一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器，其特征在于，包括底面开口的金属罩、能量柱、电极针、绝缘体、金属底座和高压静电发生器；金属罩的开口端固定在金属底座上；能量柱位于金属罩内且一端固定在金属底座上，与金属底座连接的能量柱端部设置有与外界相通的盲孔；电极针的一端设置在盲孔内，另一端裸露在盲孔之外；绝缘体设置在盲孔的端部且位于电极针和盲孔的内壁之间；高压静电发生器分别与金属罩和电极针电连接；本实用新型专利技术激发器能够产生密度非常大的超低温等离子流，等离子密度达到30000/cm3以上，空气中的H、O2和H2O在超低温等离子体中能够实现氧鎓离子的形成，解决了氧鎓离子获取难的问题。解决了氧鎓离子获取难的问题。解决了氧鎓离子获取难的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器


[0001]本技术涉及氧鎓离子激发
，具体涉及一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器。

技术介绍

[0002]在物理化学中，用统计的方法对核外电子空间分布做形象描绘，电子存在波粒二象性，它不像宏观物体的运动那样没有确定的轨道和运动轨迹。不能预言它在某一时刻酒精出现在核外空间的哪个地方，只能观察它在某处出看上去好像一片带负电的云状物笼罩在原子核周围，因此被称为“电子云”。在量子力学中，用一个波函数Ψ(x，y，z)表征电子的运动状态，并且用它的模的平方值|Ψ|2表示单位体积内电子在核外空间某处出现的几率密度，实际上就是|Ψ|2在空间的分布。
[0003]原子化学和分子化学中，原子和分子实际上不停的在振动，也就意味着电子云在不停的变化，一会是这样，一会是那样，因此我们不可能用一个式子描述一个分子的所有状态，但是电子的运动是有一定范围的，那么就会有极限状态。我们可以用一系列共振极限式来描述H
+
和H2O的极限状态，H3O
+
这个结构是氧原子拿出了自己的一对孤电子与氢离子成键，结构中氧就等于带了个正电荷。
[0004]氧鎓离子结构中的H3O
+
离子由于它的结构决定了它的属性，比之于活性最为强烈的O
‑
离子，更具有强烈的氧化性和还原反应能力。由于氧鎓离子难以获取，类型单一，因此对其应用实际呈较局限性，因此，亟需一种能够激发形成氧鎓离子的激发装置。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器，该激发器能够使空气中的H、O2和H2O形成氧鎓离子，解决了氧鎓离子获取难的问题，并为长链有机分子的分解和有机物的化合带来极为重要的重要价值和意义。
[0006]为了实现本技术的上述目的，特采用以下技术方案：
[0007]本技术第一方面提供一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器，所述激发器包括底面开口的金属罩、能量柱、电极针、绝缘体、金属底座和高压静电发生器；
[0008]所述金属罩的开口端固定在所述金属底座上；
[0009]所述能量柱位于所述金属罩内且一端固定在所述金属底座上，与所述金属底座连接的所述能量柱端部设置有与外界相通的盲孔；
[0010]所述电极针的一端设置在所述盲孔内，另一端裸露在所述盲孔之外；
[0011]所述绝缘体设置在所述盲孔的端部且位于所述电极针和所述盲孔的内壁之间。
[0012]所述高压静电发生器分别与所述金属罩和电极针电连接。
[0013]优选地，所述金属罩和金属底座材质为铁或铜。
[0014]优选地，所述金属罩形状为钟形。
[0015]优选地，所述高压静电发生器产生的静电电压不低于10kV。
[0016]优选地，所述绝缘体材质为环氧树脂。
[0017]优选地，所述金钟罩与所述高压静电发生器的阴极电连接；所述电极针与所述高压静电发生器的阳极电连接。
[0018]优选地，所述电极针材质为Cr20Ni80。
[0019]优选地，所述能量柱在高压静电下能够激发超低温等离子流(等离子体)；更优选地，所述能量柱材质为本技术多面体离子化合物复合陶瓷，所述多面体离子化合物复合陶瓷由包括如下重量份原料制得：
[0020]α
‑
氧化铝35～45份、四氧化三铁12～18份、氧化锆8～12份、有机
‑
无机杂化钍多酸盐8～12份、氟化钙8～12份和反萤石型化合物12～18份。
[0021]在本技术中α
‑
Al2O3晶体中加入Fe
3+
后，O2‑
构成HCP结构，Al
3+
占据八面体间隙，每个O2‑
同时与4个Al
3+
形成离子键有1/3的八面体间隙是空的，Al
3+
只占据了2/3的八面体间隙，Al
3+
的排布满足同类离子尽可能远离的规则；α
‑
Al2O3的结构胞：|O
A
Al
D
O
B
Al
E
O
A
Al
F
O
B
Al
d
O
A
Al
E
O
B
Al
F
|O
A
Al
D
O
B
Al
E
…
；O2‑
总数＝6
×
1/6+2
×
1/2+3
×
3+2
×
1/3
×
6+2＝17；Al
3+
总数＝2
×
6＝12；本技术多面体离子化合物由于多出来的O
‑
而始终存在活跃的电子云。
[0022]本技术通过将上述各原料制成的复合陶瓷可以看成是晶体和晶界组成的多晶体，因此，复合陶瓷晶界具有特殊重要意义，复合陶瓷是由许多微晶聚集的多晶体构成，各晶粒之间的边界称为晶界；
[0023]在复合陶瓷中会发生不同程度的晶界偏析，晶界偏析对复合陶瓷是无益的，但如果能够对晶界偏析进行有效的控制，则可利用这一现象提高套菜材料的性能，本技术通过Fe
3+
嵌入α
‑
Al2O3中，使得晶体周围始终保持活跃的电子云，再通过有机
‑
无机杂化钍多酸盐(通过专利申请号为202010318434.1中实施例1的方法制得)的添加，能够进一步提高活跃离子密度，活跃离子数可达13000～15000e/cm3。
[0024]陶瓷材料中的物质扩散途径主要有表面扩散、晶界扩散和晶粒内扩散，其中陶瓷内部的扩散主要在晶界和晶粒内进行，由于晶界的特殊结构，物质在晶界的扩散速度远比在晶粒内大，晶界扩散系数远高于晶粒内部，晶界成为扩散传质的高速通道，因此，在陶瓷制备过程中的固相反应与烧结、晶粒生长、陶瓷的离子导电性质以及老化蜕变等过程，在很大程度上是受晶界扩散过程所控制，本技术复合陶瓷中通过氧化锆的添加，其作为固体电解质能够促进晶体中正负离子的充分扩散；
[0025]晶界势垒是一种静电势垒，它是在导电晶粒的晶界中，由于点阵周期性的不完整、位错与点阵缺陷的密集、杂质原子的存在以及异相的形成等原因所产生的；电子或空穴具有的能量必须高于晶界势垒才鞥才能穿过晶界，这里就好比在晶体内部形成了无限个量子阱，钍元素在复合陶瓷中能够降低晶界势垒，电子或空穴顺利地从一个阱跳跃到无数个阱，使得晶体周围达到13000～15000e/cm3活跃离子数，总之，负离子形成密堆结构，正离子占据其间隙位置，晶界势垒越小离子迁移越容易，晶体周围的活跃电子云浓度越大。
[0026]优选地，所述反萤石型化合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多面体离子化合物高压静电氧鎓离子流激发器，其特征在于，包括底面开口的金属罩、能量柱、电极针、绝缘体、金属底座和高压静电发生器；所述金属罩的开口端固定在所述金属底座上；所述能量柱位于所述金属罩内且一端固定在所述金属底座上，与所述金属底座连接的所述能量柱端部设置有与外界相通的盲孔；所述电极针的一端设置在所述盲孔内，另一端裸露在所述盲孔之外；所述绝缘体设置在所述盲孔的端部且位于所述电极针和所述盲孔的内壁之间；所述高压静电发生器分别与所述金属罩和电极针电连接。2.根据权利要求1所述的激发器，其特征在于，所述金属罩和金属底座材质为铁或铜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：何庆华，周红卫，王蒙，
申请(专利权)人：民吉科技服务重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：