一维钙钛矿薄膜、制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种一维钙钛矿薄膜、制备方法及应用，涉及钙钛矿薄膜技术领域，一维钙钛矿薄膜的制备方法，包括成膜，所述成膜是溶液中的一维钙钛矿前驱体以钙钛矿量子点作为初始结晶位点进行结晶、成膜；所述钙钛矿量子点的粒径3

【技术实现步骤摘要】
一维钙钛矿薄膜、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及钙钛矿薄膜
，尤其是涉及一种一维钙钛矿薄膜、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]近年来，有机无机杂化钙钛矿引起了研究者们的广泛关注。由于有机无机杂化钙钛矿具备非常优异的光子吸收能力，其常被作为活性层被应用到太阳能电池或发光二极管等各类光电器件中。此外，通过简单的溶液涂布工艺可以制备出高质量的钙钛矿薄膜，这使得有机无机杂化钙钛矿量产的成本大大降低。上述优点使得钙钛矿近年来在学术界与工业界的进展十分迅猛。然而，常用的三维钙钛矿(甲胺铅碘、甲脒铅碘、铯铅碘体系)在外界环境中的稳定性不佳，这影响了它的商业化进程。相比之下，具备优异环境稳定性的一维钙钛矿提供了另一种可选择的思路。
[0003]三维钙钛矿与一维钙钛矿的结构示意图如图1所示。可以看到，相比于三维钙钛矿中铅碘八面体“点对点”的连接，一维钙钛矿中八面体为“面对面”连接，这种结构上的特点使得一维钙钛矿具备一些特殊的性能。相比于三维钙钛矿与量子点，一维钙钛矿具有结晶取向性高(链状结构)、各向异性强等特点，因而难以形成高致密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括成膜，所述成膜是溶液中的一维钙钛矿前驱体以钙钛矿量子点作为初始结晶位点进行结晶、成膜；所述钙钛矿量子点的粒径3
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10nm。2.根据权利要求1所述的一维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜是采用旋涂法将一维钙钛矿前驱体溶液旋涂在钙钛矿量子点层上，然后进行反溶剂结晶和退火，得到一维钙钛矿薄膜；优选地，所述钙钛矿量子点层上一维钙钛矿前驱体溶液的用量为22
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45μL/cm2；优选地，所述旋涂包括低速旋涂和高速旋涂；优选地，所述低速旋涂中，基片的转速为1500
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2000rpm，加速度500
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800rpm/s2，旋涂时间为8
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10s；优选地，所述高速旋涂中，基片的转速为5000
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6000rpm，加速度1000
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2000rpm/s2，旋涂时间为30
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35s。3.根据权利要求2所述的一维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿量子点层是采用旋涂法将钙钛矿量子点溶液预旋涂在基片上，然后进行退火得到；优选地，所述预旋涂步骤中基片上钙钛矿量子点溶液的用量为22
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45μL/cm2；优选地，所述预旋涂步骤中钙钛矿量子点溶液浓度为1
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20mg/ml；优选地，所述预旋涂步骤中，基片的转速为3500
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5000rpm，加速度2000
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3000rpm/s2，旋涂时间为25
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40s。4.根据权利要求1所述的一维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜是采用旋涂法将含有钙钛矿量子点的一维钙钛矿前驱体溶液旋涂在基片上，然后进行反溶剂结晶和退火，得到一维钙钛矿薄膜；优选地，所述基片上含有钙钛矿量子点的一维钙钛矿前驱体溶液的用量为22
‑
45μL/cm2；优选地，所述旋涂包括低速旋涂和高速旋涂；优选地，所述低速旋涂中，基片的转速为1500
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2000rpm，加速度500
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800rpm/s2，旋涂时间为8
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10s；优选地，所述高速旋涂中，基片的转速为5000
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6000rpm，加速度1000
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2000rpm/s2，旋涂时间为30
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35s；优选地，所述含有钙钛矿量子点的一维钙钛矿前驱体溶液中钙钛矿量子点的浓度为1
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10mg/ml。5.根据权利要求2或4所述的一维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述反溶剂结晶是在所述高速旋涂进行至25
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30s时，迅速向基片上滴加反溶剂；所述反溶剂为氯苯、乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐帆，张姝燕，刘娜，张梦，李子坤，
申请(专利权)人：深圳市贝特瑞新能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：