一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置制造方法及图纸

本申请提供了一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置，包括振荡电路，振荡电路连接有R3，电阻R3远离振荡电路的一端连接有反向器

【技术实现步骤摘要】
一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置


[0001]本技术涉及高频信号源
，具体而言，涉及一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置。

技术介绍

[0002]高频信号源可用于高频辐射发射测试的质量控制，包括测试前的系统确认，实验室期间核查或实验室间比对，用以保证实验室测试数据的准确性、可靠性、一致性，提高企业及第三方检测机构的测试数据可比性；
[0003]EMC测试所需场地主要包括电波暗室，为保证实验室的电波暗室辐射测试结果的准确性和一致性，制造进行期间核查EMC辐射场地高频信号源，目前EMC行业辐射高频信号电路较为复杂，目前市场面上存在的信号源价格比较昂贵。
[0004]例如：中国技术专利：CN201520751760.6，所公开的“一种新型EMC用简易信号源”，其说明书公开：而目前市面上存在的各种信号源价格都比较昂贵，对小企业的产品开发是一种不小的成本负担......；上述专利可以佐证现有技术存在的缺陷。
[0005]因此我们对此做出改进，提出一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于：针对目前存在的传统高频信号电路较为复杂，信号源价格比较昂贵的问题。
[0007]为了实现上述专利技术目的，本技术提供了以下技术方案：
[0008]用于EMC辐射场地的高频信号源装置，以改善上述问题。
[0009]本申请具体是这样的：
[0010]包括振荡电路，所述振荡电路连接有R3，所述电阻R3远离振荡电路的一端连接有反向器
Ⅵ
以及电阻R5，所述反向器
Ⅵ
远离电阻R3的一端连接有天线W、电源端VDD以及电容C4；
[0011]所述电阻R5远离电阻R3的一端连接有放大整形电路，所述放大整形电路远离电阻R5的一端连接有反向器Ⅲ，所述反向器Ⅲ并联有电阻R4以及继电器CR，继电器CR两端分别连接有电容C2以及电容C3。
[0012]作为本申请优选的技术方案，所述振荡电路包括反向器Ⅰ，所述反向器Ⅰ一端连接有电阻R1，所述反向器Ⅰ的另一端连接有反向器Ⅱ以及电阻R2，所述反向器Ⅱ远离反向器Ⅰ的一端连接有电容C1，且反向器Ⅱ远离反向器Ⅰ的一端与电阻R3连接，电阻R2远离反向器Ⅰ的一端与电阻R1以及电容C1连接。
[0013]作为本申请优选的技术方案，所述放大整形电路包括反向器
Ⅴ
，反向器
Ⅴ
一端与电阻R5连接，所述反向器
Ⅴ
远离电阻R5的一端连接有反向器Ⅳ，所述反向器Ⅳ远离反向器
Ⅴ
的一端与反向器Ⅲ连接。
[0014]作为本申请优选的技术方案，所述反向器
Ⅵ
接地，所述电容C4也接地。
[0015]作为本申请优选的技术方案，电容C2接地，电容C3也接地。
[0016]作为本申请优选的技术方案，所述反向器
Ⅵ
、电容C4、电容C2以及电容C3均为电源接地。
[0017]作为本申请优选的技术方案，电阻R1的阻值为100KΩ，电阻R2的阻值为2.2KΩ，电阻R3的阻值为10KΩ，电阻R4的阻值为10MΩ，电阻R5的阻值为10KΩ。
[0018]作为本申请优选的技术方案，反向器Ⅰ、反向器Ⅱ、反向器Ⅲ、反向器Ⅳ、反向器
Ⅴ
以及反向器
Ⅵ
均为CD4049反向器。
[0019]作为本申请优选的技术方案，所述电容C1的阻值为0.1F，所述电容C2以及电容C3的阻值均为300PF，所述电容C4的阻值为0.1F。
[0020]作为本申请优选的技术方案，所述电源端VDD为+9V电源。
[0021]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0022]在本申请的方案中：
[0023]本申请采用CD4049反向器，使电路特别简单，使用反向器Ⅲ作为电路射频振荡器，射频振荡器的频率受到100MHz晶振的控制，反向器IV和反向器V组成放大整形电路，以改善电路效果，反向器I和反向器II以及电阻R1、电阻R2、电容C1组成振荡电路，对射频信号进行调制，与现有技术相比，使得该高频信号源装置更为简单，使得其价格也相对的低，企业使用。
附图说明
[0024]图1为本申请提供的用于EMC辐射场地的高频信号源装置的电路图；
[0025]图2为本申请提供的用于EMC辐射场地的高频信号源装置的局部电路图；
[0026]图3为本申请提供的振荡电路的电路图；
[0027]图4为本申请提供的用于EMC辐射场地的高频信号源装置的局部电路图。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0029]因此，以下对本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的部分实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，这类术语仅是为了便于描述本实
用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]实施例：
[0034]如图1、图2、图3和图4所示，本实施方式提出一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置，包括振荡电路，振荡电路连接有R3，电阻R3远离振荡电路的一端连接有反向器
Ⅵ
以及电阻R5，反向器
Ⅵ
远离电阻R3的一端连接有天线W、电源端VDD以及电容C4；
[0035]电阻R5远离电阻R3的一端连接有放大整形电路，放大整形电路远离电阻R5的一端连接有反向器Ⅲ，反向器Ⅲ并联有电阻R4以及继电器CR，继电器CR两端分别连接有电容C2以及电容C3。
[0036]如图1、图2和图3所示，作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，振荡电路包括反向器Ⅰ，反向器Ⅰ一端连接有电阻R1，反向器Ⅰ的另一端连接有反向器Ⅱ以及电阻R2，反向器Ⅱ远离反向器Ⅰ的一端连接有电容C1，且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置，其特征在于，包括振荡电路，所述振荡电路连接有电阻R3，所述电阻R3远离振荡电路的一端连接有反向器
Ⅵ
以及电阻R5，所述反向器
Ⅵ
远离电阻R3的一端连接有天线W、电源端VDD以及电容C4；所述电阻R5远离电阻R3的一端连接有放大整形电路，所述放大整形电路远离电阻R5的一端连接有反向器Ⅲ，所述反向器Ⅲ并联有电阻R4以及继电器CR，继电器CR两端分别连接有电容C2以及电容C3。2.根据权利要求1所述的一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置，其特征在于，所述振荡电路包括反向器Ⅰ，所述反向器Ⅰ一端连接有电阻R1，所述反向器Ⅰ的另一端连接有反向器Ⅱ以及电阻R2，所述反向器Ⅱ远离反向器Ⅰ的一端连接有电容C1，且反向器Ⅱ远离反向器Ⅰ的一端与电阻R3连接，电阻R2远离反向器Ⅰ的一端与电阻R1以及电容C1连接。3.根据权利要求2所述的一种用于EMC辐射场地的高频信号源装置，其特征在于，所述放大整形电路包括反向器
Ⅴ
，反向器
Ⅴ
一端与电阻R5连接，所述反向器
Ⅴ
远离电阻R5的一端连接有反向器Ⅳ，所述反向器Ⅳ远离反向器
Ⅴ
的一端与反向器Ⅲ连接。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋恢，董三碧，莫贤标，李茂华，
申请(专利权)人：威凯深圳检测技术有限公司，
类型：新型
国别省市：