一种PA偏置电路及功率放大器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种PA偏置电路及功率放大器。其中，PA偏置电路包括主电源VCC、电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种PA偏置电路及功率放大器


[0001]本专利技术涉及芯片
，具体涉及一种PA偏置电路及功率放大器。

技术介绍

[0002]功率放大器广泛地应用在各种无线通讯设备及电子系统中，它作为无线发射机中重要部件，各项通信指标都需要满足严格的要求。随着5G技术的推广，功率放大器的频带宽度开始受到密切关注，人们热衷于设计具有良好性能的超宽带功率放大器。然而，一个功率放大器性能的好坏取决于偏置电路的设计。
[0003]如图1所示，现有的偏置电路主要包括电源芯片和PA芯片两部分。电源芯片可以是PMU模块，其主要用于为PA芯片提供电压/电流，以使得PA芯片可以适应在不同温度、不同输出功率下的工作状态要求。图1所示方案中，需要额外的电源芯片来为PA芯片提供电源，从而增加了成本。此外，PA芯片和电源芯片之间往往有很多个接口。例如，常见的Cat1PA和电源直接通常有7个接口，这样，电源和PA的总PAD数量为14个。过多的芯片PAD需要占据大量的芯片面积，会导致过多的绑线连接，从而导致成本上升。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PA偏置电路，其特征在于，包括主电源VCC、电阻R
B1
和PA芯片，所述电阻R
B1
的两端分别连接所述主电源VCC和PA芯片。2.如权利要求1所述的PA偏置电路，其特征在于，所述PA芯片包括Vbe电压电路和偏置电压电路，所述Vbe电压电路接收来自电阻R
B1
的参考电流，并输出Vbe电压，所述偏置电压电路接收所述Vbe电压，并输出偏置电压VB。3.如权利要求2所述的PA偏置电路，其特征在于，所述Vbe电压电路包括HBT管Q
B1
和Q
B2
，所述偏置电压电路包括HBT管Q
B3
，Q
B1
的Collector端与电阻R
B1
连接，Q
B1
的Base端与Q
B3
的base端连接，Q
B1
的Emitter...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃川，周舟，
申请(专利权)人：上海芯达磊电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：