一种七合一膜电极封装治具制造技术

本实用新型专利技术旨在提供一种七合一膜电极封装治具，可对的七合一膜电极进行真空吸附、定位精度高、提高产能及成品合格率，包括设有上真空吸附流道、上凹槽的上盖板，设有下真空吸附流道、下凹槽的下盖板，上凹槽和下凹槽位置相对应且相互扣合时共同形成用于放置七合一膜电极的容置腔，上真空吸附流道、下真空吸附流道工作时通过低压将七合一膜电极抽真空；上盖板和下盖板之间设有上定位框和下定位框，上定位框设有与上凹槽形状大小相适配的上定位开口、下定位框设有与下凹槽形状大小相适配的下定位开口；上盖板或/和下盖板设有用于与上定位框、下定位框均形成定位连接的定位结构；上定位框的面积大于下定位框的面积且上定位框能完全覆盖住下定位框。框能完全覆盖住下定位框。框能完全覆盖住下定位框。

【技术实现步骤摘要】
一种七合一膜电极封装治具


[0001]本技术涉及于氢能领域，更具体地说，涉及一种七合一膜电极封装治具。

技术介绍

[0002]膜电极组件是质子交换膜燃料电池最核心的部件，主要由质子交换膜、催化剂、气体扩散层三个关键材料和边框组成。通常所说的膜电极组件为七层式膜电极，包括质子交换膜、阳极催化层和阴极催化层，阳极扩散层和阴极扩散层，以及起密封、固定作用的密封垫。催化层主要由催化剂和质子交换离聚物构成，是电化学反应进行的地方。气体扩散层作为支撑层起到固定催化层和质子交换膜的作用，同时，气体扩散层多孔的结构起到气体传导的作用，使气体均匀的扩散到催化层，同时起到水管理的作用。
[0003]为了方便拿取，同时也为了提高工作效率，传统的氢燃料电池膜电极片对片需要经历五合一、七合一两次封装。五合一生产封装加工过程为：先将下边框胶面朝上平铺在工作台上，然后将三层结构ccm对位平铺在下边框上，保证ccm与边框重叠部分较为均匀，再将上边框胶面朝下与下边框对其，进行油压机热压处理。七合一生产封装加工过程为：将封装完成的五合一结构与气体扩散层GDL贴合，首先使用点胶机在GDL上点出略大于ccm的胶线，再将气体扩散层与五合一结构贴合，保证胶线在边框上并且对位准确。
[0004]申请号为202111234052.1的技术专利公开了一种燃料电池膜电极边框真空贴合方法和装置，采用的是五合一边框封装，五合一边框封装时采用抽真空方式对各片材进行对位，上真空吸附板普遍较大、较重，操作相对困难，同时，上板与下板存在难以精准对位问题。后续还需要进行七合一热压贴合GDL的方式，整体操作工序复杂，多次热压加工时间较长。
[0005]这种五合一膜电极和七合一膜电极在封装压制时会存在对位精度差、平整度差、厚度不均、次品率高、工作程序复杂、操作难度大、气泡不易排出、容易起褶皱等技术问题，因此本申请研究设计出一种七合一膜电极封装治具。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种七合一膜电极封装治具，具有可以对七合一膜电极进行精准定位加工，快速、高效进行真空吸附，做到一次性七合一加工，提高成品率。
[0007]一种七合一膜电极封装治具，包括上盖板和下盖板，所述上盖板设有上真空吸附流道、上凹槽，所述下盖板设有下真空吸附流道、下凹槽，上凹槽和下凹槽位置相对应且相互扣合时共同形成用于放置七合一膜电极的容置腔，上真空吸附流道、下真空吸附流道工作时能够通过低压将七合一膜电极抽真空；
[0008]上盖板和下盖板之间设有上定位框和下定位框，上定位框设有与上凹槽形状大小相适配的上定位开口、下定位框设有与下凹槽形状大小相适配的下定位开口；
[0009]上盖板或/和下盖板设有用于与上定位框、下定位框均形成定位连接的定位结构；
[0010]上定位框的面积大于下定位框的面积且上定位框能完全覆盖住下定位框。
[0011]本技术进一步设置为，所述定位结构包括位于上盖板或下盖板上的定位销，上定位框和下定位框均设有与定位销相互嵌合的定位孔，定位销的高度等于上定位框和下定位框的厚度之和。
[0012]本技术进一步设置为，所述上真空吸附流道包括在上盖板内部设置的由内至外设有若干上独立流道，每个上独立流道均导通连接有上抽真空口，上盖板朝向下盖板的一侧设有若干吸附孔，吸附孔与流道相导通；
[0013]所述下真空吸附流道包括在下盖板内部设置的由内至外设有若干下独立流道，每个下独立流道均导通连接有下抽真空口，下盖板朝向上盖板的一侧设有若干吸附孔，吸附孔与流道相导通。
[0014]本技术进一步设置为，所述上凹槽对应至少一个上独立流道，且对应区域内的上独立流道不与非上凹槽对应区域的上独立流道相联通；所述下凹槽对应至少一个下独立流道，且对应区域内的下独立流道不与非下凹槽对应区域的下独立流道相联通。
[0015]本技术进一步设置为，所述上凹槽、下凹槽的形状大小均与七合一膜电极中的气体扩散层的形状大小相一致，上凹槽、下凹槽的深度均与七合一膜电极中的气体扩散层的厚度相一致；上定位开口、下定位开口的形状与七合一膜电极中的膜电极CCM的形状一致，且面积均小于七合一膜电极中的膜电极CCM的面积。
[0016]通过采用上述技术方案，本技术具有如下优点：
[0017]1.通过上真空吸附流道、下真空吸附流道、定位结构，可以对的七合一膜电极进行真空吸附，并且定位结构可以定位、上盖板、上定位框、下定位框、下盖板，有效的起到定位作用，提高了定位精度，定位和固定能力强；
[0018]2.上真空吸附流道、下真空吸附流道的结构设置，排除了边框内气泡的产生，同时节约了两次热压的时间，提高了产能及成品合格率。
附图说明
[0019]图1为本技术七合一膜电极封装治具结构示意图一；
[0020]图2为本技术七合一膜电极封装治具结构示意图二；
[0021]1.上盖板；11.上抽真空口；2.上定位框；21.上定位开口；22.定位孔；3.下定位框；31.下定位开口；32.定位孔；4.下盖板；41.下抽真空口；42.下凹槽；43.下独立流道；44.定位销；91.气体扩散层；92.膜电极CCM。
具体实施例
[0022]下面结合图1
‑
2对本技术做进一步说明。
[0023]一种七合一膜电极封装治具，由上至下依次包括上盖板1、上定位框2、下定位框3、下盖板4，其中：
[0024]上盖板1设有上真空吸附流道、上凹槽，上真空吸附流道包括在上盖板1内部设置的由内至外设有若干上独立流道，每个上独立流道均导通连接有上抽真空口11，上盖板1朝向下盖板4的一侧设有若干上吸附孔，上吸附孔与上独立流道相导通、位于上凹槽处的上吸附孔与上凹槽相导通；
[0025]下盖板4设有设有下真空吸附流道、下凹槽42，下真空吸附流道包括在下盖板4内
部设置的由内至外设有若干下独立流道43，每个下独立流道43均导通连接有下抽真空口41，下盖板4朝向上盖板1的一侧设有若干下吸附孔，下吸附孔与下独立流道43相导通、位于下凹槽42处的下吸附孔与下凹槽42相导通；
[0026]上凹槽对应至少一个上独立流道，且对应区域内的上独立流道不与非上凹槽对应区域的上独立流道相联通；下凹槽42对应至少一个下独立流道43，且对应区域内的下独立流道43不与非下凹槽42对应区域的下独立流道43相联通；
[0027]其中，上盖板1和下盖板4结构相同、大小形状相同；
[0028]上定位框2设有与上凹槽形状大小相适配的上定位开口21、下定位框3设有与下凹槽42形状大小相适配的下定位开口31；且上定位框2、下定位框3均有一面为自带粘胶的胶面；上凹槽和下凹槽42位置相对应且相互扣合时共同形成用于放置七合一膜电极的容置腔，上真空吸附流道、下真空吸附流道工作时分别经由抽真空口，能够通过低压对七合一膜电极进行抽真空；
[0029]需要说明的是，上定位开口21、下定位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种七合一膜电极封装治具，包括上盖板和下盖板，其特征在于：所述上盖板设有上真空吸附流道、上凹槽，所述下盖板设有下真空吸附流道、下凹槽，上凹槽和下凹槽位置相对应且相互扣合时共同形成用于放置七合一膜电极的容置腔，上真空吸附流道、下真空吸附流道工作时能够通过低压将七合一膜电极抽真空；上盖板和下盖板之间设有上定位框和下定位框，上定位框设有与上凹槽形状大小相适配的上定位开口、下定位框设有与下凹槽形状大小相适配的下定位开口；上盖板或/和下盖板设有用于与上定位框、下定位框均形成定位连接的定位结构；上定位框的面积大于下定位框的面积且上定位框能完全覆盖住下定位框。2.根据权利要求1所述的七合一膜电极封装治具，其特征在于：所述定位结构包括位于上盖板或下盖板上的定位销，上定位框和下定位框均设有与定位销相互嵌合的定位孔，定位销的高度等于上定位框和下定位框的厚度之和。3.根据权利要求1或2所述的七合一膜电极封装治具，其特征在于：所述上真空吸附流道包括在上盖板内部设置的由内至外设...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鹏，刘江，黄平，赵朝峰，
申请(专利权)人：广东科创氢能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：