【技术实现步骤摘要】
均配铱磷光体的分子排列
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案根据35 U.S.C.
§
119(e)要求2021年6月8日提交的美国临时申请第63/208,106号的优先权,其全部内容以引入的方式并入本文中。
[0003]关于联邦政府资助的研究或研发的声明
[0004]本专利技术是根据美国空军科学研究办公室(U.S.Air Force Office of Scientific Research)授予的FA9550
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18
‑1‑
0162在政府支持下进行的。政府拥有本专利技术的某些权利。
[0005]本专利技术涉及用作发射体的化合物,和包括其的装置,如有机发光二极管。
技术介绍
[0006]出于各种原因,利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜,因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外,有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用,如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED,有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说,有机发射层发光所处的波长通常可以用适当的掺杂剂容易地调节。
[0007]OLED利用有机薄膜,其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。若干OLED材料和配置描述于美国专利案第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光化合物,其具有高负性静电位表面区。2.根据权利要求1所述的化合物,其中所述化合物包含由式I表示的配体L
A
:其中所述配体L
A
与如由虚线所表示的金属M配位,且任选地,所述金属M与一或多个配体L
B
配位;其中环A是5元或6元芳基、杂芳基或N
‑
杂环碳烯环;X1、X2和X3各自是C或N;Y1、Y2、Y3和Y4各自是CR2或N;R1表示单取代到最大可允许的取代,或无取代;R2表示单取代到最大可允许的取代;各R1和R2独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基:氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合;任何两个R1和R2能任选地接合以形成任选地被取代的碳环或杂环;限制条件是Y1、Y2和Y3中的至少一个表示CR2,其中R2是全氟烷基或全氟芳基。3.根据权利要求2所述的化合物,其中所述化合物具有式M(L
A
)
x
(L
B
)
y
,其中:M是选自由以下组成的群组的金属:Re、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Ag、Ag和Cu;L
B
是二齿单阴离子配体;x是1、2或3;y是0、1或2;和x+y是所述金属的氧化态。4.根据权利要求2所述的化合物,其中Y2表示CR2,其中R2是全氟烷基或全氟芳基。5.根据权利要求2所述的化合物,其中Y1、Y2和Y3各自表示CR2,其中R2是全氟烷基或全氟芳基。6.根据权利要求2所述的化合物,其中Y3、Y4和Y5中的至少一个表示CR2,其中R2是三氟甲基、五氟乙基或五氟苯基。7.根据权利要求2所述的化合物,其中具有式Ir(L
A
)3的化合物是面式异构体。8.根据权利要求2所述的化合物,其中环A是选自以下的群组的杂芳基环:吡啶、咪唑、吡咯和N
‑
杂环碳烯,其中环A任选地进一步被一或多个基团R1取代。9.根据权利要求2所述的化合物,其中所述化合物具有中性电荷。
10.根据权利要求2所述的化合物,其中X3是C,X2是N,并且环A是杂芳环。11.根据权利要求2所述的化合物,其中X3是C,X2是C,并且环A是N
‑
杂环碳烯。12.根据权利要求2所述的化合物,其中所述配体L
A
是由以下结构中的一个表示:
其中Y5至Y
12
各自独立地表示C或N;X是O、S、Se、CRR'、SiRR'或NR;R3表示单取代到最大可允许的取代,或无取代;各R3、R和R'独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基:氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合;任何两个R、R'和R3能任选地接合以形成任选地被取代的碳环或杂环。13.根据权利要求2所述的化合物,其中所述配体L
A
是由以下结构中的一个表示:14.一种有机发光装置OLED,其包含:阳极;阴极;和安置...
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