转印膜、层叠体、图案形成方法、电路板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材的两面，其中，从在上述带透明导电层的基材的两面配置转印膜而成的层叠体的两侧进行曝光时，可抑制曝光雾化且所形成的树脂图案的分辨率也优异。并且，提供一种层叠体、图案形成方法及电路板的制造方法。本发明专利技术还提供一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于上述透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材，该转印膜具有临时支承体及至少包含感光性层的组合物层，上述组合物层包含在与上述感光性层的最大灵敏度波长不同的波长处具有极大吸收波长的色素，上述感光性层的最大灵敏度波长与上述色素的极大吸收波长之差为40nm以上。长之差为40nm以上。长之差为40nm以上。

【技术实现步骤摘要】
转印膜、层叠体、图案形成方法、电路板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种转印膜、层叠体、图案形成方法及电路板的制造方法。

技术介绍

[0002]由于用于获得规定图案的工序数少，因此广泛利用以下方法：使用转印膜在任意基板上配置感光性层，并隔着掩模对该感光性层进行曝光之后显影的方法(参考专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2020
‑
086238号公报
[0004]此次，本专利技术人使用转印膜，通过双面光刻工艺，对在透明基材的两面形成图案化的导电层的方法进行研究的结果，发现例如对分别在透明基材的对置的2个表面从透明基材侧依次具有导电层及感光性层的层叠体进行双面曝光的情况下，进行一侧的感光性层的曝光时，有时会产生因该曝光光而导致另一侧的感光性层也被曝光的现象(以下，还称为“曝光雾化(fogging)”。)。若产生曝光雾化，则有可能无法形成感光性层所期望的形状。
[0005]并且，本专利技术人等通过双面光刻工艺，对在透明基材的两面形成图案化的导电层的方法进一步研究的结果，还发现有时通过曝光/显影处理由各感光性层形成的树脂图案的分辨率差。

技术实现思路

[0006]因此，本专利技术的课题在于提供一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材的两面，从在上述带透明导电层的基材的两面配置转印膜而成的层叠体的两侧进行曝光(双面曝光)时，可抑制曝光雾化且所形成的树脂图案的分辨率也优异。
[0007]并且，本专利技术的课题还在于提供一种层叠体、图案形成方法及电路板的制造方法。
[0008]本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，其结果，发现了通过以下构成能够解决上述课题。
[0009]〔1〕一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于上述透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材，
[0010]所述转印膜具有临时支承体及至少包含感光性层的组合物层，
[0011]上述组合物层包含色素，所述色素在上述感光性层的最大灵敏度波长不同的波长处具有极大吸收波长，
[0012]上述感光性层的最大灵敏度波长与上述色素的极大吸收波长之差为40nm以上。
[0013]〔2〕根据〔1〕所述的转印膜，其中，
[0014]上述透明导电层包含选自金属纳米线及金属纳米粒子中的至少1种。
[0015]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的转印膜，其中，
[0016]上述感光性层的最大灵敏度波长为300～395nm，上述色素的极大吸收波长超过395nm且为500nm以下。
[0017]〔4〕根据〔1〕或〔2〕所述的转印膜，其中，
[0018]上述感光性层的最大灵敏度波长超过395nm且为500nm以下，上述色素的极大吸收波长为300～395nm。
[0019]〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0020]上述色素为非增感色素。
[0021]〔6〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0022]上述色素在上述感光性层的最大灵敏度波长处的吸光度为1以下。
[0023]〔7〕根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0024]上述组合物层包含增感剂，
[0025]上述增感剂为选自二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、花青系化合物、香豆素系化合物及部花青系化合物中的至少1种。
[0026]〔8〕根据〔1〕至〔7〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0027]在上述感光性层中包含上述色素。
[0028]〔9〕根据〔1〕至〔8〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0029]上述组合物层在比上述感光性层更靠近上述临时支承体侧的位置进一步具有热塑性树脂层。
[0030]〔10〕根据〔9〕所述的转印膜，其中，
[0031]在上述热塑性树脂层中包含上述色素。
[0032]〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0033]上述感光性层进一步包含聚合抑制剂，
[0034]上述聚合抑制剂为选自吩噻嗪系化合物、受阻酚系化合物及吩噁嗪系化合物中的至少1种。
[0035]〔12〕一种层叠体，其包含：
[0036]具有透明基材及配置于上述透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材；及
[0037]贴合在上述带透明导电层的基材的两面的〔1〕至〔11〕中任一项所述的转印膜。
[0038]〔13〕根据〔12〕所述的层叠体，其中，
[0039]在上述层叠体中的一侧的转印膜中，上述感光性层的最大灵敏度波长为300～395nm，上述色素的极大吸收波长超过395nm且为500nm以下，
[0040]在另一侧的转印膜中，上述感光性层的最大灵敏度波长超过395nm且为500nm以下，上述色素的极大吸收波长为300～395nm。
[0041]〔14〕一种图案形成方法，其为对〔12〕或〔13〕所述的层叠体中的转印膜实施曝光处理及显影处理，形成图案的方法，
[0042]所述图案形成方法包括：
[0043]第1曝光工序，对上述层叠体中的一侧的转印膜中的感光性层进行曝光；
[0044]第2曝光工序，对上述层叠体中的另一侧的转印膜中的感光性层进行曝光；
[0045]第1显影工序，对经过上述第1曝光工序被曝光的上述感光性层进行显影而形成树脂图案；及
[0046]第2显影工序，对经过上述第2曝光工序被曝光的上述感光性层进行显影而形成树
脂图案。
[0047]〔15〕根据〔14〕所述的图案形成方法，其中，
[0048]同时或逐次进行上述第1曝光工序及上述第2曝光工序。
[0049]〔16〕根据〔14〕或〔15〕所述的图案形成方法，其中，
[0050]同时或逐次进行上述第1显影工序及上述第2显影工序。
[0051]〔17〕根据〔14〕至〔16〕中任一项所述的图案形成方法，其包括：
[0052]第1蚀刻工序，使用经过上述第1显影工序形成的树脂图案作为掩模，对配置于上述透明基材与经过上述第1显影工序形成的树脂图案之间的上述透明导电层进行蚀刻；及
[0053]第2蚀刻工序，使用经过上述第2显影工序形成的树脂图案作为掩模，对配置于上述透明基材与经过上述第2显影工序形成的树脂图案之间的上述透明导电层进行蚀刻。
[0054]〔18〕一种电路板的制造方法，其包括〔14〕至〔17〕中任一项所述的图案形成方法。
[0055]专利技术效果
[0056]根据本专利技术，提供一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材的两面，从在上述带透明导电层的基材的两面配置转印膜而成的层叠体的两侧进行曝光(双面曝光)时，可抑制曝光雾化且所形成的树脂图案的分辨率也优异。
[0057]并且，根据本专利技术，能够提供一种层叠体、图案形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转印膜，其适用于具有透明基材及配置于所述透明基材的两面的透明导电层的带透明导电层的基材，所述转印膜具有临时支承体及至少包含感光性层的组合物层，所述组合物层包含色素，所述色素在与所述感光性层的最大灵敏度波长不同的波长处具有极大吸收波长，所述感光性层的最大灵敏度波长与所述色素的极大吸收波长之差为40nm以上。2.根据权利要求1所述的转印膜，其中，所述透明导电层包含选自金属纳米线及金属纳米粒子中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述感光性层的最大灵敏度波长为300nm～395nm，所述色素的极大吸收波长超过395nm且为500nm以下。4.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述感光性层的最大灵敏度波长超过395nm且为500nm以下，所述色素的极大吸收波长为300nm～395nm。5.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述色素为非增感色素。6.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述色素在所述感光性层的最大灵敏度波长处的吸光度为1以下。7.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述组合物层包含增感剂，所述增感剂为选自二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、花青系化合物、香豆素系化合物及部花青系化合物中的至少1种。8.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，在所述感光性层中包含所述色素。9.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述组合物层在比所述感光性层更靠近所述临时支承体侧的位置进一步具有热塑性树脂层。10.根据权利要求9中所述的转印膜，其中，在所述热塑性树脂层中包含所述色素。11.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，所述感光性层进一步包含聚合抑制剂，所述聚合抑制剂为选自吩噻嗪系化合物、受阻酚系化合物及吩噁嗪系化合物中的至少1种。12.一种层叠体，其包含：具有透明基材及配...

【专利技术属性】
技术研发人员：两角一真，片山晃男，佐藤守正，有富隆志，佐佐木大辅，东笃志，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：