一种提高SSD生命周期的方法技术

本发明专利技术提出一种提高SSD生命周期的方法，提高SSD生命周期的方法包括如下步骤：S1、将SSD的闪存单元N比特位序列编码成2

【技术实现步骤摘要】
一种提高SSD生命周期的方法


[0001]本专利技术涉及数据存储
，特别是一种提高SSD生命周期的方法。

技术介绍

[0002]众所周知，相较于传统机械硬盘（HDD），基于闪存的固态硬盘（SSD）提供更快的读写速率，更低的读写延时，但其有一个主要局限性：与机械硬盘可以重写已经写入数据区域不同，闪存单元在重写之前需要进行擦除操作，每次擦除操作都会导致磨损，从而缩短单元的寿命。旧一代的闪存SLC（single
‑
level cell）在一个单元中只存储一个位，通常可以在磨损之前容忍上万个P/E（Program/Erase）周期。然而，为了满足日益增长的存储容量需求，需要在一个单元中存储更多的位。但是每增加一位存储在1个SSD单元中，SSD可以承受的擦除周期数减少了一个数量级。到了QLC（Quad
‑
Level Cell，4位/单元）和PLC（Penta
‑
Level Cell,5位/单元）这样的高密度SSD，可以看到P/E周期下降到几十或几百。为了使高密度SSD驱动器（如QLC和PLC）在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高SSD生命周期的方法，其特征在于, 所述提高SSD生命周期的方法包括如下步骤：S1、将SSD的闪存单元N比特位序列编码成2
N
个编码组，对应2
N
个参考电压，N>1，为正整数；S2、将编码组映射到k比特位的数据，获得M个重写组，0<k<N，k和M均为正整数；S3、基于M个重写组将数据写入闪存单元，每次只能写k个比特位。2.根据权利要求1所述的提高SSD生命周期的方法，其特征在于，在所述S1中，以QLC SSD驱动器为例，将QLC驱动器的闪存单元4比特位序列编码成16个编码组，其对应QLC驱动器的16个参考电压，0000为最低参考电压，1111为最大参考电压。3.根据权利要求1所述的提高SSD生命周期的方法，其特征在于，在所述S2中，当k=1时，M=2
N
‑
1，1<k<N时，M=[2
N
/(2
k
ꢀ‑
1)],“[]”表示取整操作，提取计算结果的整数部分。4.根据权利要求1所述的提高SSD生命周期的方法，其特征在于，在所述S2中，编码过程包括如下步骤：S21、将2
N
个编码组中的前2
k
个编码组映射为重写组1，将参数i初始化为1；S22、以重写组i中的最后一个编码组作为共享编码组，成为新的起点，重新获取2
k
个编码组，映射为重写组（i+1）,将参数i加1递增后进行更新；S23、判断(2
N
‑
（2
k
ꢀ‑
1）*i)< 2
k
是否成立，如果成立，进入S24，否则，返回S22；S24、结束编码。5.根据权利要求4所述的提高SSD生命周期的方法，其特征在于，在所述S2中，以QLC...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，杜小华，王锐，曹学贵，常清雪，黄成坤，钟吉林，徐明军，朱超，黄耀年，
申请(专利权)人：四川省华存智谷科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：