声波谐振器封装件制造技术

本公开提供一种声波谐振器封装件。所述声波谐振器封装件包括：声波谐振器，包括在基板的第一表面上的声波谐振器；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包括玻璃熔块，并且所述声波谐振器的结合到所述结合构件的所述结合表面可利用介电材料形成。电材料形成。电材料形成。

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器封装件
[0001]本申请要求于2021年6月10日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0075581号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]以下描述涉及声波谐振器封装件。

技术介绍

[0003]近来，已经开发出具有小型化形式的无线通信装置。例如，可使用利用半导体薄膜晶片制造技术实现的体声波(BAW)谐振器型滤波器。
[0004]当薄膜型元件基于其压电特性使用硅晶片(半导体基板)上的压电材料引起谐振时形成BAW。BAW可被实现为滤波器。

技术实现思路

[0005]提供本
技术实现思路
以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0006]在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。
[0007]所述盖可利用玻璃材料形成。
[0008]所述结合构件可沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。
[0009]所述结合构件可包含V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的任意一种。
[0010]所述声波谐振器的所述结合表面可利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。
[0011]所述声波谐振器可包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。
[0012]所述声波谐振器还可包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层。
[0013]所述结合构件可结合到所述保护层。
[0014]所述保护层可利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅(a
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Si)和多晶硅(PolySi)中的任意一种形成。
[0015]所述声波谐振器还可包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且其中，所述结合构件结合到所述支撑层。
[0016]所述支撑层可利用多晶硅(Poly Si)材料形成。
[0017]所述声波谐振器封装件还可包括支撑部，所述支撑部设置在所述声波谐振器上，并且可被构造为面向所述结合构件，其中，所述支撑部的上表面可被构造为形成所述声波谐振器的结合表面。
[0018]所述支撑部的上端可设置为比所述声波谐振器的上端更靠近所述盖。
[0019]所述盖可被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
[0020]所述声波谐振器还可包括沿着所述声波谐振器的表面设置的疏水层。
[0021]所述声波谐振器封装件还可包括：连接端子，设置在所述基板的第二表面上；以及连接导体，设置为穿过所述基板并将所述声波谐振器和所述连接端子电连接。
[0022]在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，利用玻璃材料形成，并且设置为面向所述基板的所述第一表面；以及结合构件，设置在所述基板和所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器和所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述盖被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
[0023]在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置在所述谐振器上方；绝缘层，设置在所述基板的上表面上；以及结合构件，被构造为将所述盖结合到所述绝缘层；其中，所述盖利用玻璃材料形成，并且其中，所述结合构件包括玻璃熔块。
[0024]所述结合构件可利用V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的一种形成。
[0025]通过以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是易于理解的。
附图说明
[0026]图1是根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器的平面图。
[0027]图2是沿图1的线I
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I'截取的示例截面图。
[0028]图3是沿图1的线II
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II'截取的示例截面图。
[0029]图4是沿图1的线III
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III'截取的示例截面图。
[0030]图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
[0031]图6A和图6B是示出制造图5所示的示例声波谐振器封装件的示例方法的示图。
[0032]图7是图5中所示的盖和结合构件的示例仰视立体图。
[0033]图8是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
[0034]图9是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
[0035]图10是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
[0036]在整个附图和具体实施方式中，除非另外描述或提供，否则相同的附图标记将被理解为指示相同的元件、特征和结构。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、示出和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0037]提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略在理解本申请的公开内容之后已知的特征的描述。
[0038]在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
[0039]在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一元素时，不存在介于它们之间的其它要素。
[0040]如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声波谐振器封装件，包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。2.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖利用玻璃材料形成。3.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。4.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件包含V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的任意一种。5.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。6.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。7.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层，并且其中，所述结合构件结合到所述保护层。8.如权利要求7所述的声波谐振器封装件，其中，所述保护层利用SiO2、Si3N4、MgO、ZrO2、TiO2、Al2O3、AlN、锆钛酸铅、GaAs、HfO2、ZrO2、ZnO、金刚石、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。9.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且其中，所述结合构件结合到所述支撑层。10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，韩相宪，李华善，严在君，韩成，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：