【技术实现步骤摘要】
光电探测器具有良好的自供能特性,同时,CuI/SrTiO3光电探测器在零偏压下显示出极大的窄带光响应(半峰宽为27nm)。更重要的是,CuI/SrTiO3光电探测器在整个可见光区域的透明度大于70%,并屏蔽99.9%的紫外线(200
‑
290nm)。
[0010]自供能性能中,CuI/SrTiO3光电探测器具有良好的自供能特性,该器件在零伏条件下,在400nm光照下具有高开关比(7000)和快速响应速度(上升和下降时间分别为0.6/3.3毫秒)。
[0011]自滤波性能中,CuI/SrTiO3光电探测器具有高的光谱选择性(紫光响应性),半峰宽为27nm,具有对其它光谱的过滤性。
[0012]自屏蔽性能中,CuI/SrTiO3光电探测器具有紫外线屏蔽性能, CuI/SrTiO3光电探测器在整个可见光区域具有高的透明度(>70%),并屏蔽99%的紫外线(200
‑
390nm)。
[0013]本专利技术实现一种自供能自滤波自屏蔽的CuI/SrTiO3光电探测器,极大拓展CuI/SrTiO3光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自供能自滤波自屏蔽光电探测器,所述光电探测器为p
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CuI薄膜和n
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SrTiO3晶片构筑的CuI/SrTiO3异质结光电探测器。2.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于:所述n
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SrTiO3晶片为两面抛光晶片。3.一种权利要求1所述的自供能自滤波自屏蔽光电探测器的制备方法,包括如下步骤:选取商用的双抛SrTiO3晶片,在其表面通过真空热蒸发方法来沉积CuI薄膜,然后分别在CuI和SrTiO3表面掩模版蒸镀电极来构筑CuI/SrTiO3异质结光电探测器。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:在CuI薄膜沉积过程中,CuI粉末被用作...
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