一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于电容测试领域，具体公开了一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，包括直流电源DC、储能电容C、充电开关Sch、充电限流电阻Rch、充电限流电阻短接开关Ssht、放电开关Sdisch、放电限流电阻Rdis、第一电磁继电器Sa、被测电解电容CT、第二电磁继电器Sb、电流检测电阻Rcs2、二极管D1、运算放大器OP、AD转换器、单片机MCU、电脑PC、数字温度传感器RT以及LCR数字电桥。本实用新型专利技术提供的电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，具有高度自动化功能，完全取代人工操作，可大幅度提高测试频次，提高数据准确性和实时性；同时增加电容温度检测功能，使得电容性能评定更加全面，试验更加安全。安全。安全。

【技术实现步骤摘要】
一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置


[0001]本技术涉及电容测试领域，更具体地，涉及一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置。

技术介绍

[0002]特殊应用场合的电解电容需要具有耐低频(＜50Hz)充放电性能，其评价标准是在一定次数的充放电周期后，检验电解电容的电容量C衰减率、损耗角正切DF、等效串联电阻ESR和漏电流Lc的增长率，要求参数变化率不超过一定范围。由于需求充放电次数往往很多，测试周期很长。
[0003]现有的测试方法是：使用专用的低频充放电测试电源对电解电容进行循环充放电，在整个试验周期中每隔一段时间取下被测电容，利用LCR数字电桥和漏电流测试仪对被测电解电容进行各参数的测量，用以实现对电容性能劣化的监测。这种测试方法，需要频繁将被测电容从夹具上拆卸，参数测试完毕后再安装，耗费一定的人工，并且由于操作繁琐，参数测试的频次不会太高，被测电容劣化过程得不到精确反映。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的不足，本技术提供了一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，以解决现有技术中存在的需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，包括直流电源DC、储能电容C、充电开关Sch、充电限流电阻Rch、充电限流电阻短接开关Ssht、放电开关Sdisch、放电限流电阻Rdis、第一电磁继电器Sa、被测电解电容CT、第二电磁继电器Sb、电流检测电阻Rcs2、二极管D1、运算放大器OP、AD转换器、单片机MCU、电脑PC、数字温度传感器RT以及LCR数字电桥，其中，所述直流电源DC的正极分别连接所述储能电容C的正极和所述充电开关Sch的2端，所述直流电源DC的负极分别连接所述储能电容C的负极、所述放电限流电阻Rdis的2端、所述第二电磁继电器Sb的常闭端3端、所述电流检测电阻Rcs2的2端、所述二极管D1的负极以及所述运算放大器OP的反相输入端，所述充电开关Sch的1端分别连接所述充电限流电阻Rch的1端和所述充电限流电阻短接开关Ssht的2端，所述充电限流电阻Rch的2端分别连接所述放电开关Sdisch的2端、所述电磁继电器Sa的常闭端2端以及所述充电限流电阻短接开关Ssht的1端，所述放电开关Sdisch的1端与所述放电限流电阻Rdis的1端相连，所述第一电磁继电器Sa的公共端1端与所述被测电解电容CT的正极相连，所述第一电磁继电器Sa的公共端5端与所述被测电解电容CT的负极相连，所述第一电磁继电器Sa的常闭端4端分别连接所述第二电磁继电器Sb的公共端2端、所述二极管D1的正极和所述运算放大器OP的同相输入端，所述第一电磁继电器Sa的常开端3端与所述LCR数字电桥的HC、HP端相连，所述第一电磁继电器Sa的常开端6端与所述LCR数字电桥的LC、LP端相连，所述第二电磁继电器Sb的常开端1端与所述电流检测电阻Rcs2的1端相连，所述运算放大器OP的输出端与所述AD转换器的模拟输入口相连，所述AD转换器的数字输出端与所述MCU的I/O口1端相连，所述MCU通过USB接口6端与所述电脑PC进行通讯，所述电脑PC又通过RS232串口与所述LCR数字电桥进行通讯，所述数字温度传感器RT与所述MCU的总线7端相连，所述单片机MCU的I/O口3端、4端、5端分别经隔离放大后与所述放电开关Sdisch的控制端3...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜翰菁，周加兵，詹光耀，
申请(专利权)人：常州华威电子有限公司，
类型：新型
国别省市：