半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质，本发明专利技术涉及半导体技术领域。其中，半导体面积的计算方法包括：根据参考数据集、目标半导体所需的目标电压得到目标半导体的目标电流，其中，预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体。根据该目标电流和预设的参考面积计算出目标半导体的电流密度，再根据目标半导体的电流密度、预设的额定电流计算得到目标半导体的目标有源区面积。最后，根据目标有源区面积确定目标半导体所需的目标面积。本实施例的半导体面积的计算方法通过采用预设参考集以计算目标半导体的面积，以此提高了半导体面积的设计精确度。设计精确度。设计精确度。

【技术实现步骤摘要】
半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，如碳化硅二极管等半导体器件在生产前需要对其面积进行设计，以保证半导体器件符合所需的性能。其中，在半导体器件的面积过小时，会导致半导体器件承受的正向电压偏高，从而影响半导体器件的性能；在半导体器件的面积过大时，会造成产品生产成本增加。
[0003]相关技术中，半导体器件的面积设计存在精度差的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种半导体面积的计算方法，能够提高半导体面积的设计精确度。
[0005]本专利技术还提出一种半导体面积的计算装置，和一种应用上述半导体面积的计算方法的电子设备以及一种应用上述半导体面积的计算方法的计算机可读存储介质。
[0006]根据本专利技术的第一方面实施例的半导体面积的计算方法，包括：
[0007]根据预设的目标电压和预设参考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体面积的计算方法，其特征在于，包括：根据预设的目标电压和预设参考集得到目标半导体的目标电流；其中，所述预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，所述参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体；根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到所述目标半导体的电流密度；根据所述电流密度和预设的额定电流计算得到所述目标半导体的目标有源区面积；根据所述目标有源区面积计算得到目标面积。2.根据权利要求1所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，在所述根据预设的目标电压和预设参考集得到目标电流之前，所述半导体面积的计算方法还包括：构建所述预设参考集，具体包括：获取所述参考半导体在参考电压下的参考电流；根据所述参考电压、所述参考电流构建所述预设参考集。3.根据权利要求2所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，在所述根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到目标半导体的电流密度之前，所述半导体面积的计算方法还包括：获取所述参考有源区面积，具体包括：获取所述参考半导体有源区的参考长度值、参考宽度值、参考圆角半径；根据所述参考长度值、所述参考宽度值、所述参考圆角半径计算得到所述参考有源区面积。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，所述根据所述目标有源区面积计算得到目标面积，包括：根据预设的目标宽长比、所述目标有源区面积计算得到有源区数据；根据所述有源区数据、预设的终端区宽度值计算得到目标边长数据；根据所述目标边长数据计算得到所述目标面积。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，杨承晋，兰华兵，刘涛，
申请(专利权)人：深圳市森国科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：