光检测装置制造方法及图纸

像素部（Ｐ↓［ｍ，ｎ］）包含有光电二极管（ＰＤ）、第１电容部（Ｃ↓［１］）、第２电容部（Ｃ↓［２］）及晶体管（Ｔ↓［１］～Ｔ↓［６］）。晶体管（Ｔ↓［１］）将由光电二极管（ＰＤ）所产生的电荷传送到第１电容部（Ｃ↓［１］）。晶体管（Ｔ↓［２］）将由光电二极管（ＰＤ）所产生的电荷传送到第２电容部（Ｃ↓［２］）。放大用晶体管（Ｔ↓［３］）输出与蓄积在第１电容部（Ｃ↓［１］）的电荷的量相对应的电压值。晶体管（Ｔ↓［４］）将从放大用晶体管（Ｔ↓［３］）输出的电压值选择性地输出到配线（Ｌ↓［１，ｎ］）。晶体管（Ｔ↓［３］）及晶体管（Ｔ↓［４］）构成源极追随电路。晶体管Ｔ↓［５］及晶体管（Ｔ↓［６］）对分别蓄积在第１电容部（Ｃ↓［１］）及第２电容部（Ｃ↓［２］）的电荷进行选择地输出到配线（Ｌ↓［２，ｎ］）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种光检测装置，其特征在于，具有：像素部，包括：产生与入射光强度相对应的量的电荷的光电二极管；蓄积由所述光电二极管所产生的电荷的第１电容部；蓄积由所述光电二极管所产生的电荷，并且具有与所述第１电容部相比较大的电荷蓄积容量的第２电容部；将由所述光电二极管所产生的电荷分别传送到所述第１电容部及第２电容部的第１传送器件及第２传送器件；栅极端子与所述第１电容部连接，并输出与蓄积在所述第１电容部的电荷的量相对应的电压值的放大用晶体管；对从所述放大用晶体管输出的电压值进行选择地输出的第１输出器件；对分别蓄积在所述第１电容部及所述第２电容部中的电荷进行选择地输出的第２输出器件；对所述第１电容部及所述第２电容部的各自的电荷进行初始化的初始化器件；第１信号处理部，读取由所述像素部的所述第１输出器件输出的电压值，并输出与该电压值相对应的第１电压值；第２信号处理部，读取由所述像素部的所述第２输出器件输出的电荷量，并输出与该电荷量相对应的第２电压值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山行信，水野诚一郎，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]