【技术实现步骤摘要】
试样观察装置以及方法
[0001]本专利技术涉及试样观察技术，例如涉及具有对半导体晶片等试样中的缺陷、异常等(有时统称为缺陷)和电路图案等进行观察的功能的装置等。
技术介绍
[0002]例如在半导体晶片的制造中，为了确保收益，迅速地启动制造工艺，尽早地转移到高成品率的量产体制是重要的。为了该目的，在制造生产线中导入了各种检查装置、观察装置以及测量装置等。作为试样的半导体晶片例如在检查装置中进行缺陷的检查，表示半导体晶片的面上的缺陷的位置的坐标信息作为缺陷位置信息从检查装置输出。试样观察装置根据该缺陷位置信息，以高分辨率拍摄作为对象的半导体晶片中的缺陷的位置、部位。作为试样观察装置，例如使用利用了扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope：SEM)的观察装置(也称为复查SEM)。
[0003]基于复查SEM的观察作业在半导体晶片的量产生产线中期望自动化。为了实现该自动化，包含复查SEM的系统具有自动缺陷复查(Automatic Defect Review：ADR)功能和自动缺陷分类(Au...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种试样观察装置，具有：拍摄装置；以及处理器，其执行学习高画质图像推定模型的学习处理A和进行缺陷检测的试样观察处理B，其特征在于，所述学习处理A中，执行以下处理：处理A1，取得与学习用试样相关的1个以上的学习用缺陷位置；处理A2，按所述学习用缺陷位置，取得第一拍摄条件下的学习用低画质图像；处理A3，取得学习用高画质图像的拍摄张数相关的第一设定值；处理A4，按所述学习用缺陷位置执行以下处理：处理A4a，根据所述第一设定值，决定所述学习用高画质图像的拍摄张数，处理A4b，根据在处理A4a中决定出的拍摄张数，决定拍摄所述学习用高画质图像的位置即1个以上的拍摄点，处理A4c，针对在处理A4b中决定出的1个以上的所述拍摄点的每一个，取得第二拍摄条件下的所述学习用高画质图像；处理A5，使用所述学习用低画质图像以及所述学习用高画质图像来学习所述高画质图像推定模型；以及处理A6，使用所述高画质图像推定模型来调整缺陷检测参数，所述试样观察处理B中，根据调整后的所述缺陷检测参数，执行以下处理：处理B1，在所述第一拍摄条件下，取得观察对象试样的缺陷位置的第一检查图像；以及处理B2，根据所述第一检查图像，检测所述观察对象试样的缺陷候补。2.根据权利要求1所述的试样观察装置，其特征在于，所述处理器根据用户的输入，设定所述拍摄张数相关的所述第一设定值。3.根据权利要求1所述的试样观察装置，其特征在于，所述处理器在决定所述拍摄点时，根据所述学习用低画质图像中的缺陷候补的特征量，决定每个所述缺陷候补的优先级，根据每个所述缺陷候补的优先级，以成为所述拍摄张数以下的方式，从所述学习用低画质图像的多个缺陷候补中选择在所述第二拍摄条件下拍摄的多个缺陷候补，决定用于拍摄选择出的所述多个缺陷候补的所述拍摄点。4.根据权利要求3所述的试样观察装置，其特征在于，所述处理器在决定所述拍摄点时，在所述学习用低画质图像中若干缺陷候补接近的情况下，决定所述拍摄点，使得以所述拍摄点为中心的区域为包含所述若干缺陷候补的1个区域。5.根据权利要求1所述的试样观察装置，其特征在于，所述学习处理中，按所述学习用缺陷位置，在所述第一拍摄条件下，取得与所述学习用低画质图像对应起来的、不包含缺陷的学习用参照图像，使用所述学习用参照图像来学习所述模型，所述试样观察处理中，
按所述观察对象试样的缺陷位置，在所述第一拍摄条件下，取得与所述第一检查图像对应起来的、不包含缺陷的第一参照图像，根据所述第一检查图像与所述第一参照图像的比较，计算所述缺陷候补的位置及特征量。6.根据权利要求5所述的试样观察装置，其特征在于，所述处理器在取得所述学习用参照图像时，通过在所述第一拍摄条件下由所述拍摄装置进行拍摄来取得所述学习用参照图像，所述处理器在取得所述第一参照图...
【专利技术属性】
技术研发人员：土居悠辉，近藤直明，原田实，中山英树，岭川阳平，高木裕治，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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