半导体装置以及电压控制方法制造方法及图纸

提供能够使所生成的电压迅速地稳定的半导体装置。半导体装置具备：误差放大器(AMP1)，生成与输出电压(VH)和基准电压(VREFH)之差相应的误差电压；驱动晶体管(MP11)，具有被供给误差电压的栅极和输出输出电压(VH)的漏极或者源极；第1开关(MP13)，通过成为接通状态，以使驱动晶体管(MP11)的状态趋向截止状态的方式调节驱动晶体管(MP11)的栅极的电压；负载电路，被供给输出电压(VH)；以及控制部，控制负载电路的动作序列，并且在包括负载电路的负载发生变化的定时的第1期间，使第1开关(MP13)成为接通状态。接通状态。接通状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电压控制方法


[0001]本公开涉及在半导体装置以及半导体装置中使用的电压控制方法。

技术介绍

[0002]在半导体装置中常常使用电压调节器。在专利文献1中公开了能够抑制在输出电压中产生过大的过冲的电压调节器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
67394号公报

技术实现思路

[0006]在半导体装置中，期望使由电压调节器生成的电压快速地稳定，期待更快的稳定化。
[0007]最好提供能够使所生成的电压快速地稳定的半导体装置以及电压控制方法。
[0008]本公开的一个实施方式中的半导体装置具备误差放大器、驱动晶体管、第1开关、负载电路以及控制部。误差放大器构成为生成与输出电压和基准电压之差相应的误差电压。驱动晶体管具有被供给误差电压的栅极和输出输出电压的漏极或者源极。第1开关构成为通过成为接通状态，以使驱动晶体管的状态趋向截止状态的方式调节驱动晶体管的栅极的电压。负载电路构成为被供给输出电压。控制部构成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：误差放大器，生成与输出电压和基准电压之差相应的误差电压；驱动晶体管，具有被供给所述误差电压的栅极和输出所述输出电压的漏极或者源极；第1开关，通过成为接通状态，以使所述驱动晶体管的状态趋向截止状态的方式调节所述驱动晶体管的所述栅极的电压；负载电路，被供给所述输出电压；以及控制部，控制所述负载电路的动作序列，并且在包括所述负载电路的负载发生变化的定时的第1期间，使所述第1开关成为接通状态。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1开关设置于将被施加预定的电压的电压节点与所述驱动晶体管的所述栅极进行连结的第1路径。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备晶体管，该晶体管设置于所述第1路径，具有栅极、与所述栅极连接的漏极以及源极。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第1开关通过成为接通状态，将所述电压节点与所述驱动晶体管的所述栅极进行连接。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备第2开关，该第2开关设置于将所述电压节点与所述驱动晶体管的所述栅极进行连结的第2路径，通过成为接通状态，将所述电压节点与所述驱动晶体管的所述栅极进行连接。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1期间包括所述负载电路的负载从第1负载状态变化为负载比所述第1负载状态重的第2负载状态的定时。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1期间包括所述负载电路的负载从比第1负载状态重的第2负载状态变化为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：西野理市，森阳太郎，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：