光探测电路、光探测方法、激光雷达及存储介质技术

技术编号:36063627 阅读:23 留言:0更新日期:2022-12-24 10:29
本申请提供光探测电路、光探测方法、激光雷达及存储介质。光探测电路包括:光探测单元阵列,包括:多个光探测单元,用于接收到光信号而产生相应的电信号;开关阵列,包括多个第一开关单元;每个第一开关单元分别对应耦接至一光探测单元;每个第一开关单元被配置为控制所耦接的光探测单元的工作状态,以使所耦接的光探测单元的信号输出端输出所述电信号;选择单元,用于选择处于工作状态的光探测单元以输出电信号。通过分别对各第一开关单元开关状态的设置,选择将需要工作的光探测单元激活工作,并将无需工作的光探测单元设置成不能被激活,避免激光雷达的测量通道受到由外部干扰光造成的串扰影响,提升探测准确度,亦避免不必要能耗。能耗。能耗。

【技术实现步骤摘要】
光探测电路、光探测方法、激光雷达及存储介质


[0001]本申请涉及光学测距领域,尤其涉及光探测电路、光探测方法、激光雷达及存储介质。

技术介绍

[0002]激光雷达,是通过发射激光并探测激光到达障碍物表面并返回的回波信号来实现对外部探测的设备。
[0003]随着激光雷达精度和分辨率的提高,多探测通道成为主流的发展趋势。比如,32、64、128线的激光雷达,每个“线”指的是一个探测通道。其中,一个探测通道是由激光雷达中一同工作发射激光的至少一个激光器以及探测所述激光的回波信号的至少一个光探测器所构成。
[0004]以下通过示例说明光探测器的工作原理。
[0005]如图1A所示,展示一种示例中光探测器与电压放大器连接的结构示意图。
[0006]图1A中示例性地展示光探测器101可以是硅光电倍增管(Silicon PhotoMultiplier,SiPM)实现。SiPM由多个单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)及相配合的淬灭电阻并联形成,SPAD即为工作在盖革模式下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于激光雷达的光探测电路,其特征在于,包括:光探测单元阵列,包括:多个光探测单元,用于接收到光信号而产生相应的电信号;开关阵列,包括多个第一开关单元;每个第一开关单元分别对应耦接至一光探测单元;每个第一开关单元被配置为控制所耦接的光探测单元的工作状态,以使所耦接的光探测单元的信号输出端输出所述电信号;选择单元,用于选择处于工作状态的光探测单元以输出所述电信号。2.根据权利要求1所述的光探测电路,其特征在于,包括:第一供电端,耦接至供电电源;所述第一开关单元包括:第一开关元件,一端耦接至所述第一供电端,另一端耦接至一光探测单元的一端;所述光探测单元与第一开关元件耦接的一端为信号输出端;其中,所述第一开关元件的开关状态对应于第一供电端与信号输出端之间路径的通断。3.根据权利要求2所述的光探测电路,其特征在于,每个所述第一开关单元还包括:第二开关元件,其一端耦接至所述光探测单元与第一开关元件相耦接的一端,其另一端耦接至接地端;其中,所述第二开关元件的开关状态对应于信号输出端与接地端之间路径的通断。4.根据权利要求3所述的光探测电路,其特征在于,所述第一开关元件和第二开关元件的开关状态设置成相反。5.根据权利要求1所述的光探测电路,其特征在于,包括:供电调节单元,其输出端连接于所述第一供电端,提供可变的供电电源。6.根据权利要求5所述的光探测电路,其特征在于,所述供电电源被调节以输出多种电压值;所述多种电压值分别适配于具有不同工作电压的光探测单元。7.根据权利要求5所述的光探测电路,其特征在于,包括:电平移位单元,其输入端耦接至所述选择单元的输出端,被配置为转换选择单元输出的电压至预设电压范围内。8.根据权利要求7所述的光探测电路,其特征在于,所述电平移位单元包括:至少一个第二开关单元、第一阻抗单元及电流源;每个所述第二开关单元包括:耦接至所述第一供电端的第一端、耦接至所述第一阻抗单元一端的第二端以及耦接至所述选择单元的输出端的控制端;所述控制端用于控制所述第一端和所述第二端的通断;所述第一阻抗单元的另一端耦接至所述电流源一端,所述电流源的另一端耦接至接地端。9.根据权利要求8所述的光探测电路,其特征在于,所述电流源包括:第一电流镜,包括:由至少一对共栅的晶体管分别引出的第一支路和第二支路,其栅极耦接于电流源的控制端;所述第一支路中串联有第二阻抗单元;所述第一支路和第二支路的一端耦接于第二供电端,所述第一支路的另一端经所述第二阻抗单元接地;所述第二供电端和所述第一供电端所接入的电压不同;第二电流镜,包括:由至少一对共栅的晶体管分别引出的第三支路和第四支路;所述第三支路一端串联地耦接至第二支路的另一端,所述第三支路的另一端耦接至接地端;所述
第四支路的一端耦接至所述第一阻抗单元的一端,所述第四支路的另一端接地,以使流经所述第一阻抗单元和所述第二阻抗单元的电流间具有可调节的比例值。10.根据权利要求9所述的光探测电路,其特征在于,所述第四支路包括并联的N个分支路,N≥2,每个分支路中串联有晶体管,其中每个分支路的晶体管能被选择与第三支路中的晶体管之间连接或断开,以调节流经所述第一阻抗单元和所述第二阻抗单元的电流间的比例值。11.根据权利要求8所述的光探测电路,其特征在于,所述电流源包括:第一电流镜,包括:共栅共源连接的至少一个第一PMOS以及至少一个第二PMOS,栅极耦接于电流源的控制端,源极接入第二供电端;第一PMOS的漏极经第二阻抗单元耦接至接地端;其中,所述第二供电端和所述第一供...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈峥涛朱雪洲向少卿
申请(专利权)人:上海禾赛科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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