一种高频超宽带能量选择表面制造技术

本发明专利技术涉及一种高频超宽带能量选择表面，包括：多个阵列排布的电磁超单元（1）；所述电磁超单元（1）包括：沿所述电磁超单元（1）厚度方向依次连接的顶层电磁响应结构（11）、第一介质基板（12）、中间连接框（13）、第二介质基板（14）和底层电磁响应结构（15）；所述顶层电磁响应结构（11）包括：多个顶层电磁响应组件（111）；多个所述顶层电磁响应组件（111）阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应结构（15）包括：多个底层电磁响应组件（151）；多个所述底层电磁响应组件（151）阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应组件（151）的数量大于所述顶层电磁响应组件（111）的数量。（111）的数量。（111）的数量。

【技术实现步骤摘要】
参考文献[4] 中国专利CN109451718A，专利名称“一种超宽带能量选择表面”。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种高频超宽带能量选择表面，满足在C/X/Ku 频段具有低插入损耗、高防护效能的要求。
[0008]为实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种高频超宽带能量选择表面，包括：多个阵列排布的电磁超单元；所述电磁超单元包括：沿所述电磁超单元厚度方向依次连接的顶层电磁响应结构、第一介质基板、中间连接框、第二介质基板和底层电磁响应结构；所述顶层电磁响应结构包括：多个顶层电磁响应组件；多个所述顶层电磁响应组件阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应结构包括：多个底层电磁响应组件；多个所述底层电磁响应组件阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应组件的数量大于所述顶层电磁响应组件的数量。
[0009]根据本专利技术的一个方面，多个所述电磁超单元按照M
×
N的形式阵列排布，其中，M
×
N≥2且M 和N为正整数；所述电磁超单元阵列排布的周期p满足：8mm≤p≤15mm。
[0010]根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频超宽带能量选择表面，其特征在于，包括：多个阵列排布的电磁超单元（1）；所述电磁超单元（1）包括：沿所述电磁超单元（1）厚度方向依次连接的顶层电磁响应结构（11）、第一介质基板（12）、中间连接框（13）、第二介质基板（14）和底层电磁响应结构（15）；所述顶层电磁响应结构（11）包括：多个顶层电磁响应组件（111）；多个所述顶层电磁响应组件（111）阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应结构（15）包括：多个底层电磁响应组件（151）；多个所述底层电磁响应组件（151）阵列设置，且相互导通；所述底层电磁响应组件（151）的数量大于所述顶层电磁响应组件（111）的数量。2.根据权利要求1所述的高频超宽带能量选择表面，其特征在于，多个所述电磁超单元（1）按照M
×
N的形式阵列排布，其中，M
×
N≥2且M 和N为正整数；所述电磁超单元（1）阵列排布的周期p满足：8mm≤p≤15mm。3.根据权利要求2所述的高频超宽带能量选择表面，其特征在于，所述第一介质基板（12）和所述第二介质基板（14）为外形尺寸一致的方形板体；其中，所述第一介质基板（12）和所述第二介质基板（14）的厚度均满足：1mm≤h≤3mm。4.根据权利要求3所述的高频超宽带能量选择表面，其特征在于，所述顶层电磁响应组件（111）包括：顶层组件主体（1111）和设置在所述顶层组件主体（1111）上的顶层二极管（1112）；所述顶层组件主体（1111）呈中心对称结构，其包括：两个相互垂直连接的第一金属条带（1111a）；每个所述第一金属条带（1111a）上对称的设置有两个用于焊接所述顶层二极管（1112）的第一焊接缝隙，所述顶层二极管（1112）与所述第一焊接缝隙一一对应的设置；所述第一焊接缝隙在所述第一金属条带（1111a）上的设置位置满足：l
t =0.5p
t
‑
w
t
‑
2g
d
其中，l
t
表示所述第一焊接缝隙距离两个所述第一金属条带（1111a）交叉位置的距离，p
t
表示所述第一金属条带（1111a）的长度，w
t
表示所述第一金属条带（1111a）的宽度，g
d
表示所述第一焊接缝隙的宽度。5.根据权利要求4所述的高频超宽带能量选择表面，其特征在于，所述顶层电磁响应结构（11）中，所述顶层电磁响应组件（111）具有4个，且呈2
×
2的形式阵列排布；所述第一金属条带（1111a）材质为铜，其宽度w
t

【专利技术属性】
技术研发人员：毋召锋，刘培国，黄纪军，刘继斌，查淞，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：