【技术实现步骤摘要】
聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板
[0001]本专利技术涉及一种聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板。
技术介绍
[0002]近年来,伴随电气、电子设备的高性能、高功能化而要求信息的高速传输化,对于这些中所使用的零件或构件,也要求应对高速传输。在传输高频信号的情况下,容易产生电信号的损耗或信号的延迟时间变长等不良情况,因此针对高频设备中所使用的柔性印刷基板(柔性印刷电路板(FPC:Flexible Printed Circuits))等电路基板,正在进行改善以具有应对高速传输化的电特性。因此,针对用作FPC材料的聚合物,也进行了降低介电损耗角正切以降低传输损耗的研究。
[0003]作为介电损耗角正切低的聚合物的代表例,可列举氟系树脂、液晶聚合物(liquid crystal polymer,LCP)、改性聚酰亚胺(modified polyimide,MPI)。但是,氟系树脂在与低粗糙化铜箔的密接性或激光加工性、铜镀敷性等方面存在问题,LCP存在与低粗糙化铜箔的密接性低或难以进行多层化等问题。另外,关于MPI,虽然不存在氟系树脂或LCP那样的问题,但一般存在吸湿率或介电损耗角正切高的课题。
[0004]为了降低聚酰亚胺的介电损耗角正切,提出了在聚酰亚胺链中导入酯结构(例如,专利文献1)。另外,以低热膨胀性或低吸湿性等为目的,也提出了向聚酰亚胺链导入酯结构(例如,专利文献2~专利文献4)。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种聚酰胺酸,含有自酸二酐成分衍生的酸二酐残基及自二胺成分衍生的二胺残基,所述聚酰胺酸的特征在于,满足下述条件(i)~条件(iii);条件(i):含有相对于全部酸二酐残基而为25mol%以上的自下述式(1)所表示的酸二酐衍生的酸二酐残基,条件(ii):含有相对于全部二胺残基而为50mol%以上的自下述通式(2)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基,在式(2)中,Y独立地表示氢、碳数1~3的一价烃基或烷氧基,p及q独立地表示0~4的整数;条件(iii):相对于自全部单体成分衍生的全部单体残基,具有联苯骨架的单体残基的比例为65mol%以上。2.根据权利要求1所述的聚酰胺酸,其中,含有相对于全部二胺残基而为1mol%~50mol%的范围内的自下述通式(3)~通式(6)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基,在式(3)~式(6)中,R独立地表示碳数1~6的一价烃基、烷氧基或烷基硫基,连结基A独立地表示选自
‑
O
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
CH2‑
或
‑
C(CH3)2‑
中的二价基,连结基X独立地表示
‑
CH2‑
、
‑
O
‑
CH2‑
O
‑
、
‑
O
‑
C2H4‑
O
‑
、
‑
O
‑
C3H6‑
O
‑
、
‑
O
‑
C4H8‑
O
‑
、
‑
O
‑
C5H
10
‑
O
‑
、
‑
O
‑
CH2‑
C(CH3)2‑
CH2‑
O
‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
或
‑
SO2‑
,m独立地表示1~4的整数,n独立地表示0~4的整数,但在式(5)中,在连结基A不...
【专利技术属性】
技术研发人员:安藤智典,
申请(专利权)人:日铁化学材料株式会社,
类型:发明
国别省市:
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