一种钨化学机械抛光液及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、铁盐催化剂、氧化剂、稳定剂、速率抑制剂、醛基化合物和水。本发明专利技术中的速率抑制剂可与醛基化合物生成希夫碱，利用希夫碱键对温度的敏感性，实现被抛光表面不平整度的调节，提高抛光表面质量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种钨化学机械抛光液及其应用


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，具体涉及一种钨化学机械抛光液及其应用。

技术介绍

[0002]随着半导体器件尺寸的逐渐缩小和金属层数的不断增加，金属层和绝缘介质层的化学机械抛光技术变得尤为关键。
[0003]在化学机械抛光(CMP)过程中，衬底的上表面与抛光垫直接接触，并在一定的压力作用下相对于抛光垫做旋转运动，同时，向抛光垫表面施加一种含磨料的混合物(通常被称为抛光液)，借助于抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械作用来完成衬底表面的平坦化。
[0004]众所周知，在金属层的抛光工艺中，通常先由氧化剂在金属表面形成硬度较小的金属氧化物(MO
x
)，然后通过磨料的研磨作用将该氧化层机械去除，产生新的金属表面继续被氧化，重复上述过程直至抛光完成。
[0005]作为化学机械抛光(CMP)对象之一的金属钨，在高电流密度下的抗电子迁移能力强，具有优秀的孔洞填充能力，且能够与硅形成很好的欧姆接触，所以可作为接触窗及介层洞的填充金属及扩散阻挡层。
[0006]目前钨的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钨化学机械抛光液，其特征在于，包括二氧化硅磨料、铁盐催化剂、氧化剂、稳定剂、速率抑制剂、醛基化合物和水；其中，所述速率抑制剂为含有伯胺基的小分子含氮化合物；优选地，所述速率抑制剂为除脯氨酸之外的α
‑
氨基酸、具有伯胺基的含氮杂环、脂肪族或芳香族伯胺中的至少任一种。2.根据权利要求1所述的钨化学机械抛光液，其特征在于，以质量百分含量计，所述钨化学机械抛光液包括1
‑
10％的二氧化硅磨料、0.001
‑
0.1％的铁盐催化剂、1.5
‑
2.5％氧化剂、0.01
‑
0.2％的稳定剂、0.005
‑
0.2％的速率抑制剂，0.001
‑
0.1％的醛基化合物，余量为水；优选地，包括1
‑
5％的二氧化硅磨料、0.01
‑
0.1％的铁盐催化剂、2.0％的氧化剂、0.05
‑
0.2％的稳定剂、0.01
‑
0.2％的速率抑制剂，0.005
‑
0.1％的醛基化合物，余量为水。3.根据权利要求1或2所述的钨化学机械抛光液，其特征在于，所述α
‑
氨基酸选自甘氨酸、丙氨酸、谷氨酸、亮氨酸、酪氨酸、丝氨酸、组氨酸、缬氨酸、赖氨酸或精氨酸中的一种或几种；优选选自甘氨酸或赖氨酸中的一种或两种。4.根据权利要求1或2所述的钨化学机械抛光液，其特征在于，所述具有伯胺基的含氮杂环选自3
‑
氨基
‑
1,2,4
‑
三氮唑、3,5
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞芹，崔晓坤，卞鹏程，王庆伟，徐贺，李国庆，王永东，卫旻嵩，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：