一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法技术

本发明专利技术公开了一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，包括如下步骤：建立电磁兼容测试暗室，将待测试的目标辐射阵列天线设于测试暗室内；发射状态测试，在暗室内设置多个接收设备，将天线工作在发射状态，不加任何环境干扰，获取测试曲线并分析，确定天线的辐射方向、范围以及强度参数；天线处于发射状态时，对暗室施加辐射电磁干扰，再次通过接收设备获取此时的天线的辐射方向、范围以及强度参数；对比两次获取的接收参数，确定干扰差值和目标辐射阵列天线的抗电磁干扰等级。确定目标辐射阵列电磁兼容性，测试方法简便易操作。测试方法简便易操作。测试方法简便易操作。

【技术实现步骤摘要】
一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法


[0001]本专利技术涉及电磁兼容测试
，具体为一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法。

技术介绍

[0002]在制导系统、系统参数调试与验证、飞行试验等过程中，信号的发射和接收精度需要较高的要求，目标辐射阵列天线在信号发射传输中会受到环境电磁干扰的影响，而目前的目标辐射阵列天线的电磁兼容性能未得到有效的测试和展现，针对上述问题，专利技术人提出一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法用于解决上述问题。

技术实现思路

[0003]为了解决目标辐射阵列天线在信号发射传输中会受到环境电磁干扰的影响，而目前的目标辐射阵列天线的电磁兼容性能未得到有效的测试和展现的问题；本专利技术的目的在于提供一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，包括如下步骤：
[0005]S1、建立电磁兼容测试暗室，将待测试的目标辐射阵列天线设于测试暗室内；
[0006]S2、发射状态测试，在暗室内设置多个接收设备，将天线工作在发射状态，不加任何环境干扰，获取测试曲线并分析，确定天线的辐射方向、范围以及强度参数；
[0007]S3、天线处于发射状态时，对暗室施加辐射电磁干扰，再次通过接收设备获取此时的天线的辐射方向、范围以及强度参数；
[0008]S4、对比两次获取的接收参数，确定干扰差值和目标辐射阵列天线的抗电磁干扰等级。
[0009]优选的一种实施案例，所述电磁兼容测试暗室为EMC实验室，并将测试区域进行抽真空，去除环境因素干扰。
[0010]优选的一种实施案例，步骤S2和步骤S3中，所述发射状态为天线的RE102辐射发射量值范围为30MHz
‑
1GHz，不随功耗的变化而有超出阈值的变化的状态，且步骤S2和步骤S3中的发射状态辐射发射量相同。
[0011]优选的一种实施案例，步骤S2和步骤S3中，所述接收装置为距天线辐射发射位置以0.3m
‑
2m为半径，成环形架设辐射强度探头，多个辐射强度探头沿环形均匀分布，并包围天线。
[0012]优选的一种实施案例，步骤S3中，辐射电磁干扰通过信号源、可调衰减器、功率放大器以及辐射阵列构成的发射模拟器，将电磁信号通过放大处理后对外发射形成电磁干扰，辐射限值为6
‑
70dBμV/m。
[0013]优选的一种实施案例，步骤S4中，对比两次获取的接收参数的方法为：将未施加电磁干扰时多个接收装置接收到的信号辐射强度与施加电磁干扰后接收到的电磁干扰强度
进行对比，对比内容包括同一接收装置接收到的辐射强度大小变化，以及两次实验中，成环形分布的多个接收装置中，最大接收强度的装置位置变化。
[0014]优选的一种实施案例，根据同一接收装置接收到的辐射强度大小变化，取两次实验中接收强度的最大值和最小值进行分别对比，从而根据强度偏差确定电磁干扰对天线信号的辐射强度的影响，确定天线信号辐射强度的抗干扰性能。
[0015]优选的一种实施案例，根据最大接收强度的装置位置变化，从而确定两次实验中，信号传输路径受到电磁干扰后发生的偏转影响，并再次基础上，通过再次在不同位置发射电磁干扰确定天线信号发射路径的抗干扰性能。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0017]1、将天线工作在发射状态，不加任何环境干扰，获取测试曲线并分析，确定天线的辐射方向、范围以及强度参数，然后在天线处于发射状态时，对暗室施加辐射电磁干扰，再次通过接收设备获取此时的天线的辐射方向、范围以及强度参数，将未施加电磁干扰时多个接收装置接收到的信号辐射强度与施加电磁干扰后接收到的电磁干扰强度进行对比，对比内容包括同一接收装置接收到的辐射强度大小变化，以及两次实验中，成环形分布的多个接收装置中，最大接收强度的装置位置变化，根据同一接收装置接收到的辐射强度大小变化，取两次实验中接收强度的最大值和最小值进行分别对比，从而根据强度偏差确定电磁干扰对天线信号的辐射强度的影响，确定天线信号辐射强度的抗干扰性能，根据最大接收强度的装置位置变化，从而确定两次实验中，信号传输路径受到电磁干扰后发生的偏转影响，并再次基础上，通过再次在不同位置发射电磁干扰确定天线信号发射路径的抗干扰性能，从而综合确定目标辐射阵列的电磁兼容性，确定其刚干扰性能；
[0018]2、测试方法简单，成本低，具有推广价值。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术方法示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]实施例：如图1所示，本专利技术提供了一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，包括如下步骤：
[0023]S1、建立电磁兼容测试暗室，将待测试的目标辐射阵列天线设于测试暗室内；
[0024]S2、发射状态测试，在暗室内设置多个接收设备，将天线工作在发射状态，不加任何环境干扰，获取测试曲线并分析，确定天线的辐射方向、范围以及强度参数；
[0025]S3、天线处于发射状态时，对暗室施加辐射电磁干扰，再次通过接收设备获取此时的天线的辐射方向、范围以及强度参数；
[0026]S4、对比两次获取的接收参数，确定干扰差值和目标辐射阵列天线的抗电磁干扰等级。
[0027]进一步的，所述电磁兼容测试暗室为EMC实验室，并将测试区域进行抽真空，去除环境因素干扰。
[0028]进一步的，步骤S2和步骤S3中，所述发射状态为天线的RE102辐射发射量值范围为30MHz
‑
1GHz，不随功耗的变化而有超出阈值的变化的状态，且步骤S2和步骤S3中的发射状态辐射发射量相同。
[0029]进一步的，步骤S2和步骤S3中，所述接收装置为距天线辐射发射位置以0.3m
‑
2m为半径，成环形架设辐射强度探头，多个辐射强度探头沿环形均匀分布，并包围天线。
[0030]进一步的，步骤S3中，辐射电磁干扰通过信号源、可调衰减器、功率放大器以及辐射阵列构成的发射模拟器，将电磁信号通过放大处理后对外发射形成电磁干扰，辐射限值为6
‑
70dBμV/m。
[0031]进一步的，步骤S4中，对比两次获取的接收参数的方法为：将未施加电磁干扰时多个接收装置接收到的信号辐射强度与施加电磁干扰后接收到的电磁干扰强度进行对比，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、建立电磁兼容测试暗室，将待测试的目标辐射阵列天线设于测试暗室内；S2、发射状态测试，在暗室内设置多个接收设备，将天线工作在发射状态，不加任何环境干扰，获取测试曲线并分析，确定天线的辐射方向、范围以及强度参数；S3、天线处于发射状态时，对暗室施加辐射电磁干扰，再次通过接收设备获取此时的天线的辐射方向、范围以及强度参数；S4、对比两次获取的接收参数，确定干扰差值和目标辐射阵列天线的抗电磁干扰等级。2.如权利要求1所述的一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，其特征在于，所述电磁兼容测试暗室为EMC实验室，并将测试区域进行抽真空，去除环境因素干扰。3.如权利要求1所述的一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，所述发射状态为天线的RE102辐射发射量值范围为30MHz
‑
1GHz，不随功耗的变化而有超出阈值的变化的状态，且步骤S2和步骤S3中的发射状态辐射发射量相同。4.如权利要求1所述的一种目标辐射阵列电磁兼容测试方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，所述接收装置为距天线辐射发射位置以0.3m
‑
2m为半径，成环形架设辐射强度探头，多个辐射强度探头沿环形均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，高成，韩明波，李挺，王杰，孙玉光，高伟，
申请(专利权)人：北京华清瑞达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：