一种Ag溅射靶材EBSD检测的制样方法技术

本发明专利技术涉及一种Ag溅射靶材EBSD检测的制样方法，所述制样方法包括如下步骤：(1)Ag溅射靶材经线切割，得到溅射靶材块；(2)步骤(1)所得溅射靶材块依次经第一机械磨抛、第二机械磨抛以及第三机械磨抛，得到磨抛靶材块；(3)步骤(2)所得磨抛靶材块经化学腐蚀、清洗以及吹干，得到待测样品；步骤(3)所述化学腐蚀所用腐蚀液包括甲醇、氨水以及双氧水的混合液。本发明专利技术通过多次机械磨抛，使得溅射靶材块具有平整的表面，且能够消除表面的变形应力层；通过化学腐蚀进一步抛光，得到平坦光滑且无划痕的待测样品，经EBSD检测后衍射菊池带清晰，标定率较高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种Ag溅射靶材EBSD检测的制样方法


[0001]本专利技术涉及磁控溅射
，具体涉及一种Ag溅射靶材EBSD检测的制样方法。

技术介绍

[0002]高纯度溅射靶材在半导体、显示器以及太阳能电池等对材料纯度与稳定性要求较高的领域应用较为广泛。由于溅射靶材的内部组织均匀性与溅射镀膜的性能密切相关，因此在半导体领域对溅射靶材的纯度、内部微观结构等方面提出了较高的要求。
[0003]CN 112198183A公开了一种C
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SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，对C
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SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测。该专利技术提供的检测方法，通过对检测前样品进行预处理，可以观察到靶材的微观结构，但仅能对较大尺寸晶粒进行检测，且无法进行更加复杂的微观分析。
[0004]电子背散射衍射(EBSD)，是一种保留扫描电子显微镜的常规特点的同时进行空间分辨率亚微米级的衍射，可用于分析溅射靶材的晶粒尺寸、晶界、微观取向织构等微观组织特征。EBSD分析测试要求去除试样的表面应力，从而获取样品表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ag溅射靶材EBSD检测的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括如下步骤：(1)Ag溅射靶材经线切割，得到溅射靶材块；(2)步骤(1)所得溅射靶材块依次经第一机械磨抛、第二机械磨抛以及第三机械磨抛，得到磨抛靶材块；(3)步骤(2)所得磨抛靶材块经化学腐蚀、清洗以及吹干，得到待测样品；步骤(3)所述化学腐蚀所用腐蚀液包括甲醇、氨水以及双氧水的混合液。2.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述Ag溅射靶材中Ag含量＞99.9％。3.根据权利要求1或2所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述溅射靶材块的长度为8
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18mm，宽度为8
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18mm，高度为8
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12mm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述第一机械磨抛为采用220
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280#的SiO2砂纸进行磨抛；优选地，步骤(2)所述第一机械磨抛的时间为3
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5min。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述第二机械磨抛为采用800
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1200#的SiO2砂纸进行磨抛；优选地，步骤(2)所述第二机械磨抛的时间为3
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6min。6.根据权利要求1
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5任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述第三机械磨抛为采用2000
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2500#的SiO2砂纸进行磨抛；优选地，步骤(2)所述第三机械磨抛至所述溅射靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，石春红，钟伟华，温毅博，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：