一种变压器隔离的SiCMOS驱动电路制造技术

本发明专利技术属于MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路，包括隔离变压器，所述隔离变压器的原边绕组为控制波形输入端，所述隔离变压器的副边绕组有中间抽头，中间抽头连接输出端子S；隔离变压器副边绕组的另外两个抽头中的一个抽头通过第一整流二极管与输出端子G连接；隔离变压器副边绕组的最后一个抽头通过第二整流二极管与小功率放电SiCMOS管的栅极相连；小功率放电MOS管的漏极与输出端子G连接；小功率放电MOS管的源极与栅极之间并联电阻；输出端子G和输出端子S之间并联电容。能够解决现有的变压器隔离的MOS驱动电路体积大、成本高且不适合在较低频率和占空比范围变化较大的情况下使用的问题。占空比范围变化较大的情况下使用的问题。占空比范围变化较大的情况下使用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路


[0001]本专利技术属于MOS管驱动
，尤其涉及变压器隔离的能够实现频率较低和占空比范围较大情况下的一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路。

技术介绍

[0002]MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管是一种全控型开关器件，属于FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的一种，具有开关速度快、体积小、易于并联、容易控制等优点，已经被广泛应用于电源、功放、电机驱动等诸多领域。SiC(碳化硅)是一种新型的半导体材料，SiC MOS是基于SiC材料的新型半导体开关器件。SiC MOS与传统MOS开关器件相比具有耐高温、耐高压、体积小、导通电阻低、开关速度快、无需负压关断等优点，在航空电源、电动汽车、石油测井仪器等尖端领域得到了广泛应用。
[0003]MOS管的驱动方式分为隔离和非隔离两大类，其中隔离驱动中变压器隔离的MOS驱动具有结构简单、稳定可靠等优势，应用十分广泛。但是，现有的变压器隔离的MOS驱动技术也有其局限。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路，其特征在于，该驱动电路包括：隔离变压器，所述隔离变压器的原边绕组为控制波形输入端，所述隔离变压器的副边绕组有中间抽头，中间抽头连接输出端子S；隔离变压器副边绕组的另外两个抽头中的一个抽头通过第一整流二极管与输出端子G连接；隔离变压器副边绕组的最后一个抽头通过第二整流二极管与小功率放电SiC MOS管的栅极相连；小功率放电MOS管的漏极与输出端子G连接；小功率放电MOS管的源极与栅极之间并联电阻；输出端子G和输出端子S之间并联电容。2.按照权利要求1所述的变压器隔离的SiC MOS驱动电路，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚新磊，赵岩，王美婷，徐琳琳，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：