一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法技术

本发明专利技术公开了快恢复二极管领域内的一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法，包括以下步骤：S1:在N型硅衬底上面生长N

【技术实现步骤摘要】
一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法


[0001]本专利技术涉及快恢复二极管
，特别涉及一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法。

技术介绍

[0002]与普通二极管相比，恢复二极管最大的特点就是超快速的反向恢复特性(反向恢复时间范围为10～150纳秒)。反向恢复时间主要决定于基区少子寿命，因此，少子寿命的变化及少子寿命的控制方法在超快恢复二极管的研究中就显得尤其重要。寿命控制技术的原理是向器件内部引入空间分布适当的复合中心，以有效减小少子寿命，提高器件开关速度。对复合中心的研究主要集中在复合中心的能级位置E，电子俘获系数，空穴俘获系数，退火温度等方面。采用的寿命控制技术有掺金、掺铂、电子辐照等方法。
[0003]目前国内外主流为利用掺杂铂来控制少子寿命，但是掺铂制品容易受到衬底材料缺陷、外延加工过程中夹具的杂质渗入等影响，导致产品片内VF均一性差，VF
‑
Trr曲线较差。

技术实现思路

[0004]本申请通过提供一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法，解决了现有技术中掺铂制品容易出现片内VF均一性差，VF
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:在N型硅衬底上面生长N
‑
型外延层，在所述N
‑
型外延层上面生长氧化层；S2:通过光刻，在所述氧化层上开出环区和元胞区，并注入少量的硼离子，再通过退火处理，形成P
‑
型轻掺杂区；S3:在所述步骤S2后所得制品上面生长多晶硅形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行重掺杂，通过光刻，去除所述环区及元胞区上面的多晶硅；S4:在所述N型硅衬底背面溅射或蒸发一层铂，并进行高温退火；S5:在所述步骤S4后所得制品正面溅射或蒸发一层的金，并进行二次高温退火。2.根据权利要求1所述的金铂双掺杂方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述硼离子掺杂浓度为1E12
‑
9E14，所述退火温度为1000
‑
1300℃，退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：李怀辉，张龙，杨权，潘东辉，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：