一种钼钛合金管靶及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种钼钛合金管靶及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)钼粉与钛粉依次经混合、装模、冷压处理、脱模、真空烧结以及整形，得到钼钛合金管坯；(2)步骤(1)所得钼钛合金管坯经包套焊封、脱气处理、热等静压拼接处理、热处理以及第一机加工，得到钼钛合金管；(3)背管与步骤(2)所得钼钛合金管经钎焊与第二机加工，得到所述钼钛合金管靶。本发明专利技术通过先冷压再真空烧结，降低管坯的变形量，进行热等静压拼接处理可得到大尺寸钼钛合金管，再通过热处理去除内部应力，搭配合理的工艺参数，所得钼钛合金管靶致密度高，内部组织结构均匀且晶粒细小，能够用于面板显示领域。域。域。

【技术实现步骤摘要】
一种钼钛合金管靶及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于磁控溅射镀膜
，涉及一种管靶及其制备方法与应用，具体涉及一种钼钛合金管靶及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]靶材主要分为平面靶和管靶，与平面靶相比，管靶具有利用率高、镀膜成分均匀等特点，是磁控溅射镀膜技术中的标准选材。面板显示领域中，对于以钼及钼合金为核心靶材的尺寸要求逐渐增大，对靶材的焊接结合率和平面度要求更高。
[0003]目前主要的管靶生产方法有热喷涂法、浇铸法以及粉末冶金法。热喷涂法是将金属粉采用等离子热喷涂的方式对工件进行喷涂，这种方法制备的管靶致密度低、结构不均匀、含有大量孔洞且含氧量高，只能用于玻璃等要求不高的镀膜行业；浇铸法是直接将靶材材料浇铸到衬管上，但只能用于Sn、Zn等熔点较低的靶材材料；而粉末冶金法制备的管靶成分均匀、晶粒细小且纯度高，能够满足液晶显示和触控屏行业的要求。
[0004]CN 100566921A公开了高密度钼管的制备方法，将钼粉等静压成型后，于氢气保护条件下烧结制备成环形钼管坯，经过锻打与挤压、退火后，进行机械加工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钼钛合金管靶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)钼粉与钛粉依次经混合、装模、冷压处理、脱模、真空烧结以及整形，得到钼钛合金管坯；(2)步骤(1)所得钼钛合金管坯经包套焊封、脱气处理、热等静压拼接处理、热处理以及第一机加工，得到钼钛合金管；(3)背管与步骤(2)所得钼钛合金管经钎焊与第二机加工，得到所述钼钛合金管靶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钼粉的粒度范围为3
‑
5μm；优选地，步骤(1)所述钛粉的粒度范围为20
‑
50μm；优选地，步骤(1)所述混合所得混粉中钛的含量为10
‑
75wt％；优选地，步骤(1)所述混合的介质包括锆球和/或钛球；优选地，步骤(1)所述混合的球料质量比为(0.5
‑
1.75):1；优选地，步骤(1)所述混合的时间为12
‑
48h；优选地，步骤(1)所述混合在氩气气氛中进行。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述装模所用模具包括聚氨酯胶套；优选地，步骤(1)所述冷压处理的压力为200
‑
300MPa，优选为255
‑
290MPa；优选地，步骤(1)所述冷压处理的时间为5
‑
40min，优选为20
‑
30min。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述真空烧结的温度为1200
‑
1950℃，优选为1400
‑
1500℃；优选地，步骤(1)所述真空烧结的时间为5
‑
10h；优选地，步骤(1)所述真空烧结的真空度＜5
×
10
‑3Pa。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述包套焊封所用外包套为钼钛合金管坯接触面经喷砂处理的不锈钢管和/或低碳钢管；优选地，步骤(2)所述包套焊封所用内包套为钼钛合金管坯接触面经喷砂处理的不锈钢管和/或低碳钢管；优选地，步骤(2)所述包套焊封的步骤包括：将内、外包套同轴焊接在不锈钢底板上形成环形腔体，将钼钛合金管坯叠放于环形腔体内，然后将不锈钢盖板焊接在内、外包套的另一端；优选地，步骤(2)所述脱气处理的温度为500
‑
750℃；优选地，步骤(2)所述脱气处理的终点为使真空度＜5
×
10
‑3Pa。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述热等静压拼接处理的温度为1000
‑
1500℃，优选为1380
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，孙慧芳，吴东青，李建，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：