集成电路制作方法以及集成电路装置制造方法及图纸

本申请提出一种集成电路制作方法和集成电路装置。所述集成电路制作方法包括：在第一工艺条件下，通过第一电镀液以生成具有第一硬度的第一集成电路桥接件；以及在第二工艺条件下，通过所述第一电镀液以生成具有第二硬度的第二集成电路桥接件。所述集成电路装置包括:基底层、第一集成电路桥接件以及第二集成电路桥接件。所述第一集成电路桥接件设置于所述基底层之上。所述第一集成电路桥接件经配置在第一工艺条件下以通过第一电镀液生成以具有第一硬度。所述第二集成电路桥接件设置于所述基底层之上。底层之上。底层之上。

【技术实现步骤摘要】
集成电路制作方法以及集成电路装置


[0001]本申请是有关于半导体领域，详细来说，是有关于一种集成电路制作方法以及集成电路装置。

技术介绍

[0002]在先前技术中，会将基底层放入电镀液中进行电镀以在基底层上生成集成电路桥接件。然而，一种电镀液只能实现某种硬度的集成电路桥接件，因此若想满足不同硬度规格，必须使用及维护多种不同的电镀液，但会造成其生产维护成本增加，且也有可能因使用不同电镀液造成电镀错误导致产品报废。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提出一种集成电路制作方法以及集成电路装置来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提出一种集成电路制作方法。所述集成电路制作方法包括：在第一工艺条件下，通过第一电镀液以生成具有第一硬度的第一集成电路桥接件；以及在第二工艺条件下，通过所述第一电镀液以生成具有第二硬度的第二集成电路桥接件。
[0005]依据本申请的一实施例，所述第一工艺条件包括第一电镀温度，所述第二工艺条件包括第二电镀温度。
[0006]依据本申请的一实施例，当所述第一电镀温度高于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路制作方法，其特征在于，包括：在第一工艺条件下，通过第一电镀液以生成具有第一硬度的第一集成电路桥接件；以及在第二工艺条件下，通过所述第一电镀液以生成具有第二硬度的第二集成电路桥接件。2.根据权利要求1所述的集成电路制作方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括第一电镀温度，所述第二工艺条件包括第二电镀温度。3.根据权利要求2所述的集成电路制作方法，其特征在于，当所述第一电镀温度高于所述第二电镀温度时，所述第一硬度低于所述第二硬度。4.根据权利要求1所述的集成电路制作方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括第一电镀电流密度，所述第二工艺条件包括第二电镀电流密度。5.根据权利要求4所述的集成电路制作方法，其特征在于，当所述第一电镀电流密度高于所述第二电镀电流密度时，所述第一硬度高于所述第二硬度。6.根据权利要求4所述的集成电路制作方法，其特征在于，通过所述第一电镀液以生成具有第二硬度的第二集成电路桥接件包括：在所述第一集成电路桥接件上生成所述第二集成电路桥接件。7.根据权利要求6所述的集成电路制作方法，其特征在于，所述第一集成电路桥接件的高度与所述第二集成电路桥接件的高度比0.23:1至4.33:1的范围内。8.根据权利要求1所述的集成电路制作方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括第一退火温度，所述第二工艺条件包括第二退火温度。9.根据权利要求5所述的集成电路制作方法，其特征在于，当所述第一退火温度高于所述第二退火温度时，所述第一硬度低于所述第二硬度。10.一种集成电路制作方法，其特征在于，包括：在不同工艺条件下，通过第一电镀液以生产具有不同硬度的集成电路桥接件。11.一种根据权利要求1
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10所述的集成电路制作方法制作的集成电路装置。12.一种集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄腾庆，
申请(专利权)人：日月新半导体昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：