一种PA偏置电路及功率放大器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种PA偏置电路及功率放大器。其中，PA偏置电路包括主电源VCC、电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种PA偏置电路及功率放大器


[0001]本专利技术涉及芯片
，具体涉及一种PA偏置电路及功率放大器。

技术介绍

[0002]功率放大器广泛地应用在各种无线通讯设备及电子系统中，它作为无线发射机中重要部件，各项通信指标都需要满足严格的要求。随着5G技术的推广，功率放大器的频带宽度开始受到密切关注，人们热衷于设计具有良好性能的超宽带功率放大器。然而，一个功率放大器性能的好坏取决于偏置电路的设计。
[0003]如图1所示，现有的偏置电路主要包括电源芯片和PA芯片两部分。电源芯片可以是PMU模块，其主要用于为PA芯片提供电压/电流，以使得PA芯片可以适应在不同温度、不同输出功率下的工作状态要求。图1所示方案中，需要额外的电源芯片来为PA芯片提供电源，从而增加了成本。此外，PA芯片和电源芯片之间往往有很多个接口。例如，常见的Cat1PA和电源直接通常有7个接口，这样，电源和PA的总PAD数量为14个。过多的芯片PAD需要占据大量的芯片面积，会导致过多的绑线连接，从而导致成本上升。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中所提及的技术缺陷，本专利技术实施例的目的在于提供一种PA偏置电路及功率放大器，以降低产品成本。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术实施例提供了一种PA偏置电路，包括主电源VCC、电阻R
B1
和PA芯片，所述电阻R
B1
的两端分别连接所述主电源VCC和PA芯片。
[0006]作为本申请的一种具体实现方式，所述PA芯片包括Vbe电压电路和偏置电压电路，所述Vbe电压电路接收来自电阻R
B1
的参考电流，并输出Vbe电压，所述偏置电压电路接收所述Vbe电压，并输出偏置电压VB。
[0007]进一步地，作为本申请一种更为具体的实现方式，所述Vbe电压电路包括HBT管Q
B1
和Q
B2
，所述偏置电压电路包括HBT管Q
B3
，Q
B1
的Collector端与电阻R
B1
连接，Q
B1
的Base端与Q
B3
的base端连接，Q
B1
的Emitter端与Q
B2
的Base端、Collector端连接；Q
B2
的Emitter端接地；Q
B3
的Emitter端输出偏置电压VB。
[0008]作为本申请的一种具体实现方式，Q
B3
的Emitter端通过一电阻R
B2
输出所述偏置电压VB。
[0009]优选地，所述电阻R
B2
为巴勒斯特电阻。
[0010]进一步地，作为本申请的一种优选实现方式，所述PA芯片还包括储能电路，所述储能电路的一端连接Q
B1
、Q
B3
的Base端，另一端接地。
[0011]优选地，所述储能电路包括电容C
B1
。
[0012]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种功率放大器，包括如上述第一方面所述的PA偏置电路。
[0013]本专利技术实施例所提供的PA偏置电路，不需要额外的电源芯片，而是直接采用PA芯
片的主电源为偏置电路提供电源，从而降低了产品成本。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0015]图1是现有技术中偏置电路的结构图；
[0016]图2是本专利技术实施例提供的PA偏置电路的结构图；
[0017]图3是图2的电路图；
[0018]图4a至图4e是从
‑
35℃到85℃的仿真结果图；
[0019]图5a至5e是在电源电压变化
±
5％的情况下的仿真结果图；
[0020]图6a至图6e是电池的电压变化范围为3.4V—4.2V的仿真结果图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0023]请参考图2及图3，本专利技术实施例提供的PA偏置电路，包括主电源VCC、电阻R
B1
和PA芯片，所述电阻R
B1
的两端分别连接所述主电源VCC和PA芯片。
[0024]其中，PA芯片包括Vbe电压电路、偏置电压电路和储能电路，所述Vbe电压电路接收来自电阻R
B1
的参考电流，并输出Vbe电压，所述偏置电压电路接收所述Vbe电压，并输出偏置电压VB。
[0025]如图3所示，所述Vbe电压电路包括HBT管Q
B1
和Q
B2
，所述偏置电压电路包括HBT管Q
B3
，Q
B1
的Collector端与电阻R
B1
连接，电阻R
B1
的一端还连接Q
B1
的Base端；Q
B1
的Base端与Q
B3
的base端连接，Q
B1
的Emitter端与Q
B2
的Base端、Collector端连接；Q
B2
的Emitter端接地；Q
B3
的Emitter端通过一电阻R
B2
输出偏置电压VB。
[0026]HBT管指的是Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极型晶体管。
[0027]在本实施例中，电阻R
B2
为巴勒斯特电阻，且可以防止因各个功率管温度不均匀导致烧管情况的发生。
[0028]在本实施例中，所述储能电路包括电容C
B1
，其一端连接Q
B1
、Q
B3
的Base端，另一端接地。电容C
B1
的主要作用是使得Q
B3
的Base端交流短路到地，由此可知，Q
B1
和Q
B3
的Base端的直流电压为两个Vbe，而交流电压为零。
[0029]再请参考图3，本实施例中，R
B1
将外加的参考电压转变为参考电流，通过合理的设计，R
B1
的值较高，可近似为恒流源。Q
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PA偏置电路，其特征在于，包括主电源VCC、电阻R
B1
和PA芯片，所述电阻R
B1
的两端分别连接所述主电源VCC和PA芯片。2.如权利要求1所述的PA偏置电路，其特征在于，所述PA芯片包括Vbe电压电路和偏置电压电路，所述Vbe电压电路接收来自电阻R
B1
的参考电流，并输出Vbe电压，所述偏置电压电路接收所述Vbe电压，并输出偏置电压VB。3.如权利要求2所述的PA偏置电路，其特征在于，所述Vbe电压电路包括HBT管Q
B1
和Q
B2
，所述偏置电压电路包括HBT管Q
B3
，Q
B1
的Collector端与电阻R
B1
连接，Q
B1
的Base端与Q
B3
的base端连接，Q
B1
的Emitter...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃川，周舟，
申请(专利权)人：上海芯达磊电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：