一种超导器件的常温检测方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种超导器件的常温检测方法及系统，包括：选择参考超导器件，测定参考超导器件的常温电阻值以及低温下的工作状态；若参考超导器件在低温条件下的工作状态正常，则将参考超导器件的常温电阻值作为参考值；若参考超导器件的状态不正常，则重新选择参考超导器件；在常温条件下，测试被测超导器件的常温电阻值并与参考值进行对比，判断被测超导器件是否损害。本发明专利技术利用了超导器件的常温特性进行检测，检测方法快速高效，能适用于晶圆上的超导芯片的批量检测。导芯片的批量检测。导芯片的批量检测。

【技术实现步骤摘要】
一种超导器件的常温检测方法及系统


[0001]本专利技术涉及一种超导器件检测领域，特别是涉及一种超导器件的常温检测方法及系统。

技术介绍

[0002]超导体，也称超导材料，是某些在极低的温度下，呈现出零电阻和抗磁性这两个特性的材料。这一使得超导体呈现出超导特性的温度被成为超导临界温度。根据超导临界温度的不同，超导材料可以分为高温超导材料和低温超导材料。在两块超导体之间设置一层薄绝缘层，电子能突破该绝缘层在两块超导体之间流动，这一现象属于宏观量子现象，也被称为约瑟夫森效应。通过超导体
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绝缘体
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超导体(SIS)的“三明治”结构形成最为常见的约瑟夫森结，也叫隧道结。除此之外，约瑟夫森结还有点接触、窄桥型、双晶晶界型以及隧道型等结构形式。若干数量的约瑟夫森结和超导电感为基础组合不同的电子元器件可以构成不同类型的超导器件。如超导量子干涉器件(Superconducting QUantum Interference Device，简写作 SQUID)，包括直流SQUID和射频SQUID，由数量不同的约瑟夫森结构成。这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导器件的常温检测方法，其特征在于，所述超导器件的常温检测方法至少包括：S1、选择参考芯片，验证参考芯片在低温条件下是否状态正常，若所述参考芯片的状态正常，则将所述参考芯片作为参考；若所述参考芯片的状态不正常，则重新选择参考芯片；S2、测定所述参考芯片上的参考超导器件的常温电阻值；S3、测定被测芯片上的被测超导器件的常温电阻值；所述参考超导器件和所述被测超导器件的构造、参数均相同且分别设置于两个芯片上；S4、所述被测超导器件的常温电阻值与所述参考超导器件的常温电阻值进行对比，若误差值小于等于预设值，则判定被测芯片为良品；若误差值大于预设值则判定被测芯片为次品。2.一种超导器件的常温检测方法，其特征在于，所述超导器件的常温检测方法至少包括：S1、选择参考芯片，测定所述参考芯片上参考超导器件的常温电阻值；S2、验证所述参考芯片在低温条件下是否状态正常，若所述参考芯片的状态正常，则将所述参考芯片的常温电阻值作为参考值；若所述参考芯片的状态不正常，则返回步骤S1，重新选择参考芯片；S3、测定被测芯片上的被测超导器件的常温电阻值；所述参考超导器件和所述被测超导器件的构造、参数均相同且分别设置于两个芯片上；S4、所述被测超导器件的常温电阻值与所述参考超导器件的常温电阻值进行对比，若误差值小于等于预设值，则判定被测芯片为良品，若误差值大于预设值则判定被测芯片为次品。3.根据权利要求2所述的超导器件的常温检测方法，其特征在于：步骤S2中，若所述参考芯片在低温条件下状态正常，则在常温下再次测定所述参考超导器件的常温电阻值并与步骤S1中的所述参考超导器件的常温电阻值进行对比，若误差值小于等于预设偏差值，则继续以步骤S1的所述参考芯片的常温电阻值作为参考值，执行步骤S3；若误差值大于预设偏差值，则重新执行步骤S1。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国峰，王永良，邱隆清，荣亮亮，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：