电池的制备方法、电池和电子产品技术

技术编号:36032095 阅读:16 留言:0更新日期:2022-12-21 10:34
本发明专利技术公开了一种电池的制备方法、电池和电子产品,上述电池的制备方法包括依次在衬底的一侧表面依次形成第一钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层以及第一电极,在衬底的另一侧表面依次形成第二钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层以及第二电极,通过对第一掺杂层以及第二掺杂层进行臭氧表面处理,经过处理后的掺杂层表面可以有效与透明导电层进行有效复合,可以抑制电池片由于掺杂层绕镀带了的漏电风险。进一步地,在对掺杂层进行臭氧表面化处理后,并通过与增加透明导电层面积的配合下实现提高电池短路电流性能,且电池其他性能也均没有下降,获得兼具较高短路电流、填充因子以及较低的电池失效比例的高电池效率的电池。较低的电池失效比例的高电池效率的电池。较低的电池失效比例的高电池效率的电池。

【技术实现步骤摘要】
电池的制备方法、电池和电子产品


[0001]本专利技术涉及电池领域,特别是涉及一种电池的制备方法、电池和电子产品。

技术介绍

[0002]为了追求更高的光电转换效率,太阳能电池更新迭代也十分迅速,硅异质结太阳能电池(Silicon Heterojunction solar cell,)简称异质结太阳能电池具有结构对称、低温制备工艺、高开路电压、温度特性好以及薄硅片化等优势,属于新一代晶硅太阳电池产品之一。
[0003]传统方法是通过提高电池片转换效率或是通过提高组件发电功率,来提高异质结太阳能电池的电池效率。其中,采用提高电池片短路电流的方式是一种提升电池片传化效率的方法。然而,常规的方法在提高电池片的短路电流的同时,往往也会牺牲电池片的其他电性能参数(如电池片失效比例等)。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要提供一种能够提高电池短路电流进而提高电池效率,且不降低电池的其他电性能参数的电池的制备方法、电池和电子产品。
[0005]本专利技术提供一种电池的制备方法,包括以下步骤:
[0006]S10:提供衬底,所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;
[0007]S20:在所述第一表面上制备第一钝化层,在所述第二表面制备第二钝化层;
[0008]S30:在所述第一钝化层上制备第一掺杂层,在所述第二钝化层上制备第二掺杂层;
[0009]S40:对所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中的至少一层进行臭氧表面处理;
[0010]S50:在所述第一掺杂层上制备第一透明导电层,在所述第二掺杂层上制备第二透明导电层;
[0011]S60:在所述第一透明导电层上制备第一电极,在所述第二透明导电层上制备第二电极。
[0012]在其中一个实施例中,所述步骤S40中臭氧处理的步骤包括:对所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中的至少一层在臭氧浓度为5ppb~15ppb的环境下放置1min~5min。
[0013]在其中一个实施例中,所述步骤S40中臭氧处理中,臭氧的产生方式为采用高压放电、紫外线照射以及电解中的至少一种。
[0014]在其中一个实施例中,所述步骤S20中,所述第一钝化层以及所述第二钝化层的制备方法各自独立地选自等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或低压化学气相沉积的方法。
[0015]在其中一个实施例中,所述步骤S30中,所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层的制备方法各自独立地选自等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或低压化学气相沉积的方法。
[0016]在其中一个实施例中,所述步骤S50中,在氧气含量为5%~8%的气体环境中制备所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层。
[0017]本专利技术还提供一种电池,按照上述的电池的制备方法制得的。
[0018]在其中一个实施例中,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层中至少一层的边缘距所述第二掺杂层的边缘0.2mm~0.5mm。
[0019]在其中一个实施例中,所述衬底、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层的导电类型各自独立地选自N型或P型,所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型不同。
[0020]进一步地,本专利技术还提供一种电子产品,所述电子产品的供电装置包括如上述的电池。
[0021]上述电池制备过程中对于第一掺杂层以及第二掺杂层中的至少一层进行臭氧表面处理,经过处理后的掺杂层表面可以有效与透明导电层进行有效复合,可以抑制电池片由于掺杂层绕镀带来的漏电风险。
[0022]进一步地,在对掺杂层进行臭氧表面化处理后,并增加透明导电层面积实现提高电池短路电流性能,且电池其他性能也均没有下降,获得兼具较高短路电流、填充因子以及较低的电池失效比例的高电池转换效率的电池。
附图说明
[0023]图1为本专利技术电池结构;
[0024]附图说明:10:电池,110:衬底,120a:第一钝化层,120b:第二钝化层,130a:第一掺杂层,130b:第二掺杂层,140a:第一透明导电层,140b:第二透明导电层,150a:第一电极,150b:第二电极。
具体实施方式
[0025]本专利技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。
[0026]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在专利技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中,“若干”的含义是至少一个,例如一个,两个等,除非另有明确具体的限定。
[0027]本专利技术中的词语“优选地”、“更优选地”等是指,在某些情况下可提供某些有益效果的本专利技术实施方案。然而,在相同的情况下或其他情况下,其他实施方案也可能是优选的。此外,对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用,也并非旨在将其他实施方案排除在本专利技术的范围之外。
[0028]当本文中公开一个数值范围时,上述范围视为连续,且包括该范围的最小值及最大值,以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地,当范围是指整数时,包括该范
围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外,当提供多个范围描述特征或特性时,可以合并该范围。换言之,除非另有指明,否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
[0029]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]本专利技术提供一种如图1所示的电池10的制备方法,包括以下步骤S10~S60。
[0031]步骤S10:提供衬底110,衬底110具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。
[0032]在一个具体的示例中,衬底110优选为单晶硅衬底110,进一步地提供衬底110前要对衬底110进行清洗以及双面化学抛光,以除去衬底110表面的油渍、切割损伤层以及形成表面洁净的金字塔陷光结构,上述衬底110的厚度为50μm~300μm,优选地衬底110厚度为100m~200μm。
[0033]步骤S20:在第一表面上制备第一钝化层120a,在第二表面制备第二钝化层120b。
[0034]在一个具体示例中,步骤S20中,第一钝化层120a以及第二钝化层120b的制备方法各自独立地选自等离子体增强化学气相沉积、热丝化本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S10:提供衬底,所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;S20:在所述第一表面上制备第一钝化层,在所述第二表面制备第二钝化层;S30:在所述第一钝化层上制备第一掺杂层,在所述第二钝化层上制备第二掺杂层;S40:对所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中的至少一层进行臭氧表面处理;S50:在所述第一掺杂层上制备第一透明导电层,在所述第二掺杂层上制备第二透明导电层;S60:在所述第一透明导电层上制备第一电极,在所述第二透明导电层上制备第二电极。2.如权利要求1所述的电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S40中臭氧处理的步骤包括:对所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中的至少一层在臭氧浓度为5ppb~15ppb的环境下放置1min~5min。3.如权利要求1所述的电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S40中臭氧处理中,臭氧的产生方式为采用高压放电、紫外线照射以及电解中的至少一种。4.如权利要求1所述的电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S20中,所述第一钝化层以及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵晖蓝仕虎孟凡英刘正新
申请(专利权)人:中威新能源成都有限公司
类型:发明
国别省市:

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