本申请实施例提供的一种量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；该量子点墨水中包含有第一极性基团和第一非极性基团的掺杂剂，第一极性基团能够与金属氧化物配位，第一非极性基团能够自组装成层，第一极性基团包括膦基、胺基或磷氧基中的至少一种，第一非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种；当上述量子点墨水沉积到电子功能层表面时，第一极性基团则可以与电子功能层中远离基板一侧的表面产生配位作用，同时，第一非极性基团的疏水链段在电子功能层上形成自组装性的绝缘层，绝缘层可以钝化电子功能层的表面缺陷，减弱电子注入的效果，进而提升量子点发光二极管的发光效率。光二极管的发光效率。光二极管的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]以无机量子点作为电致发光材料的自发光QLED(Quantum Dot Light
‑
Emitting Diode，量子点电致发光半导体)器件具有色域覆盖广、色纯度高、超薄轻便、可弯折卷曲等优势，因此已经收到学术与产业界的广泛关注。
[0003]目前在制备倒置QLED器件的过程中，通常采用金属氧化物纳米晶体作为电子注入层或者电子传输层，在电子注入层或者电子传输层表面利用溶液法形成量子点发光层，再利用真空蒸镀方式沉积空穴传输层和空穴注入层，最后形成阳极。在当前器件结构中，其金属氧化物纳米晶体表面的缺陷对量子点激子具有淬灭作用，导致辐射跃迁的量子产率下降，导致QLED器件的发光效率变低。
[0004]因此，确有必要来开发一种量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，以克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供一种量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置来解决因电子功能层表面的缺陷导致QLED器件的发光效率变低的技术问题。
[0006]本申请实施例提供一种量子点墨水，包括掺杂剂、量子点材料和有机溶剂，所述掺杂剂包括第一极性基团和第一非极性基团，所述第一极性基团能够与金属氧化物配位，所述第一非极性基团能够自组装成层，
[0007]优选地，所述第一极性基团包括膦基、胺基或磷氧基中的至少一种，所述第一非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述掺杂剂的分子量小于500。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点材料包疏水性配体，
[0010]所述疏水性配体与金属的配位能力不比所述掺杂剂中的所述第一极性基团与该金属的配位能力弱，
[0011]优选地，所述疏水性配体包括第二极性基团和第二非极性基团，
[0012]再优选地，所述第二极性基团包括羧基、巯基、膦基或胺基中的至少一种，所述第二非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机溶剂的熔点小于或等于0℃，所述有机溶剂的沸点范围为100℃～300℃，
[0014]优选地，所述有机溶剂包括链状烷烃、环烷烃、卤代烷烃、芳香烃以及链状烷烃、环
烷烃、卤代烷烃、芳香烃的衍生物及其组合。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机溶剂在所述量子点墨水中的质量百分比为79.8％～98.97％，所述量子点材料在所述量子点墨水中的质量百分比为1％～20％，所述掺杂剂在所述量子点墨水中的质量百分比为0.03％～0.2％。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述掺杂剂与所述量子点材料的质量比的范围为1％～10％。
[0017]相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管，包括发光层和电子功能层，所述发光层由如上任一项所述的量子点墨水制成，所述电子功能层由金属氧化物制成；
[0018]其中，所述量子点墨水中的第一极性基团与所述金属氧化物配位，所述量子点墨水中的第一非极性基团在所述金属氧化物的表面自组装成层。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物包括氧化锌、二氧化钛或二氧化锡中的至少一种。
[0020]相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
[0021]在阴极层上形成电子功能层；
[0022]在所述电子功能层上形成量子点复合层，所述量子点复合层包括形成于所述电子功能层上的绝缘层以及形成于所述绝缘层上的发光层；
[0023]其中，形成所述量子点复合层的步骤包括：
[0024]在所述电子功能层表面涂布如权利要求1至6任一项所述的量子点墨水；将所述量子点墨水干燥，形成量子点薄膜；
[0025]对所述量子点薄膜进行热退火处理，形成所述量子点复合层。
[0026]可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述电子功能层上形成量子点复合层的步骤之后还包括：
[0027]在所述量子点复合层上形成空穴传输层；
[0028]在所述空穴传输层上形成空穴注入层；
[0029]在所述空穴注入层上形成阳极层。
[0030]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阴极层为ITO，所述电子功能层为氧化锌纳米晶体，所述空穴传输层为TCTA，所述空穴注入层为MoO3，所述阳极层为金属银。相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的量子点发光二极管或如上所述量子点发光二极管的制备方法制备而成的量子点发光二极管。
[0031]本申请实施例提供的一种量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，在量子点墨水中添加了包含有第一极性基团和第一非极性基团的掺杂剂，第一极性基团能够与金属氧化物配位，第一非极性基团能够自组装成层，第一极性基团包括膦基、胺基或磷氧基中的至少一种，第一非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种，其中，第一极性基团具有与量子点墨水中量子点材料的疏水性配体相近或较弱的金属氧化物配位能力，且掺杂剂在量子点墨水中的浓度较低，因此在量子点墨水中不会与疏水性配体发生配体交换反应，而是主要以溶解分散的分子形式存在；当量子点墨水沉积到电子功能层表面时，第一极性基团则可以与电子功能层中远离基板一侧的表面产生配位作用，附着于电子功能层上，同时，第一非极性基团的疏水链段在电子功能层上形成自组装性的绝缘层，绝缘层可以钝化电子功能层的表面缺陷，进
而抑制发光层与电子功能层之间界面处的激子淬灭，进一步减弱电子注入的效果，更进一步提升量子点发光二极管的发光效率。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本申请实施例提供的量子点墨水的制备方法流程示意图；
[0034]图2是本申请实施例所提供的量子点发光器件的结构示意图；
[0035]图3是本申请实施例所提供的量子点发光器件的制备方法流程示意图。具体实施方式
[0036]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]本申请实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点墨水，其特征在于，包括掺杂剂、量子点材料和有机溶剂，所述掺杂剂包括第一极性基团和第一非极性基团，所述第一极性基团能够与金属氧化物配位，所述第一非极性基团能够自组装成层，优选地，所述第一极性基团包括膦基、胺基或磷氧基中的至少一种，所述第一非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种。2.根据权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述掺杂剂的分子量小于500。3.根据权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述量子点材料包疏水性配体，所述疏水性配体与金属的配位能力不比所述掺杂剂中的所述第一极性基团与该金属的配位能力弱，优选地，所述疏水性配体包括第二极性基团和第二非极性基团，再优选地，所述第二极性基团包括羧基、巯基、膦基或胺基中的至少一种，所述第二非极性基团包括由6至16个碳原子构成的烷基链、芳香基或由所述烷基链取代的芳香基中的至少一种。4.根据权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述有机溶剂的熔点小于或等于0℃，所述有机溶剂的沸点范围为100℃～300℃，优选地，所述有机溶剂包括链状烷烃、环烷烃、卤代烷烃、芳香烃以及链状烷烃、环烷烃、卤代烷烃、芳香烃的衍生物及其组合。5.根据权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述有机溶剂在所述量子点墨水中的质量百分比为79.8％～98.97％，...
【专利技术属性】
技术研发人员：许冰，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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