具有偏振检测像素阵列的堆叠式图像传感器制造技术

一种传感器(233)包括第一图像像素阵列(201)和第二图像像素阵列(251)，该第一图像像素阵列包括多个第一图像像素(P1、P2、P3Pn、370)，该第二图像像素阵列包括多个第二图像像素(380)。在该多个第一图像像素(P1、P2、P3Pn、370)和该多个第二图像像素(380)之间设置有偏振层(355)。入射到该多个第二图像像素(380)上的场景光(339)传播穿过该多个第一图像像素(P1、P2、P3Pn、370)和偏振层(355)，而到达该多个第二图像像素(380)。个第二图像像素(380)。个第二图像像素(380)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有偏振检测像素阵列的堆叠式图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月15日提交的、美国临时申请号为63/025,370的优先权，该申请通过引用合并于此。


[0003]本公开总体上涉及光学和图像传感器。

技术介绍

[0004]在消费类电子产品中，摄像头随处可见。例如，智能手机、平板电脑、运动型摄像机、笔记本电脑、甚至监控器均可以包含摄像头。通常，包含在消费类电子产品中的摄像头包括配备有互补金属氧化物半导体(complementary metal
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oxide semiconductor，CMOS)图像传感器的镜头组件，以采集彩色图像。在特定的情境中，除彩色图像之外，还对其他数据进行采集可能是有利的。

技术实现思路

[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种堆叠式传感器，该堆叠式传感器包括第一图像像素阵列和第二图像像素阵列；该第一图像像素阵列包括多个第一图像像素，该第二图像像素阵列包括多个第二图像像素和偏振层，其中：该偏振层设置在该多个第一图像像素和该多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种堆叠式传感器，包括：第一图像像素阵列，所述第一图像像素阵列包括多个第一图像像素；以及第二图像像素阵列，所述第二图像像素阵列包括多个第二图像像素和偏振层，其中：所述偏振层设置在所述多个第一图像像素与所述多个第二图像像素之间，并且入射到所述多个第二图像像素上的场景光传播穿过所述多个第一图像像素和所述偏振层，而到达所述多个第二图像像素。2.根据权利要求1所述的堆叠式传感器，其中，所述多个第一图像像素的硅衬底仅允许所述场景光的红外部分传播穿过所述多个第一图像像素到达所述多个第二图像像素。3.根据权利要求1或2所述的堆叠式传感器，其中：所述第一图像像素阵列被配置为采集入射的所述场景光的红
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绿
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蓝(RGB)图像，并且所述第二图像像素阵列被配置为采集偏振图像，所述偏振图像包括传播穿过所述多个第一图像像素的入射的所述场景光的多个偏振方向。4.根据任一前述权利要求所述的堆叠式传感器，其中：所述第一图像像素阵列被配置为采集入射的所述场景光的近红外图像，并且所述第二图像像素阵列被配置为采集偏振图像，所述偏振图像包括入射的所述场景光的多个偏振方向。5.根据任一前述权利要求所述的堆叠式图像传感器，其中：所述偏振层包括多个偏振滤光器，并且所述多个中的各偏振滤光器被配置为允许所述场景光的不同偏振方向通过。6.根据任一前述权利要求所述的堆叠式图像传感器，其中，所述第一图像像素阵列被结合到所述第二图像像素阵列。7.根据任一前述权利要求所述的堆叠式图像传感器，其中：所述第一图像像素阵列为背照式(BSI)图像像素阵列，并且所述第二图像像素阵列为前照式(FSI)偏振敏感硅芯片；优选地，其中，所述偏振层至少部分地由所述BSI图像像素阵列的金属互连层形成。8.根据任一前述权利要求所述的堆叠式图像传感器，其中：所述偏振层包括多个偏振滤光器，并且所述多个偏振滤光器中的各偏振滤光器的偏振轴具有不同方向；优选地，其中，所述偏振滤光器包括线栅线偏振器和/或聚乙烯醇(PVA)线偏振器。9.一种摄像系统，包括：第一图像像素阵列，所述第一图像像素阵列包括多个第一图像像素；第二图像像素阵列，所述第二图像像素阵列包括多个第二图像像素和偏振层；以及处理逻辑，所述处理逻辑被配置为接收来自...

【专利技术属性】
技术研发人员：马努基，
申请(专利权)人：元平台技术有限公司，
类型：发明
国别省市：