电能产生装置及电能产生方法制造方法及图纸

尽管因真空中的允许的能量状态的密度高而有利于虚粒子的生成，但在通常的金属导体中，由于允许状态的数量比较少而阻碍了虚粒子的生成。可以利用这种差异来制作高效的电能产生装置，而这正是本发明专利技术的目的。上述目的是通过一种电能产生装置解决的，该装置由包含导体的金属或石英形成，与驱动钨铪合金制的电子枪的电源连接而形成，且由在所述电子枪上设置栅极而成的导电性中空壳体形成，其中，电子击中相反侧的靶时，磁铁使所述电子向靶直线移动，所述壳体接地直到中空饱和，饱和时MOSFET阻碍所述电子向接地端移动，二极管将所述电子导向电容器，并从电容器导向负载。并从电容器导向负载。并从电容器导向负载。

【技术实现步骤摘要】
电能产生装置及电能产生方法


[0001]本专利技术来源于与空间电荷、真空极化和虚粒子的概念相联系的理论，涉及真空中加热的阴极的周围电子云的自发形成。

技术介绍

[0002]基于本专利技术基础的物理学理论于2019年1月由研究门(Researchgate)的专利技术人发表(www.researchgate.net/publication/330601653
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E
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Cat_SK_and_long_range_particle_interactions)，通过熵泵实现。此处，根据海森堡不确定性原理所预见的零点能量，在dV/dt下dV增大时，电子的颤动(Zitterbewegung)活跃，产生阿哈拉诺夫
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玻姆(Aharonov Bohm)效应，电子的相位发生变化，形成相位一致的电子簇，熵、热容量、自由度变小，能量向相位不一致的电子移动，能量增加。
[0003]尽管真空管技术从初期开始就已广为人知和广泛应用，但由于考虑到稳定的空间电荷的形成可以通过电子间的库仑力来防止，因此空间电荷效应没有明确定义的理论。但是，作为海森堡不确定性原理预测的量子波动的结果，实验发现可以通过虚电荷对的产生
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湮灭而产生的真空极化来屏蔽排斥力。
[0004]这样的粒子
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反粒子对的寿命与其质量
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能量成反比，但在其短暂的存在期间可以作为电容器的固体电介质的电荷发挥作用，能够遮挡电场、降低在电容板上蓄积电荷所需要的电压。/>[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]【专利文献1】美国专利第9115913号说明书
[0008]【专利文献2】美国专利第6465965号说明书
[0009]【专利文献3】美国专利第9502202号说明书
[0010]【专利文献4】美国专利第5502354号说明书
[0011]【专利文献5】美国专利第7379286号说明书
[0012]【专利文献6】美国专利第9306527号说明书
[0013]【专利文献7】美国专利第3670494号说明书
[0014]非专利文献
[0015]【非专利文献1】Aharonov Y.and Bohm D.Significance of Electromagnetic Potentials in the Quantum Theory,Physical Review,115:485
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491,1959
[0016]【非专利文献2】Hestenes D.Zitterbewegung Modeling,Foundations of Physics,23(3):365
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387,1993
[0017]【非专利文献3】Dirac P.A.M.Nobel lecture,Theory of Electrons and Positrons,Nobel Lectures,Physics 1922
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1941,1965
[0018]【非专利文献4】Feynman R.P.QED:The Strange Theory of Light and Matter,Penguin Books,Penguin 1990
[0019]【非专利文献5】Giorgio Vassallo et Al.:Maxwell
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Dirac Theory and Occam's Razor:Unified Field,Elementary Particles,and Nuclear Interactions,Amazon 2019
[0020]【非专利文献6】Andrea Rossi:Ecat SK and long range particle nteractions,[online]，2019年1月，ResearchGate，[2021年6月8日检索]，网址：
[0021]www.researchgate.net/publication/330601653_E
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Cat_SK_and_long_range_particle_interactio ns

技术实现思路

[0022][专利技术要解决的问题][0023]尽管因真空中的允许的能量状态的密度高而有利于上述虚粒子的生成，但在通常的金属导体中，由于允许状态的数量比较少而阻碍了上述虚粒子的生成。可以利用这种差异来制作高效的电能产生装置，而这正是本专利技术的目的。这种能量是通过由镓、铟、砷、磷、锗、金、铋的合金形成层状的中空固体中的壁，将得到光子的等离子体转换为电能而产生的。至今没有人成功实现基于空间电荷概念的电能产生装置并进行运用，本专利技术的装置首次应对了运用空间电荷的问题。
[0024]本专利技术的装置与专利文献1～7中记载的现有的电、光、热的能量产生装置完全不同，如后述的实验表明的那样，获得了更高的效率。
[0025][解决问题所采用的手段][0026]根据本专利技术的各实施例，提供了以下内容：
[0027][1]电能产生装置，由包含导体的金属或石英形成，与驱动钨铪合金制的电子枪的电源连接而形成，且由在所述电子枪上设置栅极(grid)而成的导电性中空壳体形成，其中，
[0028]电子击中相反侧的靶时，磁铁使所述电子向靶直线移动，所述壳体接地直到中空饱和，饱和时MOSFET阻碍所述电子向接地端移动，二极管将所述电子导向电容器，并从电容器导向负载。
[0029][2]根据[1]所述的电能产生装置，所述MOSFET由配置于两个电阻之间的NPN晶体管操作，并通过频率发生器供给电力。
[0030][3]根据[2]所述的电能产生装置，一个电阻被配置于DC能量源和所述NPN晶体管之间，另一个电阻被配置于所述NPN晶体管和所述频率发生器的连接点之间。
[0031][4]根据[2]或[3]所述的电能产生装置，DC电流源被配置于所述MOSFET和所述NPN晶体管之间。
[0032][5]根据[1]至[4]中任一项所述的电能产生装置，所述MOSFET产生使所述电子向接地端移动的相位和所述电子向所述负载移动的相位交替地重复所需的频率。
[0033][6]根据[1]至[5]中任一项所述的电能产生装置，真空泵通过阀使所述壳体内成为真空，该真空中含有氩气或其他气体和金属，所述壳体以一定的真空度被密闭。
[0034][7]根据[1]至[6]中任一项所述的电能产生装置，所述电子枪通过DC电源供给电力以获得比接地的线的电压更低的电压，并通过DC电流源来供给电力。
[0035][8]根据[1]至[7]中任一项所述的电能产生装置，通过可变变压器调制流经所述电子枪和地线的DC电流。
[0036][9]根据[1]至[8]中任一项所述的电能产生装置，所述电子枪和所述壳体之间通
过电绝缘材料进行电绝缘。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电能产生装置，由包含导体的金属或石英形成，与驱动钨铪合金制的电子枪的电源连接而形成，且由在所述电子枪上设置栅极而成的导电性中空壳体形成，其中，电子击中相反侧的靶时，磁铁使所述电子向靶直线移动，所述壳体接地直到中空饱和，饱和时MOSFET阻碍所述电子向接地端移动，二极管将所述电子导向电容器，并从电容器导向负载。2.根据权利要求1所述的电能产生装置，所述MOSFET由配置于两个电阻之间的NPN晶体管操作，并通过频率发生器供给电力。3.根据权利要求2所述的电能产生装置，一个电阻被配置于DC能量源和所述NPN晶体管之间，另一个电阻被配置于所述NPN晶体管和所述频率发生器的连接点之间。4.根据权利要求2或3所述的电能产生装置，DC电流源被配置于所述MOSFET和所述NPN晶体管之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电能产生装置，所述MOSFET产生使所述电子向接地端移动的相位和所述电子向所述负载移动的相位交替地重复所需的频率。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电能产生装置，真空泵通过阀使所述壳体内成为真空，该真空中含有氩气或其他气体和金属，所述壳体以一定的真空度被密闭。7.根据权利要求1至6中任一项所述的电能产生装置，所述电子枪通过DC电源供给电力以获得比接地的线的电压更低的电压，并通过DC电流源来供给电力。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电能产生装置，通过可变变压器调制流经所述电子枪和地线的DC电流。9.根据权利要求1至8中任一项所述的电能产生装置，所述电子枪和所述壳体之间通过电绝缘材料进行电绝缘。10.根据权利要求1至9中任一项所述的电能产生装置，所述壳体由热交换器制成双层壁，以回收从所述电能产生装置散发的热量。11.根据权利要求1至10中任一项所述的电能产生装置，所述电子枪由通过DC线接地的电源进行充电，以相对于阴极与连接于所述壳体的所述栅极之间的电压，使阴极与接地端之间的电位维持在较高电位。12.根据权利要求1至11中任一项所述的电能产生装置，所述电容器具有所述MOSFET的击穿电压以下的电压，和高于所述壳体及所述MOSFET的总电容的电容。13.根据权利要求1至12中任一项所述的电能产生装置，所述MOSFET连接至配置于两个电阻之间的NPN晶体管，以使来自频率发生器的信号被准确地维持在所述MOSFET必须发挥作用的值，在所述NPN晶体管与所述频率发生器之间配置有一DC源，所述MOSFET和所述接地端之间配置有另一DC电源。14.根据权利要求1至13中任一项所述的电能产生装置，电阻将NPN晶体管极化，电阻将齐纳二极管极化，在NPN晶体管受到干扰时，电阻使所述MOSFET的栅极相对于源极为+20V的电压，电阻限制流向光电耦合器的LED的电流。15.根据权利要求1至14中任一项所述的电能产生装置，电容器蓄积待发送至所述负载的电子，电容器降低齐纳二极管的阻抗，电容器用于24V电池的旁路，电容器连接至光电耦合器...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：A，
类型：发明
国别省市：