显示装置制造方法及图纸

一种显示装置，包括：第一像素；第二像素，设置为与第一像素相邻；以及凹陷图案，当从顶部观察时，凹陷图案在第一像素与第二像素之间跨越。第一像素和第二像素中的每一者包括：第一电源电压线；发光元件；第一晶体管，连接在第一电源电压线与发光元件之间；第二晶体管，连接在第一晶体管与发光元件之间；以及第三晶体管，电连接到发光元件的第一电极。显示装置还包括限定第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管中的每一者的沟道的第一半导体层。第一像素的第二晶体管经由第一半导体层电连接到第二像素的第三晶体管。第一半导体层与位于第一像素与第二像素之间的凹陷图案重叠。与第二像素之间的凹陷图案重叠。与第二像素之间的凹陷图案重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本公开涉及一种显示装置。

技术介绍

[0002]随着信息化社会的发展，显示装置被广泛应用于各个领域。例如，显示装置正被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置所采用。
[0003]目前使用诸如液晶显示(“LCD”)装置和有机发光显示(“OLED”)装置的各种类型的显示装置作为这样的显示装置。在各种类型的显示装置之中，有机发光显示装置通过使用当电子和空穴复合时发射光的有机发光元件来显示图像。这种有机发光显示装置通常包括用于将驱动电流提供到有机发光元件的多个晶体管。

技术实现思路

[0004]由于显示装置被各种电子装置所采用，因此需要具有抵御(robust against)外部冲击的结构的显示装置。
[0005]本公开的实施例提供一种在具有抵御外部冲击的结构的同时具有用于设计像素电路的空间的显示装置。
[0006]根据本公开的实施例，一种显示装置包括：第一像素；第二像素，设置为与所述第一像素相邻；以及凹陷图案，当从顶部观察时，所述凹陷图案在所述第一像素和所述第二像素之间跨越。在这样的实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括：第一电源电压线；发光元件；第一晶体管，连接在所述第一电源电压线与所述发光元件之间；第二晶体管，连接在所述第一晶体管与所述发光元件之间；以及第三晶体管，电连接到所述发光元件的第一电极。在这样的实施例中，所述显示装置还包括第一半导体层，所述第一半导体层限定所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每一者的沟道。在这样的实施例中，所述第一像素的所述第二晶体管经由所述第一半导体层电连接到所述第二像素的所述第三晶体管。在这样的实施例中，所述第一半导体层与位于所述第一像素与所述第二像素之间的所述凹陷图案重叠。
[0007]在实施例中，所述第一半导体层可以包括将所述第一像素的所述第二晶体管和所述第二像素的所述第三晶体管连接的第一半导体连接图案和第二半导体连接图案。在这样的实施例中，所述第一半导体连接图案和所述第二半导体连接图案可以与所述凹陷图案重叠。
[0008]在实施例中，所述第一半导体连接图案可以在第一方向上延伸。在这样的实施例中，所述第二半导体连接图案可以在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。
[0009]在实施例中，所述第一半导体连接图案可以与在所述第二方向上延伸的所述凹陷图案相交。在这样的实施例中，所述第二半导体连接图案可以与在所述第一方向上延伸的所述凹陷图案相交。
[0010]在实施例中，在所述第一半导体层与所述凹陷图案重叠的位置处可以限定有穿过
所述第一半导体层的至少一个通孔。
[0011]在实施例中，所述显示装置还可以包括：蚀刻停止图案，在所述第一半导体层与所述凹陷图案彼此重叠的位置处设置在所述第一半导体层上。
[0012]在实施例中，所述凹陷图案可以暴露所述蚀刻停止图案。
[0013]在实施例中，当从所述顶部观察时，所述蚀刻停止图案可以具有岛形状。
[0014]在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一导电层，包括所述第一像素和所述第二像素中的每一者的所述第一晶体管的栅极电极、所述第二晶体管的栅极电极和所述第三晶体管的栅极电极。在实施例中，所述蚀刻停止图案可以由所述第一导电层限定。
[0015]在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还可以包括连接在所述第一晶体管的第一电极与栅极电极之间的第四晶体管。在实施例中，所述显示装置还可以包括第二半导体层，所述第二半导体层限定所述第四晶体管的沟道并且与所述第一半导体层不同。
[0016]在实施例中，所述显示装置还可以包括数据线。在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还可以包括连接到所述第一晶体管的第二电极和所述数据线的第五晶体管。在实施例中，所述第五晶体管的沟道可以由所述第二半导体层限定。
[0017]在实施例中，所述显示装置还可以包括发射控制线。在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者的所述第二晶体管的栅极电极可以电连接到所述发射控制线。
[0018]在实施例中，所述显示装置还可以包括初始化电压线。在实施例中，所述第三晶体管的第一电极可以电连接到所述初始化电压线。在实施例中，所述第三晶体管的第二电极可以电连接到所述发光元件。
[0019]根据本公开的实施例，一种显示装置，包括：基底；像素，设置在所述基底上，其中，所述像素包括第一像素和第二像素；以及凹陷图案，至少部分地设置在所述第一像素与所述第二像素之间。在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括：第一半导体层；和多个绝缘膜，设置在所述第一半导体层上。在实施例中，所述凹陷图案由所述多个绝缘膜中的至少一些绝缘膜限定，并且具有从所述多个绝缘膜中的所述至少一些绝缘膜的上表面向下表面凹陷的形状。在实施例中，所述第一半导体层与所述凹陷图案彼此相交。
[0020]在实施例中，所述第一半导体层可以限定所述第一像素和所述第二像素中的每一者的第一晶体管的沟道和第二晶体管的沟道以及将所述第一像素的所述第一晶体管的所述沟道与所述第二像素的所述第二晶体管的所述沟道连接的半导体连接图案。在实施例中，所述半导体连接图案与所述凹陷图案相交。
[0021]在实施例中，所述显示装置还可以包括发射控制线。在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者的所述第一晶体管的栅极电极可以电连接到所述发射控制线。
[0022]在实施例中，所述显示装置还可以包括初始化电压线。在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者的所述第二晶体管的第一电极可以电连接到所述初始化电压线。
[0023]在实施例中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还可以包括发光元件。在实施例中，所述发光元件可以电连接到所述第二晶体管的第二电极。
[0024]在实施例中，所述显示装置还可以包括：蚀刻停止图案，在所述第一半导体层与所述凹陷图案彼此重叠的位置处设置在所述第一半导体层上。
[0025]根据本公开的实施例，一种显示装置，包括：第一像素，包括第一晶体管；第二像素，包括第二晶体管；凹陷图案，设置在所述第一像素与所述第二像素之间并且在第一方向上延伸；导电图案，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，其中，所述导电图案限定所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极；以及多个绝缘膜，设置在所述导电图案上。在实施例中，所述凹陷图案由所述多个绝缘膜中的至少一些绝缘膜限定，并且具有从所述多个绝缘膜中的至少一些绝缘膜的上表面向下表面凹陷的形状。在实施例中，所述导电图案与所述凹陷图案彼此相交。
[0026]根据本公开的实施例，显示装置可以在具有抵御外部冲击的结构的同时具有用于设计像素电路的充足的空间。
附图说明
[0027]通过参照附图对本公开的实施例进行详细描述，本公开的以上和其它特征将而变得更加明显，在附图中：
[0028]图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：第一像素；第二像素，设置为与所述第一像素相邻；以及凹陷图案，当从顶部观察时，所述凹陷图案在所述第一像素和所述第二像素之间跨越，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括：第一电源电压线；发光元件；第一晶体管，连接在所述第一电源电压线与所述发光元件之间；第二晶体管，连接在所述第一晶体管与所述发光元件之间；以及第三晶体管，电连接到所述发光元件的第一电极，其中，所述显示装置还包括第一半导体层，所述第一半导体层限定所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每一者的沟道，其中，所述第一像素的所述第二晶体管经由所述第一半导体层电连接到所述第二像素的所述第三晶体管，并且其中，所述第一半导体层与位于所述第一像素与所述第二像素之间的所述凹陷图案重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括将所述第一像素的所述第二晶体管与所述第二像素的所述第三晶体管连接的第一半导体连接图案和第二半导体连接图案，并且其中，所述第一半导体连接图案和所述第二半导体连接图案与所述凹陷图案重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一半导体连接图案在第一方向上延伸，并且其中，所述第二半导体连接图案在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一半导体连接图案与在所述第二方向上延伸的所述凹陷图案相交，并且其中，所述第二半导体连接图案与在所述第一方向上延伸的所述凹陷图案相交。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一半导体层与所述凹陷图案重叠的位置处穿过所述第一半导体层限定至少一个通孔。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：蚀刻停止图案，在所述第一半导体层与所述凹陷图案彼此重叠的位置处设置在所述第一半导体层上。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述凹陷图案暴露所述蚀刻停止图案。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，当从所述顶部观察时，所述蚀刻停止图案具有岛形状。9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第一导电层，包括所述第一像素和所述第二像素中的每一者的所述第一晶体管的栅极电极、所述第二晶体管的栅极电极和所述第三晶体管的栅极电极，其中，所述蚀刻停止图案由所述第一导电层限定。10.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还包括连接在所述第一晶体管的第一电极与栅极电极之间的第四晶体管，并且其中，所述显示装置还包括第二半导体层，所述第二半导体层限定所述第四晶体管的沟道并且与所述第一半导体层不同。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：数据线，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还包括连接到所述第一晶体管的第二电极和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：