一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用技术

本发明专利技术公开了一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用，包括以下步骤：步骤一：采用液相外延法制备铋掺钇铁石榴石晶体；步骤二：按照摩尔比称量制备熔体的粉末状氧化物原料，将氧化物原料混合搅拌均匀；步骤三：将搅拌混合均匀的氧化物原料添加到铂金制成的坩埚中，在1050℃下熔化至少12h得到熔体；步骤四：衬底GGG的清洗，将GGG衬底依次经过三氯乙烯，去离子水漂洗；酸溶液，去离子水漂洗；碱溶液，去离子水清洗和氨水，去离子水漂洗，最后异丙醇蒸馏；通过清洗工艺对GGG衬底进行清洗，高洁净度的GGG衬底不仅可以使得熔体内金属离子完美附着，有效减小膜内缺陷产生，还可以减少杂质离子进入熔体，保证膜内成分的稳定。保证膜内成分的稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用


[0001]本专利技术涉及晶体
，具体涉及一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用。

技术介绍

[0002]中国专利CN202111359070.2公开了一种离子掺杂钆镓石榴石晶片的加工方法，包括以下步骤：步骤一、机械研磨：室温下，将GGG粗晶片放置在铸铁盘中，然后加入研磨液，进行机械研磨，得粗磨GGG晶片，控制研磨速度为60
‑
65r/min，研磨压力105
‑
108g/cm2，研磨时间为30
‑
40min，研磨液为氧化铝(粒径为4
‑
6μm)和去离子水超声振荡20
‑
30min获得，且氧化铝的浓度为0.05
‑
0.07g/mL；步骤二、机械抛光：采用IC1000抛光垫作为机械抛光用抛光垫，修整抛光垫，装载好粗磨GGG晶片，流入机械抛光液，然后在室温下进行机械抛光，得机械抛光后的GGG晶片，其中，抛光压力125g/cm2，抛光盘转速60r/min，抛光时间为20r/>‑
3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铋掺钇铁石榴石晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：采用液相外延法制备铋掺钇铁石榴石(Bi：RIG)晶体；步骤二：按照摩尔比称量制备熔体的粉末状氧化物原料，并将氧化物原料混合搅拌均匀；步骤三：将搅拌混合均匀的氧化物原料添加到铂金制成的坩埚中，在1050℃下熔化至少12h得到熔体；步骤四：衬底GGG的清洗，将GGG衬底依次经过三氯乙烯(C2HCl 3
)，去离子水漂洗；酸溶液，去离子水漂洗；碱溶液，去离子水清洗和氨水，去离子水漂洗，最后异丙醇蒸馏；步骤五：经清洗后洁净的GGG衬底，缓慢放入经过降温已处于过饱和亚稳定态的熔体中，通过控制衬底转速、生长温度和生长时间来实现晶体的生长。2.根据权利要求1所述的一种铋掺钇铁石榴石晶体生长方法,其特征在于，所述粉末状氧化物原料包括Gd2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi 2
O3的混合物。3.根据权利要求2所述的一种铋掺钇铁石榴石晶体生长方法,其特征在于，所述粉末状氧化物Gd2O3：Ga2O3：Fe2O3：Bi 2
O3的摩尔比具体数值为1:1:1.67:15。4.根据权利要求1所述的一种铋掺钇铁石榴石晶体生长方法,其特征在于，步骤三中对氧化物原料的添加时，粉末状氧化物的体积过大时，无法一次性加入坩埚中，添料需要经过添料
‑
熔化

【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，龚瑞，刘照俊，王玉，
申请(专利权)人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：