泥炭藓的人工种植制造技术

本发明专利技术涉及一种新型的高效的植物繁育基质，取生活的泥炭藓等的植物体或茎和分枝，去掉杂质并清洗后，用剪刀将其截断成适当长度（０．１ｃｍ－２００ｃｍ）的茎段后，播种在具有合适孔径的网格或支架上，再把网格或支架固定放置在高湿度的环境中，即可以直接放置在水或合适的溶液（如改进的Ｋｎｏｐ培养基）中，或者紧密接触液体的表面，或者在液体表面上１００ｃｍ的范围以内，或放置在湿度为５０～１００％的空气环境里，种植环境的温度为５～３０℃、光照强度为２００～２００００ｌｘ，并经过适当的后期配套管理，包括喷施添加营养物或者肥料，通入ＣＯ↓［２］等，泥炭藓在此条件下就可以稳定生长，平均生长速度为１ｃｍ～１００ｃｍ／月。生长到一定长度后，收割泥炭藓茎的部分使用，将剩余的部分保留继续按照上述方法生长，泥炭藓可以无限制地人工种植和持续收获。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种水生的苔藓植物的人T种植力'法，尤其是针对泥炭藓的人工种植的方法。
技术介绍
泥炭藓(Sphagnaceae)是苔藓植物门藓纲中的泥炭藓科植物，只有唯一的泥炭藓属，在 系统上为藓类植物的最原始分类群，约100种，分布丁-世界各地，尤其在北温带分布较广， 通常生长在高山和林地的沼泽中，或经常有滴水的岩壁下洼地及草丛内。泥炭藓植物体柔软， 灰白色或灰绿色，茎纤细，单生或稀分枝，长度可达数百厘米而呈垫状生长。细胞大形，无 色，有时具水孔和螺纹，间有狭长形的绿色细胞。泥炭藓的应用比较广泛。它吸水性强、通气性好、抗菌抗虫，质地松软，不易分解，是 很好的外伤包扎敷料，或者做枕芯和被褥；它可以用来包扎花卉、树苗等，既通风又保湿； 泥炭藓是现在为止所知道的最好的保鲜材料；有些种类的泥炭藓还可做草药，能清热消肿， 泥炭酚可治皮肤病；泥炭藓还是决定泥炭层深度和沉积度的最主要植物，泥炭是一种很好的 燃料，丁—业上可用它来发电，还可用于园艺栽培等等；在生态层次上，泥炭藓是地球上最主 要的固碳植物，在环境可持续发展中具有重耍的作用。因此，泥炭藓由于应用前景广阔，其市场需求量日益增大，已得到许多国家的认可。但 是现在的市场上的泥炭藓均来源于天然资源，造成自然资源与环境的不可恢复的损失。为了 满足不断增长的市场需求，最大限度地减少开采泥炭藓给环境带来的负面影响，欧洲和北美 相继开展了在泥炭藓开采迹地种植泥炭藓的实验研究(晋建勇和孟宪民。国外泥炭藓种植业 的研究进展，腐殖酸，2006(5): 6-17)，但恢复缓慢。我闺也是. -直在开采天然的泥炭藓，可 是资源有限，闲此我们应当积极去开发一种良好的泥炭藓的人工种植方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种泥炭藓的人工种植的方法，同吋此专利技术对其它的水生苔藓的种 植具有指导或参考作用。此法能够人工种植并大量生产泥炭藓，从而解决市场上泥炭藓资源 的严重匮乏和加强自然界中野生泥炭藓资源的濒危保护和恢复。本泥炭藓的人工种植方法，是利用泥炭藓本身的再生能力和全能性，按照常规的营养繁 殖技术，取生活的泥炭藓的植物体或茎和分枝，去掉杂质并清洗后，用剪刀将其截断成适当 长度(0.1cm 200cm)的茎段后，播种在具有合适孔径的网格或支架上，再把网格或支架固 定放置在高湿度的环境中，即可以直接放置在水或合适的溶液(如改进的Knop培养基)中， 或者紧密接触液体的表面，或者在液体表面上100cm的范围以内，或放置在湿度为50 100% 的空气环境里，种植环境的温度为5 3(TC、光照强度为200 20000k，并经过适当的后期 配套管理，包括喷施添加营养物或者肥料，通入C02等，泥炭藓在此条件下就可以稳定生长， 平均生长速度为lcm 100ctn/月。生长到…定长度后，收割泥炭藓茎的部分使用，将剩余的 部分保留继续按照上述方法生长，泥炭藓可以无PU制地人工种植和持续收获。本专利技术的具体方案是 一种泥炭藓的人工种植的方法，按照如卜_的步骤进行(1) 泥炭藓的处理首先选择生活的泥炭藓的植物体或茎和分枝，去掉杂质并清洗后，根-根的摆放整齐， 用剪刀或刀将其剪断或切割成适当长度的茎段，茎段的长度在0.1cm 200cm的范围内均可， 依据是否适合于播种在网格或支架上，再用洁水淸洗去掉碎屑，捞出后稍微阴千，准备播种。(2) 泥炭藓的播种将泥炭藓茎段抖开，直接均匀分散播种在网格或支架上，网格或支架上具有合适孔径的 孔洞，既有利于搁置泥炭藓茎段，也有利于泥炭藓向上和向下生长，并能够很好地稳定或定 植生长的泥炭藓茎。随后，再把网格或支架放置或同定在高湿度的适究的种植环境中。(3) 泥炭藓的种植环境泥炭藓种植，把网格或支架固定放紫在高湿疫的环境中，同时选1f-种植环境柏'湿度为5 30'C，光照强度为200 20000lx。可以有多种方式满足高湿度的环境的耍求，主要包括有 ①直接放置在水中；②直接放S在合适的培养溶液中，例如改进的Knop培养基；③放置在 紧密接触水或培养溶液的液体表面④放置在液体表面之上很近的范围之内，主耍限定在液 体表面之上00cm的范围以内⑤放1'.在高湿度的封闭环境中，空气湿度控制为50 100%。(4) 种植后的配套管理泥炭藓种棺后^耍进行适当的配套管理，这些后期配套管理包括喷施添加营养物或者肥 料，通入C02等。其中，营养物主耍是无机盐成分，如改进的Knop培养液；肥料主要是尿 素、有机g合肥等有机肥料。通入C0:;主耍是直接向种植环境中加入气体C02，或者向溶液 中添加NaHCO;。每周定期喷施添加营养物或肥料，并每天向种植环境中通入C02。配套管 理^耍根据种植环境加以调整。如果种栴在水或溶液中，或是紧密接触的液体表面，即上述的①-③的环境，直接向其中添加营养物或肥料，并向种植环境中加入气体C02，或者向溶液中添加NaHCO;:如果种植在空气中，即上述的④-⑤的环境，则对泥炭藓每天进行喷雾，喷 雾溶液是水或含有营养物或肥料的溶液，并向空气中直接通入C02。(5) 泥炭藓的收割泥炭藓在上述条件下可以稳定生长，其平均生长速度为lcm 100cm/月。泥炭藓持续生 长到一定长度，即延长生长了0cm以上，也就可以根据目的进行收割使用了。收割时，直 接割取或者剪取泥炭藓茎的一部分，这一部分通常是位于泥炭藓茎下部的停止生长或生长缓 慢的部分，同时，保留剩余的生长状态较好的部分，继续按照上述方法循环种植和管理，泥 炭藓可以无限制地人工种植和持续收获。本专利技术形成了一套简单的高效的泥炭藓等水生苔藓的人工种植方法，克服了还没有人工 种植泥炭藓等水生苔藓植物的现状和相应的技术壁垒。采用本方法进行泥炭藓等水生苔藓的 人工种栴，还具有下列的显著效果(1) 生产种植方便首先由于材料的处理简便，而且对种植的设备和条件要求不严格，并且是整个处理过程和后期配套管理均很容易实现，因此非常容易操作和推广。(2) 无时间限制由于可以随时采集材料并随时种植，种植环境简单易行，从而解决了一些植物种植上的严格的时间限制，为产业化提供了技术支持。(3) 种楨快速而稳定只需耍比较少量的母本茎段材料.就可以种植并收获大量的泥炭藓，缩短繁殖时间，种棺成活率高，且可以无限制地人工种植和持续收获，摆脱了变异和退 化，所以种植快速、稳定和可靠。(4) 应用广泛由于操作简单，而泥炭藓等应用又极其广泛，使本专利技术具有非常广泛的 应用意义。所以，本专利技术创造了一种简单的高效的泥炭藓等水生苔藓的人工种植方法，克服了还没 有人工种植泥炭藓等水生苔藓植物的现状和相应的技术壁垒，可以大量无限制地收获泥炭藓 等。同时，本专利技术对稀缺植物泥炭藓等的发掘和繁殖，有极重要的意义，对于其他一些水生 苔藓植物有触类旁通的作用，例如金发藓、大叶藓等。本专利技术的具体实施范例具体实施范例一2007年5月，取生活的泥炭藓的植物体或茎和分枝，去掉杂质并清洗后，用剪刀将其截 断成适当长度lcm的茎段后，播种在具有3mm孔径的网篮上，再把网篮固定放置在髙湿度 的环境中，即直接放置在水中，环境温度为10 30'C、光照强度为20001x左右，并每周添加 适量的尿素和NaHC03等，泥炭藓在此条件下可以稳定生长，平均生长速度为3cm/月。生长 到20cm左右，收割泥炭藓茎的下本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术属于一种简单的高效的泥炭藓和水生苔藓植物的人工种植方法，取生活的泥炭藓等的植物体茎，截断成适当长度的茎段，播种在具有合适孔径的网格或支架上，再把网格或支架固定放置在高湿度的环境中，维持种植环境，并经过适当的后期配套管理，包括喷施添加营养物或者肥料，通入ＣＯ↓［２］等，泥炭藓稳定生长，且生长到一定长度后收割，此法使泥炭藓可以无限制地人工种植和持续收获。

【技术特征摘要】
1、本发明属于一种简单的高效的泥炭藓和水生苔藓植物的人工种植方法，取生活的泥炭藓等的植物体茎，截断成适当长度的茎段，播种在具有合适孔径的网格或支架上，可把网格或支架固定放置在高湿度的环境中，维持种植环境，并经过适当的后期配套管理，包括喷施添加营养物或者肥料，通入CO2等，泥炭藓稳定生长，且生长到一定长度后收割，此法使泥炭藓可以无限制地人工种植和持续收获。3、 根据权利要求i所述的具有合适孔径的网格或支架，K特征在于网格或支架主要指各 种可以搁置苔藓的带孔或洞的支持物，合适孔径主要指具有适当的孔洞利于搁S泥炭藓。4、 根据权利要求i所述的高湿度的环境，K-特征在于高湿度的环境包括如下几种①水中；②培养溶液中；③紧密接触水或培养溶液的液体表面；...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡奇英，姚成义，刘东晓，聂小满，原博，高林峰，高岩，刘可，林敏，杨柏云，
申请(专利权)人：蔡奇英，姚成义，刘东晓，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]