配线基板及配线基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种配线追随性优异并且抑制配线变形的配线基板及配线基板的制造方法。所述配线基板中，埋设有配线图案，位于在同一平面的面内方向上配置的配线图案之间的区域在140℃下的弹性模量为0.1MPa以下，介电损耗正切为0.006以下。切为0.006以下。切为0.006以下。

【技术实现步骤摘要】
配线基板及配线基板的制造方法


[0001]本公开涉及一种配线基板及配线基板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，通讯设备中所使用的频率趋于一直变高的倾向。为了抑制高频段的传输损耗，要求降低用于电路板的绝缘材料的相对介电常数和介电损耗角正切。
[0003]例如在专利文献1中记载有一种电路基板，其具有层叠结构，所述层叠结构具有多个热塑性液晶聚合物膜及至少一片导体层，层叠结构的至少一部分包含加工有电路的导体层夹入两片热塑性液晶聚合物膜的层之间的结构。
[0004]专利文献1：国际公开第2016/072361号

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式所要解决的课题在于提供一种配线追随性优异并且抑制配线变形的配线基板及配线基板的制造方法。
[0006]用于解决上述课题的方法中包括以下方式。
[0007]<1>一种配线基板，其埋设有配线图案，
[0008]位于在同一平面的面内方向上配置的配线图案之间的区域在140℃下的弹性模量为0.1MPa以下，
[0009]配线基板的介电损耗正切为0.006以下。
[0010]<2>根据<1>所述的配线基板，其中，
[0011]配线图案的厚度为5μm～40μm。
[0012]<3>根据<1>或<2>所述的配线基板，其中，/>[0013]上述区域在25℃下的弹性模量为400MPa以上。
[0014]<4>根据<1>至<3>中任一项所述的配线基板，其具备基材、配置于基材的至少一个面上的配线图案及配置成与配线图案之间和配线图案接触的树脂层，
[0015]树脂层的介电损耗正切为0.006以下。
[0016]<5>根据<4>所述的配线基板，其中，
[0017]树脂层含有热塑性聚合物。
[0018]<6>根据<5>所述的配线基板，其中，
[0019]热塑性聚合物为液晶聚合物。
[0020]<7>根据<6>所述的配线基板，其中，
[0021]液晶聚合物具有由式(1)～式(3)中的任意者表示的结构单元。
[0022]式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
[0023]式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
[0024]式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
[0025]式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚
苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，Ar1～Ar3中的氢原子的至少一个分别独立地任选被卤原子、烷基或芳基取代。
[0026]式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
[0027]式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。
[0028]<8>根据<5>至<7>中任一项所述的配线基板，其中，
[0029]树脂层还含有具有比热塑性聚合物的熔点低的熔点的化合物。
[0030]<9>根据<8>所述的配线基板，其中，
[0031]化合物的介电损耗正切为0.01以下。
[0032]<10>根据<8>或<9>所述的配线基板，其中，
[0033]化合物的含量相对于树脂层的总量为15质量％～90质量％。
[0034]<11>根据<4>至<10>中任一项所述的配线基板，其中，
[0035]树脂层包含配置成与配线图案之间和配线图案接触的层B及配置于层B上的层A，
[0036]层B中，位于配线图案之间的区域的140℃下的弹性模量为0.1MPa以下。
[0037]<12>根据<11>所述的配线基板，其中，
[0038]层A在240℃下的弹性模量为300MPa以上。
[0039]<13>一种配线基板的制造方法，其包括：
[0040]在带有配线图案的基材的配线图案上使树脂基材重叠的工序；及
[0041]在使带有配线图案的基材与树脂基材重叠的状态下进行加热来获得配线基板的工序，
[0042]树脂基材中，以与带有配线图案的基材重叠的一侧的表面为起点，相当于配线图案的厚度的厚度位置为止的区域中，在重叠的状态下进行加热时的加热温度下的弹性模量为0.1MPa以下，配线基板的介电损耗正切为0.006以下。
[0043]<14>根据<13>所述的配线基板的制造方法，其中，
[0044]树脂基材中，上述区域在25℃下的弹性模量为400MPa以上。
[0045]<15>根据<13>或<14>所述的配线基板的制造方法，其中，
[0046]树脂基材含有热塑性聚合物，在重叠的状态下进行加热时的加热温度为低于热塑性聚合物的熔点的温度。
[0047]<16>根据<15>所述的配线基板的制造方法，其中，
[0048]树脂基材还含有具有比热塑性聚合物的熔点低的熔点的化合物，在重叠的状态下进行加热时的加热温度为高于化合物的熔点的温度。
[0049]<17>根据<13>至<16>中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，
[0050]树脂基材包含层A及设置于层A的至少一个面的层B，层B在重叠的状态下进行加热时的加热温度下的弹性模量为0.1MPa以下，在重叠树脂基材的工序中，重叠成使层B侧与带有配线图案的基材接触。
[0051]<18>根据<1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种配线基板，其埋设有配线图案，位于在同一平面的面内方向上配置的配线图案之间的区域在140℃下的弹性模量为0.1MPa以下，所述配线基板的介电损耗正切为0.006以下。2.根据权利要求1所述的配线基板，其中，所述配线图案的厚度为5μm～40μm。3.根据权利要求1或2所述的配线基板，其中，所述区域在25℃下的弹性模量为400MPa以上。4.根据权利要求1所述的配线基板，其具备基材、配置于基材的至少一个面上的所述配线图案及配置成与所述配线图案之间和所述配线图案接触的树脂层，所述树脂层的介电损耗正切为0.006以下。5.根据权利要求4所述的配线基板，其中，所述树脂层含有热塑性聚合物。6.根据权利要求5所述的配线基板，其中，所述热塑性聚合物为液晶聚合物。7.根据权利要求6所述的配线基板，其中，所述液晶聚合物具有由式(1)～式(3)中的任意者表示的结构单元，式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，Ar1～Ar3中的氢原子的至少一个分别独立地任选被卤原子、烷基或芳基取代，式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。8.根据权利要求5至7中任一项所述的配线基板，其中，所述树脂层还含有具有比所述热塑性聚合物的熔点低的熔点的化合物。9.根据权利要求8所述的配线基板，其中，所述化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中弦也，佐佐田泰行，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：