气体传感器的制备方法、采样单元及监控系统技术方案

本申请公开了一种气体传感器的制备方法、采样单元及监控系统，制备方法，其特征在于，包括：利用电子束蒸发真空镀膜机通过倾斜生长法获得金属氧化物纳米棒阵列；在生长过程中或生长之后，向所述金属氧化物纳米棒阵列中掺杂目标金属，得到气体传感器；或者在所述金属氧化物纳米棒阵列中的每个金属氧化物纳米棒的外侧包覆所述目标金属对应的金属氧化物，得到所述气体传感器，通过制备能够对酒窖内的多种气体具有敏感度的传感器，有效提高对酒窖内气体的采样能力。的采样能力。的采样能力。

【技术实现步骤摘要】
气体传感器的制备方法、采样单元及监控系统


[0001]本公开一般涉及智能监控
，尤其涉及一种用于智能酒窖的监控系统。

技术介绍

[0002]近年来，白酒酿造行业正从传统手工酿造想自动化酿造转型，白酒酿造包括粉碎、配料、润料和拌料、蒸煮护花、冷散、加水加曲堆积、入窖封闭发酵、出缸蒸酒等步骤。其中，入窖封闭发酵过程中，传统手工酿造多依靠酿酒师的经验判断，由于过程师封闭的，无法获取窖内的实时发酵情况，且封闭发酵过程受前序工艺及环境影像较大，从而导致酿造的白酒品质不稳定。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种气体传感器的制备方法、采样单元及监控系统，通过制备能够对酒窖内的多种气体具有敏感度的传感器，有效提高对酒窖内气体的采样能力。
[0004]第一方面，本申请提出一种气体传感器的制备方法，包括：
[0005]利用电子束蒸发真空镀膜机通过倾斜生长法获得金属氧化物纳米棒；
[0006]在生长过程中或生长之后，向所述金属氧化物纳米棒中掺杂目标金属，得到气体传感器；或者
[0007]在所述金属氧化物纳米棒的外侧包覆所述目标金属对应的金属氧化物，得到所述气体传感器。
[0008]在一些实施例中，在所述电子束蒸发真空镀膜机中增加电子束蒸发机构，所述在生长过程中向所述金属氧化物纳米棒中掺杂目标金属，包括：
[0009]在所述电子束蒸发真空镀膜机生长所述金属氧化物纳米棒时，控制所述增加电子束蒸发机构向生长所述金属氧化物纳米棒的区域蒸发所述目标金属。
[0010]在一些实施例中，所述增加电子束蒸发机构的蒸发速率小于所述电子束蒸发真空镀膜机中电子束蒸发机构的蒸发速率。
[0011]在一些实施例中，所述在生长之后向所述金属氧化物纳米棒中掺杂目标金属，包括：
[0012]将所述金属氧化物纳米棒在包含所述目标金属的金属溶液中浸泡第一时间；
[0013]将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒在还原溶液中浸泡第二时间。
[0014]在一些实施例中，在将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒在还原溶液中浸泡第二时间之前，将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒在去离子水中浸泡第三时间；以及
[0015]在将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒在还原溶液中浸泡第二时间之后，将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒在所述去离子水中浸泡第四时间。
[0016]在一些实施例中，在所述金属氧化物纳米棒的外侧包覆所述目标金属对应的金属氧化物，包括：
[0017]将所述金属氧化物纳米棒置于反应腔内；
[0018]向所述反应腔内冲入第一气相反应物，得到由所述第一气象反应物包覆的所述金属氧化物纳米棒，所述第一气相反应物包含所述目标金属；
[0019]向所述反应腔内冲入第二气相反应物，以使所述第二气相反应物与包覆在所述金属氧化物纳米棒上包覆的所述第一气相反应物发生化学反应，得到所述目标金属对应的金属氧化物。
[0020]在一些实施例中，所述金属氧化物纳米棒为ZnO2纳米棒或In2O3纳米棒，所述目标金属为Pd、Ag、Au、Ti和Sn中的一种或多种。
[0021]第二方面，本申请提出一种气体采样单元，所述气体采样单元包括气体传感器阵列，所述气体传感器阵列中的多个气体传感器均由所述气体传感器的制备方法制备得到。
[0022]第三方面，本申请提出了一种用于智能监控系统，包括所述的气体采样单元；
[0023]所述气体采样单元设置于待检测设备内部的上层区域，用于对所述待检测设备上层区域的不同气体进行采样。
[0024]在一些实施例中，所述监控系统还包括温度传感器、设置于所述智能酒窖外侧的循环温控单元和控制单元，所述温度传感器和所述循环温控单元分别与所述控制单元相连；
[0025]所述控制单元用于接收所述温度传感器采集到的当前温度，并根据所述当前温度控制所述循环温控单元对所述待检测设备进行温度调节。
[0026]在一些实施例中，所述监控系统至少包括三个所述温度传感器，三个所述温度传感器分别设置于所述待检测设备的所述上层区域、中层区域和下层区域，
[0027]所述控制单元分别根据三个所述温度传感器采集到的当前温度，对设置于相应区域的所述循环温控单元进行控制。
[0028]在一些实施例中，所述监控系统还包括湿度传感器和湿度调节单元，所述湿度传感器和所述湿度调节单元分别与所述控制单元相连；
[0029]所述控制单元用于根据所述湿度传感器采集的当前湿度控制所述湿度调节单元对所述待检测设备的所述上层区域进行湿度调节。
[0030]在一些实施例中，所述监控系统还包括液体采样单元，所述液体采样单元与所述控制单元相连；
[0031]所述控制单元用于根据所述液体采样单元采集到的液体进行定量分析。
[0032]在一些实施例中，所述待检测设备为酒窖。
[0033]本申请实施例提供的智能监控系统，能够对密封待检测设备中产生的气体进行检测，通过使用对多种气体具有敏感度的多个气体传感器进行检测，可以有效提高对待检测设备气体检测的效率和全面性，为待检测设备监控提供可靠的数据基础。
[0034]本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0035]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0036]图1为本申请实施例提出的一种气体传感器的制备方法的流程图；
[0037]图2为本申请实施例提出的一种气体传感器的结构示意图；
[0038]图3为图2中纳米棒的剖面图；
[0039]图4为本申请实施例提出的另一种气体传感器的结构示意图；
[0040]图5为本申请实施例提出的原子沉积过程的原理示意图；
[0041]图6为本申请实施例提出的又一种气体传感器的结构示意图；
[0042]图7为图6中纳米棒的剖面图；
[0043]图8为本申请实施例提出的一种用于智能监控系统的实施环境示意图；
[0044]图9为本申请实施例提出的另一种用于智能监控系统的实施环境示意图；
[0045]图10为本申请实施例提出的气体采样单元的阵列结构示意图。
具体实施方式
[0046]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。
[0047]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0048]图1为本申请实施例提出一种气体传感器的制备方法。
[0049]如图1所示，该气体传感器的制备方法，包括：
[0050]101，利用电子束蒸发真本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括：利用电子束蒸发真空镀膜机通过倾斜生长法获得金属氧化物纳米棒阵列；在生长过程中或生长之后，向所述金属氧化物纳米棒阵列中掺杂目标金属，得到气体传感器；或者在所述金属氧化物纳米棒阵列中的每个金属氧化物纳米棒的外侧包覆所述目标金属对应的金属氧化物，得到所述气体传感器。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电子束蒸发真空镀膜机中增加电子束蒸发机构，所述在生长过程中向所述金属氧化物纳米棒中掺杂目标金属，包括：在所述电子束蒸发真空镀膜机生长所述金属氧化物纳米棒阵列时，控制所述增加电子束蒸发机构向生长所述金属氧化物纳米棒阵列的区域蒸发所述目标金属。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述增加电子束蒸发机构的蒸发速率小于所述电子束蒸发真空镀膜机中电子束蒸发机构的蒸发速率。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在生长之后向所述金属氧化物纳米棒阵列中掺杂目标金属，包括：将所述金属氧化物纳米棒阵列在包含所述目标金属的金属溶液中浸泡第一时间；将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒阵列在还原溶液中浸泡第二时间。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：在将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒阵列在还原溶液中浸泡第二时间之前，将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒阵列在去离子水中浸泡第三时间；以及在将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒阵列在还原溶液中浸泡第二时间之后，将浸泡后的所述金属氧化物纳米棒阵列在所述去离子水中浸泡第四时间。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述金属氧化物纳米棒阵列中的每个金属氧化物纳米棒的外侧包覆所述目标金属对应的金属氧化物，包括：将所述金属氧化物纳米棒阵列置于反应腔内；向所述反应腔内冲入第一气相反应物，得到由所述第一气象反应物包覆所述金属氧化物纳米棒，所述第一气相反应物包含所述目标金属；向所述反应腔内冲入第二气相反应物，以使所述第二气相反应物与包覆在所述金属氧化物纳米棒上包覆的所述第一气相反应物发生化学反应，得到所述目标金属对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘跃华，陈少棚，李必奇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：