压控振荡器用稳幅电路制造技术

本发明专利技术公开了一种涉及稳幅技术的压控振荡器用稳幅电路，由压控振荡器、幅度检测电路和第一比较器组成，压控振荡器的两输出端分别与幅度检测电路两输入端连接，幅度检测电路的输出端与第一比较器的反向输入端连接，第一比较器的正向输入端接参考电压，在幅度检测电路与压控振荡器之间设有第二比较器和电荷泵，第二比较器的反向输入端与幅度检测电路的输出端连接，电荷泵由上电流源，下电流源，开关管和单位增益放大器组成。本发明专利技术通过幅度检测器检测压控振荡器输出幅度的大小，得到的直流电平再通过比较器和参考电压比较，比较结果通过门电路输出控制电荷泵的充放电，从而在环路滤波器上产生一个合适的偏置电压，做为压控振荡器尾电流管的偏置。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种涉及稳幅技术的压控振荡器用稳幅电路，由压控振荡器（１００）、幅度检测电路（２００）和第一比较器（３００）组成，压控振荡器（１００）的两输出端（Ｕ２和Ｕ３）分别与幅度检测电路（２００）两输入端连接，幅度检测电路（２００）的输出端与第一比较器（３００）的反向输入端连接，第一比较器（３００）的正向输入端接参考电压（Ｖｒｅｆｈ），其特征在于在幅度检测电路（２００）与压控振荡器（１００）之间设有第二比较器（４００）和电荷泵（５００），第二比较器（４００）的反向输入端与幅度检测电路（２００）的输出端连接，第二比较器（４００）的正向输入端接参考电压（Ｖｒｅｆｌ），电荷泵（５００）由上电流源，下电流源，开关管和单位增益放大器（７００）组成，ＰＭＯＳ管（ＰＭ１８和ＰＭ１９）串连，组成上电流源，其栅端分别外接偏置电压（ＶＢ５和ＶＢ６），ＰＭＯＳ管（ＰＭ１９）的源端接电源，ＰＭＯＳ管（ＰＭ１９）的漏端接ＰＭＯＳ管（ＰＭ１８）的源，ＰＭＯＳ管（ＰＭ１８）的漏接ＮＭＯＳ管（ＮＭ１９、ＮＭ２１）的漏端和ＰＭＯＳ管（ＰＭ１４、ＰＭ１５）的源端；ＮＭＯＳ管（ＮＭ２３和ＮＭ２４）串连，组成下电流源，其栅端分别外接偏置电压（ＶＢ４和ＶＢ３），ＮＭＯＳ管（ＮＭ２４）的源端接地，其漏端接ＮＭＯＳ管（ＮＭ２３）的源端，ＮＭＯＳ管（ＮＭ２３）的漏端接ＮＭＯＳ管（ＮＭ２０，ＮＭ２２）的源端和ＰＭＯＳ管（ＰＭ１６，ＰＭ１７）的漏端，ＮＭＯＳ管（ＮＭ１９），ＮＭＯＳ管（ＮＭ２０），ＮＭＯＳ管（ＮＭ２１），ＮＭＯＳ管（ＮＭ２２）分别和ＰＭＯＳ管（ＰＭ１４），ＰＭＯＳ管（ＰＭ１６），ＰＭＯＳ管（ＰＭ１５），ＰＭＯＳ管（ＰＭ１７）组成互补结构的开关管，控制上下电流源的开启和断开，ＮＭＯＳ管（ＮＭ１９）的源端、ＮＭＯＳ管（ＮＭ２０）的漏端、ＰＭＯＳ管（ＰＭ１４）的漏端和ＰＭＯＳ管（ＰＭ１６）的源端短接后做为电荷泵的输出端（Ｉ１）与压控振荡器（１００）的输入端连接，且与单位增益放大器（７００）的输入正端连接，单位增益放大器（７００）由ＰＭＯＳ管（ＰＭ２０、ＰＭ２１、ＰＭ２１）和ＮＭＯＳ管（ＮＭ２５，ＮＭ２６）组成，ＰＭＯＳ管（ＰＭ２０和ＰＭ２１）构成差分输入，其栅极分别为单位增益放大器（７００）的正端和负端，ＰＭＯＳ管（ＰＭ２０和ＰＭ２１）的源端短接后接ＰＭＯＳ管（ＰＭ２２）的漏端，ＰＭＯＳ管（ＰＭ２２）为尾电流管，栅极外接偏置电压（ＶＢ７），源极接电源，ＮＭＯＳ管...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗岚，孙文，唐守龙，吴烜，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[]