一种电子元器件瑕疵检测方法技术

本发明专利技术涉及缺陷识别技术领域，具体涉及一种电子元器件瑕疵检测方法。该方法通过利用光学手段采集片式电容图像，通过片式电容图像中表征的光学特征获得每个像素点的瑕疵可能性。并以瑕疵可能性作为参考，对采集片式电容图像进行自适应下采样，去除图像的无瑕疵区域，保留可能瑕疵区域，获得最佳下采样图像。对最佳下采样图像进行增强，对增强还原后的图像进行边缘识别，识别出是否存在渗边现象。本发明专利技术实施例通过光学特征，利用自适应下采样操作获得特征明显的图像，进而实现准确的渗边缺陷检测。测。测。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件瑕疵检测方法


[0001]本专利技术涉及缺陷识别
，具体涉及一种电子元器件瑕疵检测方法。

技术介绍

[0002]电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其中包括电容。本专利技术主要涉及片式电容渗边问题：端电极银浆料中的玻璃相会沿横向渗透到端电极边缘之外的介质陶瓷中，在后续的电镀过程中，在端电极外边缘的陶瓷介质体上会被镀上金属；严重时电容器两面的端电极甚至会完全连接起来，形成桥连。这类产品无法使用，需识别出来，避免投入市场使用。
[0003]常规判断是否存在渗边现象时，需要找出端电极和陶瓷介质之间的边缘，然后观察浆料是否淹没了边缘，可以使用边缘识别提取边缘，再根据边缘线两侧像素值分析即可；但是当浆料淹没了边缘后边缘变得十分很模糊，很难再识别出边缘。常规的边缘识别方法会产生错误的判断。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种电子元器件瑕疵检测方法，所采用的技术方案具体如下：本专利技术提出了一种电子元器件瑕疵检测方法，所述方法包括：采集片式电容图像；以片式电容图像中每个像素点的明暗程度作为瑕疵可能性；获得片式电容图像中每列像素点的瑕疵可能性累加值；对片式电容图像执行下采样过程，每次下采样过程均会在片式电容图像中删除瑕疵可能性累加值最小的列并获得对应的下采样图像；根据下采样图像中每个像素点的瑕疵可能性筛选出瑕疵点，并获得瑕疵信息占比；若瑕疵信息占比大于预设第一阈值，则根据瑕疵点的坐标信息获得下采样图像中的瑕疵连续性；若瑕疵信息占比不大于预设第一阈值，则继续执行下采样过程；若瑕疵连续性大于预设第二阈值，则认为对应下采样图像为最佳下采样图像，停止下采样过程；若瑕疵连续性不大于预设第二阈值，则继续执行下采样过程；利用图像增强算法对最佳下采样图像进行增强，获得增强下采样图像；将增强下采样图像进行上采样操作，获得上采样图像，上采样图像与片式电容图像的尺寸相同；对上采样图像进行边缘识别，获得片式电容端电极与介质之间的边缘线，根据边缘线两侧像素点的像素值相似程度判断片式电容是否出现渗边现象。
[0005]进一步地，所述明暗程度的获取方法包括：根据明暗程度公式获得片式电容图像中每个像素点相对于片式电容图像整体的明暗程度，明暗程度公式包括：
其中，为明暗程度，为自然常数，为第i个像素点的像素值，为片式电容图像中像素点的数量，为第j个像素点的像素值，u为第一拟合参数；若存在某个像素点的明暗程度大于等于1，则将对应像素点的瑕疵可能性赋值为0。
[0006]进一步地，所述每次下采样过程均会在片式电容图像中删除瑕疵可能性累加值最小的列并获得对应的下采样图像包括：根据每列对应的瑕疵可能性累加值从小到大进行排序，获得删除优先级序列；删除优先级序列中的元素值为片式电容图像中的列序号，删除优先级序列中的元素序号越小，对应的删除优先级越大；下采样过程根据删除优先级，依次删除片式电容图像中的一列像素。
[0007]进一步地，所述根据下采样图像中每个像素点的瑕疵可能性筛选出瑕疵点包括：将瑕疵可能性大于0的像素点作为瑕疵点。
[0008]进一步地，所述瑕疵信息占比获取方法包括：以瑕疵点的数量与下采样图像中像素点总数量的比值作为瑕疵信息占比。
[0009]进一步地，所述瑕疵连续性的获取方法包括：在下采样图像中根据预设尺寸设置滑窗；在下采样图像中滑窗从左上角像素点开始，自左至右、自上至下的进行滑动；在每次滑动中，若瑕疵点为滑窗中心点，则将滑窗范围内其他瑕疵点中瑕疵可能性最大的其他瑕疵点与滑窗中心点相连；通过滑窗遍历整个下采样图像，获得被连接瑕疵点的数量；将被连接瑕疵点的数量与瑕疵点总数量的比值作为瑕疵连续性。
[0010]进一步地，所述利用图像增强算法对最佳下采样图像进行增强包括：利用直方图均衡化对最佳下采样图像进行增强。
[0011]进一步地，所述根据边缘线两侧像素点的像素值相似程度判断片式电容是否出现渗边现象包括：若像素值相似程度大于等于预设第三阈值，则认为片式电容出现了渗边现象。
[0012]本专利技术具有如下有益效果：本专利技术实施例通过对片式电容图像自适应的进行图像下采样操作，对下采样图像进行筛选，获得的最佳下采样图像保留了可能瑕疵点，去除非瑕疵点，减少了冗余计算量，使得图像中的瑕疵更加明显。本专利技术实施例基于瑕疵可能性的自适应下采样，使得下采样的结果尽可能保留瑕疵区域，尽可能去除非瑕疵区域，下采样的结果更加有利于后续分析。进而通过对增强后的图像进行准确的缺陷识别。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅
仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
[0014]图1为本专利技术一个实施例所提供的一种电子元器件瑕疵检测方法流程图；图2为本专利技术一个实施例所提供的一种轻微渗边缺陷示意图；图3为本专利技术一个实施例所提供的一种严重渗边缺陷示意图。
具体实施方式
[0015]为了更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种电子元器件瑕疵检测方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下。在下述说明中，不同的“一个实施例”或“另一个实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构或特点可由任何合适形式组合。
[0016]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。
[0017]本专利技术所针对的具体场景为：电容生产工艺中包括使用浆料印刷电极，故在印刷电极完成后对电容的电极印刷质量进行分析，判断其是否存在渗边现象。
[0018]本专利技术的主要目的为：对图像进行自适应下采样，选取最佳采样图像，根据瑕疵程度进行自适应增强图像，然后识别边缘点来判断是否发生了渗边现象。
[0019]下面结合附图具体的说明本专利技术所提供的一种电子元器件瑕疵检测方法的具体方案。
[0020]请参阅图1，其示出了本专利技术一个实施例提供的一种电子元器件瑕疵检测方法流程图，该方法包括：步骤S1：采集片式电容图像；以片式电容图像中每个像素点的明暗程度作为瑕疵可能性；获得片式电容图像中每列像素点的瑕疵可能性累加值；对片式电容图像执行下采样过程，每次下采样过程均会在片式电容图像中删除瑕疵可能性累加值最小的列并获得对应的下采样图像。
[0021]在本专利技术实施例中，在片式电容图像的生产线上方放置CCD相机，采集片式电容正面图像，由于采集过程中存在机械噪声，图像传输过程中受到脉冲噪声，故需要对采集到的图像进行高斯滤波降噪处理。由于采集到的图像包含片式电容和生产线背景，故对图像进行语义分割，将片式电容区域保留，将背景区域变为黑色。获得片式电容语义分割图像，对图像转换为灰度图像，获得片式电容图像，即本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件瑕疵检测方法，其特征在于，所述方法包括：采集片式电容图像；以片式电容图像中每个像素点的明暗程度作为瑕疵可能性；获得片式电容图像中每列像素点的瑕疵可能性累加值；对片式电容图像执行下采样过程，每次下采样过程均会在片式电容图像中删除瑕疵可能性累加值最小的列并获得对应的下采样图像；根据下采样图像中每个像素点的瑕疵可能性筛选出瑕疵点，并获得瑕疵信息占比；若瑕疵信息占比大于预设第一阈值，则根据瑕疵点的坐标信息获得下采样图像中的瑕疵连续性；若瑕疵信息占比不大于预设第一阈值，则继续执行下采样过程；若瑕疵连续性大于预设第二阈值，则认为对应下采样图像为最佳下采样图像，停止下采样过程；若瑕疵连续性不大于预设第二阈值，则继续执行下采样过程；利用图像增强算法对最佳下采样图像进行增强，获得增强下采样图像；将增强下采样图像进行上采样操作，获得上采样图像，上采样图像与片式电容图像的尺寸相同；对上采样图像进行边缘识别，获得片式电容端电极与介质之间的边缘线，根据边缘线两侧像素点的像素值相似程度判断片式电容是否出现渗边现象。2.根据权利要求1所述的一种电子元器件瑕疵检测方法，其特征在于，所述明暗程度的获取方法包括：根据明暗程度公式获得片式电容图像中每个像素点相对于片式电容图像整体的明暗程度，明暗程度公式包括：其中，为明暗程度，为自然常数，为第i个像素点的像素值，为片式电容图像中像素点的数量，为第j个像素点的像素值，u为第一拟合参数；若存在某个像素点的明暗程度大于等于1，则将对应像素点的瑕疵可能性赋值为0。3.根据权利要求2所述的一种电子元器件瑕疵检测方法，其特征在于，所述每次下采样过程均会在片式电容图像中...

【专利技术属性】
技术研发人员：项飞，朱廷顺，冯艳玲，张银华，李炯，何庆峰，裘艳琴，
申请(专利权)人：南通百仕灵新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：