【技术实现步骤摘要】
一种全纤化40
μ
m芯径光子晶体光纤放大器制作方法及放大器
[0001]本专利技术属于高功率激光器
,具体地说涉及一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法及放大器。
技术介绍
[0002]随着激光加工市场对加工效率、加工质量需求的日益提高,对高功率且高光束质量的超短脉冲激光器的需求也越来越高。在超短脉冲光纤激光器中,由于光纤中的非线性效应、热损伤等物理机制限制了功率不断提高,因此,需要扩大纤芯直径来有效降低非线性效应。但是,当模场面积变大后,普通光纤不能再保持单模传输特性,从而导致激光器输出光的光束质量降低,而大模场光子晶体光纤能够在提高芯径的同时,保持单模传输特性。因此,大模场光子晶体光纤在高功率光纤激光器中得到了越来越广泛的应用。
[0003]目前,为了满足高功率的要求,市面上的40μm光子晶体光纤放大器大多采用反向泵浦,将空间泵浦光从光纤尾端通过透镜注入光纤,来规避熔接质量不佳所带来的影响,但这大大牺牲了系统的灵活性、稳定性和可靠性。相较于反向泵浦,同向泵浦将泵浦光通过前端的光纤 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法,其特征在于,包括:将多根输入光纤分别与合束器的输入端口连接,所述输入光纤包括芯径为10μm的信号保偏光纤以及多根泵浦光纤,将输出保偏光纤的输入端与合束器的输出端口连接,所述输出保偏光纤的芯径为20μm;将输出保偏光纤的输出端与芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输入端熔接,将芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输出端与端帽熔接。2.根据权利要求1所述的一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法,其特征在于,将输出保偏光纤的输出端与芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输入端熔接,具体为:对所述输出保偏光纤的输出端进行端面切割;对芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输入端进行端面切割;设置第一主熔功率P1、第一主熔时间T1、第一预熔功率P2、第一预熔时间T2以及重叠量,对输出保偏光纤的输出端与芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输入端进行2~4次熔接形成第一熔接点。3.根据权利要求2所述的一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法,其特征在于,所述第一主熔功率P1为500~580bit,所述第一主熔时间T1为1500~2000ms,所述第一预熔功率P2为520~590bit,所述第一预熔时间T2为100~300ms,所述重叠量为7~14μm。4.根据权利要求2所述的一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法,其特征在于,将芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输出端与端帽熔接,具体为:对芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输出端进行端面切割;将端帽置于端帽夹具中;设置第二主熔功率P3、第二主熔时间T3、第二预熔功率P4以及第二预熔时间T4,对芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输出端与端帽进行2~4次熔接形成第二熔接点。5.根据权利要求4所述的一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李剑彬,向祥军,康民强,张帆,郑钧文,田小程,周丹丹,张锐,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心,
类型:发明
国别省市:
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