储电设备及终端制造技术

本公开是关于一种储电设备及终端。该储电设备包括：电池，包括用于与充电线路连接的正极和负极，充电线路包括对电池进行分流充电的第一充电线路和第二充电线路；第一充电线路，用于通过第一连接器端子对电池充电；第二充电线路，用于通过第二连接器端子对电池进行充电；第一连接器端子与正极间的线路阻抗与第二连接器端子与正极间的线路阻抗匹配；第一连接器端子与负极间的线路阻抗与第二连接器端子与负极间的线路阻抗匹配，有利于保证在第一连接器端子和第二连接器端子被施加相同电压的情况下，第一充电线路和第二充电线路具有相同或相近大小的充电电流，从而通过两路充电线路同等大小的分流，获得最大的充电功率，进而提高对电池的充电效率。高对电池的充电效率。高对电池的充电效率。

【技术实现步骤摘要】
储电设备及终端


[0001]本公开涉及电子
，尤其涉及一种储电设备及终端。

技术介绍

[0002]随着互联网技术发展，移动终端类型越来越多。同时移动终端也不断向轻便化，便于携带的方向发展。在移动终端的配置内储电设备便是支持移动终端便捷使用的不可缺少的组成部分。尤其是随着5G技术应用，移动终端对储电设备的快充性能也提出了更高的要求。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种储电设备及终端。
[0004]本公开实施例的第一方面，提供一种储电设备，包括：
[0005]电池，包括用于与充电线路连接的正极和负极，所述充电线路包括对所述电池进行分流充电的第一充电线路和第二充电线路；
[0006]所述第一充电线路，包括与所述正极和所述负极连接的第一连接器端子，用于通过所述第一连接器端子经所述第一充电线路对所述电池充电；
[0007]所述第二充电线路，包括与所述正极和所述负极连接的第二连接器端子，用于通过所述第二连接器端子经所述第二充电线路对所述电池进行充电；其中：
[0008]所述第一连接器端子与所述正极间的线路阻抗，与所述第二连接器端子与所述正极间的线路阻抗匹配；
[0009]所述第一连接器端子与所述负极间的线路阻抗，与所述第二连接器端子与所述负极间的线路阻抗匹配。
[0010]在一些实施例中，所述第一连接器端子与所述负极间的第一充电线路上连接有第二双MOS场效应管和第四双MOS管；
[0011]所述第二连接器端子与所述负极间的第二充电线路上连接有第一双MOS管和第三双MOS管；其中：
[0012]所述第二双MOS场效应管、所述第四双MOS管、所述第一双MOS管和所述第三双MOS管均包括：由两个单MOS通过彼此的漏极连接在一起形成的双MOS；
[0013]所述第二双MOS管中第一个MOS的源极与所述第一充电线路中的第一连接器端子连接，所述第二双MOS管中第二个MOS的源极与所述第四双MOS管中第一个MOS的源极连接，所述第四双MOS管中第二个MOS的源极与所述负极连接；
[0014]所述第一双MOS管中第一个MOS的源极与所述第二充电线路中的第二连接器端子连接，所述第一双MOS管中第二个MOS的源极与所述第三双MOS管中第一个MOS的源极连接，所述第三双MOS管中第二个MOS的源极与所述负极连接。
[0015]在一些实施例中，所述充电线路还包括：第一过压保护器件和第二过压保护器件，其中：
[0016]所述第一过压保护器件的充电输出接口同时与所述第二双MOS管中第一个MOS的栅极和所述第一双MOS管中第一个MOS的栅极连接，用于在对所述储电设备进行充电时供所述第一过压保护器件根据线路电流控制所述第二双MOS管和所述第一双MOS管的导通状态；
[0017]所述第二过压保护器件的充电输出接口同时与所述第四双MOS管中第一个MOS的栅极和所述第三双MOS管中第一个MOS的栅极连接，用于在对所述储电设备进行充电时供所述第二过压保护器件根据线路电流控制所述第四双MOS管和所述第三双MOS管的导通状态。
[0018]在一些实施例中，所述第一过压保护器件的放电输出接口同时与所述第二双MOS管中第二个MOS的栅极和所述第一双MOS管中第二个MOS的栅极连接，用于所述储电设备进行放电时供所述第一过压保护器件根据线路电流控制所述第二双MOS管和所述第一双MOS管的导通状态；
[0019]所述第二过压保护器件的放电输出接口同时与所述第四双MOS管中第二个MOS的栅极和所述第三双MOS管中第二个MOS的栅极连接，用于所述储电设备进行放电时供所述第二过压保护器件根据线路电流控制所述第四双MOS管和所述第三双MOS管的导通状态。
[0020]在一些实施例中，所述第一连接器端子与所述负极间线路中设置的通电器件与所述第二连接器端子与所述负极间线路中设置的通电器件相同。
[0021]在一些实施例中，所述储电设备还包括：
[0022]电量测量器件，连接在所述正极和所述负极之间，用于测量以下测量数据中的至少一种：
[0023]所述电池的总电量、所述电池一次性充电的充电电量、所述正极的通电电流、所述正极的通电电压以及所述负极的通电电流、负极的通电电压。
[0024]在一些实施例中，所述储电设备还包括第一电路板和第二电路板；所述主连接端子和所述从连接端子焊接在第一电路板上，所述电池的正极和负极焊接在所述第二电路板上，其中：
[0025]所述第一电路板的板子硬度小于所述第二电路板的板子硬度，所述第一电路板和所述第二电路板通过回流焊工艺焊接在一起。
[0026]在一些实施例中，所述储电设备还包括：
[0027]NTC负温度系数热敏器件，焊接在所述第一电路板上，与所述电池连接，用于通过测量所述电池的温度。
[0028]在一些实施例中，所述第一电路板通过回流焊工艺焊接在所述第二电路板的第一表面；
[0029]所述NTC负温度系数热敏器件焊接在所述第二电路板的第二表面，其中所述第一表面和所述第二表面为所述第二电路板上用于焊接的两个相对面。
[0030]本公开实施例的第二方面，提供一种终端，包括：第一方面各实施例所述的储电设备。
[0031]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0032]本公开实施例中的储电设备采用两路充电线路对电池进行同时充电。同时，在第一连接器端子和第二连接器端子被施加相同充电电压的情况下，通过充电电路设置使得第一连接器端子与正极间的线路阻抗与第二连接器端子与正极间的线路阻抗匹配，第一连接器端子与负极间的线路阻抗与第二连接器端子与负极间的线路阻抗匹配，从而保证在第一
连接器端子和第二连接器端子被施加相同充电电压的情况下，第一充电线路和第二充电线路具有相同或相近大小的充电电流，从而使得被施加相同电压的情况下，通过两路充电线路同等大小的分流，获得最大的充电功率，进而提高对电池的充电效率。
[0033]相对于由于线路阻抗不匹配造成的两路充电线路存在较大电流差的情况，还可以减少出现电路过热的情况。因为在线路阻抗不匹配，造成一个充电线路电流较大，一个充电线路电流较小时，很容易出现线路局部过热，烧坏线路的情况。尤其是靠近负极的线路上连接有多个元器件时，由于分流不均，跟容易造成线路过热，降低充电功率增加功率损坏的同时还会烧坏元器件。但在本申请中，两路充电线路对应线路的阻抗分别对应匹配，以实现线路均衡分流，既有利于提高整体充电功率，又有利于减少线路局部过热损坏器件的情况。
[0034]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0035]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0036]图1是根据一示例性实施例示出的一种储电设备的结构示意图。
[0037]图2是根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种储电设备，其特征在于，包括：电池，包括用于与充电线路连接的正极和负极，所述充电线路包括对所述电池进行分流充电的第一充电线路和第二充电线路；所述第一充电线路，包括与所述正极和所述负极连接的第一连接器端子，用于通过所述第一连接器端子经所述第一充电线路对所述电池充电；所述第二充电线路，包括与所述正极和所述负极连接的第二连接器端子，用于通过所述第二连接器端子经所述第二充电线路对所述电池进行充电；其中：所述第一连接器端子与所述正极间的线路阻抗，与所述第二连接器端子与所述正极间的线路阻抗匹配；所述第一连接器端子与所述负极间的线路阻抗，与所述第二连接器端子与所述负极间的线路阻抗匹配。2.根据权利要求1所述储电设备，其特征在于，所述第一连接器端子与所述负极间的第一充电线路上连接有第二双MOS场效应管和第四双MOS管；所述第二连接器端子与所述负极间的第二充电线路上连接有第一双MOS管和第三双MOS管；其中：所述第二双MOS场效应管、所述第四双MOS管、所述第一双MOS管和所述第三双MOS管均包括：由两个单MOS通过彼此的漏极连接在一起形成的双MOS；所述第二双MOS管中第一个MOS的源极与所述第一充电线路中的第一连接器端子连接，所述第二双MOS管中第二个MOS的源极与所述第四双MOS管中第一个MOS的源极连接，所述第四双MOS管中第二个MOS的源极与所述负极连接；所述第一双MOS管中第一个MOS的源极与所述第二充电线路中的第二连接器端子连接，所述第一双MOS管中第二个MOS的源极与所述第三双MOS管中第一个MOS的源极连接，所述第三双MOS管中第二个MOS的源极与所述负极连接。3.根据权利要求2所述储电设备，其特征在于，所述充电线路还包括：第一过压保护器件和第二过压保护器件，其中：所述第一过压保护器件的充电输出接口同时与所述第二双MOS管中第一个MOS的栅极和所述第一双MOS管中第一个MOS的栅极连接，用于在对所述储电设备进行充电时供所述第一过压保护器件根据线路电流控制所述第二双MOS管和所述第一双MOS管的导通状态；所述第二过压保护器件的充电输出接口同时与所述第四双MOS管中第一个MOS的栅极和所述第三双MOS管中第一个MOS的栅极连接，用于在对所述储电设备进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏学文，杨瑞福，陈仁杰，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：