一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统技术方案

本发明专利技术属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V

【技术实现步骤摘要】
一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统


[0001]本专利技术属于电子器件辐照效应模型建模
，尤其涉及一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统。

技术介绍

[0002]目前，随着半导体技术的飞速发展，各种模拟器件模型被广泛应用于航空航天、核工业及粒子物理等领域，它们处在各种电磁、高能粒子的辐射环境中，受到中子辐射、单粒子辐射及瞬时效应等多种辐射效应的影响，其工作可靠性及寿命周期受到了严峻的考验，其中中子辐射效应更是受到了广泛的关注与研究。
[0003]近年来，随着计算机仿真技术的发展，电子系统辐射效应仿真为系统抗辐射设计、理论研究提供了有力支持，既缩短了研发周期又减少了开发费用。目前，对器件模型的中子辐射效应建模研究(Petrosyants K,Vologdin E,Smirnov D,et al.Si BJT and SiGe HBT performance modeling after neutron radiation exposure[C]//Design&Test Symposium.IEEE,2011:2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三极管中子辐射效应的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选择或设计一种数字器件作为原始三极管器件；步骤2：对原始三极管器件用仪器测量或者在元器件官网下载获得原始三极管器件的模型数据；步骤3：基于模型数据提取基极端口的输入端口V
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I特性曲线和输出端口V
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I特性曲线；步骤4：根据输入端口V
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I特性曲线和输出端口V
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I特性曲线提取三极管处于不同工作区的工作条件；步骤5：根据放大区内三极管输入输出工作数据，计算基极输入阻抗、电流放大系数的模型参数；步骤6：根据计算提取的模型参数基于三极管原始SPICE模型建立三极管物理模型；步骤7：根据中子辐射效应引起的器件参数变化获取三极管参数与辐照参数关系式，即建立三极管辐照参数模型；步骤8：根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管中子辐射效应模型。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1与步骤2中，原始三极管器件的数据收集，包括：采用SPICE仿真方法或者真实器件直接测量的方法，测得原始三极管器件的各项V
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I及I
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I数据；IV数据表示电流电压关系，包括基极输入Ibe
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Vbe数据以及集电极Ice
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Vce数据；Ibe
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Ice数据表示集电极电流与基极电流的放大倍数关系，包括其不同工作区的工作电流与电流放大系数。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3中基于模型提取基极输入端口的输入V
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I特性曲线时，采用NPN三极管，Vbe代表模型基极与发射极间电压，Ibe代表流过的电流，通过计算得到三极管的最低基极导通电压，以及导通后的输入阻抗特性曲线。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4包括：基于得到的基极输入端口V
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I特性曲线和输出端口V
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I特性曲线，选择若干参考点，根据参考点数据绘制常态下三极管工作曲线图，根据曲线图中Ic的不同变化趋势与工作状态，得到其处于不同工作区的Vce、Vbe范围，其中：饱和区工作状态表现为Ic
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Vce近似线性关系、放大区工作状态表现为Ib及Ic不随Vce变化而变化、截止区工作状态表现为Ib为0及Ic几乎为0。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5包括：根据常态下三极管工作曲线图获得的数据，调整基极输入电流、集电极供电电压，确保三极管工作状态处于放大区并测试其工作时输入输出数据；然后，根据输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锦辉，梁博，张晓鹏，谭雯丹，张馨丹，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：