源极经串联的电阻R31、激光二极管LD1与MOS管N1的漏极连接，激光二极管LD1与电容C41、C42并联，电容C43、44、45、46、47、48并联后的一端分别与电容C42、电源LDA+连接，另一端接保护地，MOS管N1的源极通过电阻RS1接地，MOS管N1的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：董涛，崔息戈，张国雷，裴淑曼，郭凯凯，王明义，樊宏恩，郑夏雨，李君，范兴鸽，黄哲，
申请(专利权)人：洛阳顶扬光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：