结构体的制造方法及结构体技术

本发明专利技术提供一种结构体的制造方法及结构体，该结构体的制造方法包括：准备层叠体的工序，该层叠体具有：透明基材、配置于上述透明基材上的遮光性图案1以及配置于上述透明基材和上述遮光性图案上并且与上述透明基材接触的负型感光性树脂层N；从上述透明基材的与设置有上述遮光性图案1的面相反一侧的面向上述负型感光性树脂层N的一部分照射光的工序；通过对被照射光的上述负型感光性树脂层N进行显影，在上述透明基材上形成树脂图案2的工序；以及在由上述遮光性图案1及上述树脂图案2划定的区域形成图案3的工序，所获得的结构体具有上述树脂图案2作为永久膜。上述树脂图案2作为永久膜。上述树脂图案2作为永久膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结构体的制造方法及结构体


[0001]本专利技术涉及一种结构体的制造方法及结构体。

技术介绍

[0002]诸如金属细线之类的导电性图案被用于各种用途中。作为导电性图案的用途，可举出例如触控面板的触控传感器、天线、指纹认证部、可折叠装置及透明FPC(Flexible Printed Circuits：柔性印刷电路)。例如，在制造半导体封装、印刷配线基板以及中介层的再配线层时，在基板上形成微细的导电性图案。作为基材，例如使用薄膜、薄片、金属基板、陶瓷基板或玻璃。
[0003]作为一般的导电性图案的形成方法，例如已知减成法和半加成法(例如，专利文献1和专利文献2)。在减成法中，例如，在用光阻图案保护基板上的导电层之后，通过蚀刻去除未被光阻图案保护的导电层，由此能够形成导电性图案。另一方面，在半加成法中，例如在基材上设置称为晶种(seed)层的无电镀铜镀层之后，在无电镀铜镀层上还设置光阻图案。接着，在没有设置光阻图案的无电镀铜镀层上通过镀覆形成导电性图案之后，去除不需要的光阻图案和无电镀铜镀层(晶种层)。
[0004]专利文献1：日本特开2015
‑
225650号公报
[0005]专利文献2：日本特开2015
‑
065376号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]例如，为了减小导电性图案的电阻，有时会形成厚的导电性图案。然而，在减成法中，由于在配置有导电层的基材的面内方向上也各向同性地进行蚀刻的现象(例如，称为“侧蚀”。)，由光阻图案保护的导电层也可能会被药液浸蚀。由于侧蚀的发生会影响通过蚀刻形成的导电性图案的形态(例如形状和尺寸)，因此有时难以形成例如矩形导电性图案。在半加成法中，由于晶种层与光阻图案之间的密合性，存在导电性图案的形成变得不稳定的问题。并且，由于在去除不必要的晶种层时可能会去除一部分导电性图案，因此半加成法中也存在与减成法相同的问题。
[0008]本专利技术是鉴于上述情况而完成的。
[0009]本专利技术的一实施方式要解决的课题在于提供一种具有降低形态异常的产生(因开裂、剥离、碎裂或侧蚀而引起的锥形形状的产生或因蚀刻的变化而引起的尺寸的变动。以下相同。)的图案的结构体的制造方法。
[0010]并且，本专利技术的另一实施方式要解决的课题在于提供一种具有降低形态异常的产生的图案的结构体。
[0011]用于解决技术课题的手段
[0012]用于解决上述课题的手段中，包括以下方式。
[0013]<1>一种结构体的制造方法，所述制造方法包括：准备层叠体的工序，该层叠体具
有：透明基材、配置于上述透明基材上的遮光性图案1以及配置于上述透明基材和上述遮光性图案1上并且与上述透明基材接触的负型感光性树脂层N；从上述透明基材的与设置有上述遮光性图案1的面相反一侧的面向上述负型感光性树脂层N的一部分照射光的工序；通过对被照射光的上述负型感光性树脂层N进行显影，在上述透明基材上形成树脂图案2的工序；以及在由上述遮光性图案1及上述树脂图案2划定的区域形成图案3的工序，所获得的结构体具有上述树脂图案2作为永久膜。
[0014]<2>根据<1>所述的结构体的制造方法，其中，
[0015]上述遮光性图案1包含金属。
[0016]<3>根据<1>或<2>所述的结构体的制造方法，其中，
[0017]上述图案3具有导电性。
[0018]<4>根据<1>至<3>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0019]上述图案3为通过镀覆法形成的图案。
[0020]<5>根据<1>至<4>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0021]上述遮光性图案1及上述图案3包含相同种类的材料。
[0022]<6>根据<1>至<5>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0023]上述负型感光性树脂层N包含碱溶性高分子、烯属不饱和化合物及光聚合引发剂。
[0024]<7>根据<6>所述的结构体的制造方法，其中，
[0025]上述烯属不饱和化合物包含3官能以上的烯属不饱和化合物。
[0026]<8>根据<6>或<7>所述的结构体的制造方法，其中，
[0027]上述烯属不饱和化合物包含具有二环戊基结构或二环戊烯基结构的二(甲基)丙烯酸酯化合物。
[0028]<9>根据<1>至<5>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0029]上述负型感光性树脂层N包含多官能环氧树脂、含羟基的化合物及光阳离子聚合引发剂。
[0030]<10>根据<1>至<9>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0031]上述负型感光性树脂层N包含金属氧化抑制剂。
[0032]<11>根据<1>至<10>中任一项所述的结构体的制造方法，其还包括：
[0033]在透明基材的其中一个表面形成遮光性层的工序；
[0034]在遮光性层上形成光阻层的工序；
[0035]对上述光阻层进行曝光及显影来形成光阻图案的工序；及
[0036]对上述遮光性层进行蚀刻来形成上述遮光性图案1的工序。
[0037]<12>根据<1>至<11>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0038]与上述图案3的平均厚度相比，上述遮光性图案1的平均厚度更厚。
[0039]<13>根据<1>至<12>中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
[0040]上述透明基材为透明薄膜基材。
[0041]<14>根据<1>至<13>中任一项所述的结构体的制造方法，其还包括对上述树脂图案2进行后曝光及后加热中的至少一个的工序。
[0042]&am本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结构体的制造方法，其包括：准备层叠体的工序，该层叠体具有：透明基材、配置于所述透明基材上的遮光性图案1以及配置于所述透明基材和所述遮光性图案1上并且与所述透明基材接触的负型感光性树脂层N；从所述透明基材的与设置有所述遮光性图案1的面相反一侧的面向所述负型感光性树脂层N的一部分照射光的工序；通过对被照射光的所述负型感光性树脂层N进行显影，在所述透明基材上形成树脂图案2的工序；以及在由所述遮光性图案1及所述树脂图案2划定的区域形成图案3的工序，所获得的结构体具有所述树脂图案2作为永久膜。2.根据权利要求1所述的结构体的制造方法，其中所述遮光性图案1包含金属。3.根据权利要求1或2所述的结构体的制造方法，其中，所述图案3具有导电性。4.根据权利要求1至3中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述图案3为通过镀覆法形成的图案。5.根据权利要求1至4中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述遮光性图案1及所述图案3包含相同种类的材料。6.根据权利要求1至5中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述负型感光性树脂层N包含碱溶性高分子、烯属不饱和化合物及光聚合引发剂。7.根据权利要求6所述的结构体的制造方法，其中，所述烯属不饱和化合物包含3官能以上的烯属不饱和化合物。8.根据权利要求6或7所述的结构体的制造方法，其中，所述烯属不饱和化合物包含具有二环戊基结构或二环戊烯基结构的二(甲基)丙烯酸酯化合物。9.根据权利要求1至5中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述负型感光性树脂层N包含多官能环氧树脂、含羟基的化合物及光阳离子聚合引发剂。10.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉那慎一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：